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        hdr-cmos 文章 最新資訊

        HDR顯示技術(shù)全面解析

        • HDR顯示技術(shù)全面解析-在今年高端電視的諸多特性中,最吸引我們的無疑是HDR顯示技術(shù)。近兩年火熱井噴的4K超高清屏,講的是電視的分辨率問題。而HDR技術(shù)強(qiáng)調(diào)的則是人眼對(duì)畫面的感知和畫質(zhì)的提升表現(xiàn)。
        • 關(guān)鍵字: HDR  4K  索尼  

        三星量子點(diǎn)電視怎么樣,量子點(diǎn)技術(shù)分析

        • 三星量子點(diǎn)電視怎么樣,量子點(diǎn)技術(shù)分析-三星量子點(diǎn)電視具備量子點(diǎn)技術(shù)的色彩表現(xiàn),三星目前的量子點(diǎn)SUHD電視需要獨(dú)立的背光模塊來點(diǎn)亮像素,但是QLED技術(shù)將OLED、量子點(diǎn)(2-10nm)融合到了一起,不再需要背光,可以大大縮小厚度、降低功耗、提高顯示效果,特別是單個(gè)像素色彩表現(xiàn)更出色,HDR上更有優(yōu)勢。
        • 關(guān)鍵字: hdr  量子點(diǎn)技術(shù)  三星  

        揭開廢棄紐扣電池的秘密

        • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級(jí),對(duì)現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項(xiàng)常見的簡單應(yīng)用。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  CR2032  德州儀器  

        所有這些干擾都是從哪里來的?

        • 所有這些干擾都是從哪里來的?-自從進(jìn)入市場以來,CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 (THD+N) 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級(jí)交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級(jí)。但是,輸入級(jí)對(duì) THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
        • 關(guān)鍵字: CMOS  電源放大器  THD  

        硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

        • 硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片,而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
        • 關(guān)鍵字: 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

        cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)

        • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲(chǔ)功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級(jí)自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比,基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲(chǔ)功能,讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
        • 關(guān)鍵字: cmos  憶阻器  傳感器  

        ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

        • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料,因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同,但是讀取過程不同:CCD 是在同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移,整個(gè)電路非常復(fù)雜,讀出速率慢;CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號(hào),電路簡單,讀出速率高。
        • 關(guān)鍵字: ccd  cmos  圖像傳感器  

        圖像傳感器原理及分類

        • 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī),掃描儀等的核心部件。目前,這個(gè)快速增長的市場現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
        • 關(guān)鍵字: 圖像傳感器  CCD  CMOS  

        電路設(shè)計(jì)常用接口類型說明

        • 本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類型進(jìn)行了簡要說明,下面一起來學(xué)習(xí)一下:  (1)TTL電平接口:  這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧,從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始,對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì),TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi),這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF),輸入信號(hào)超過一定頻率的話,信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高,要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問題。
        • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

        關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)

        •   手機(jī)串口一般是CMOS電平,當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊,wifi模塊,語音視頻模塊等等)看待時(shí),常常會(huì)涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況,同時(shí)也會(huì)涉及到不同開發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn),其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換,TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換。現(xiàn)簡要的總結(jié)下常用的TTL電平,CMOS電平和EIA電平,以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí):  一、集
        • 關(guān)鍵字: TTL  CMOS  

        Sony傳擴(kuò)增CMOS產(chǎn)能14%,滿足車用、物聯(lián)網(wǎng)市場需求

        •   據(jù)海外媒體報(bào)道,Sony 計(jì)劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴(kuò)增至 10 萬片(以 12 吋晶圓計(jì)算)左右水準(zhǔn),大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬片。   報(bào)導(dǎo)指出,因智能手機(jī)自拍用前置相機(jī)朝高性能化演進(jìn),加上車用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加,因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。   根據(jù) Sony 公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
        • 關(guān)鍵字: Sony  CMOS  
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