1? ?LiDAR（3D感測和距離感測）備受矚目在物流行業，物流需求持續擴大，但同時也面臨著嚴重的勞動力短缺問題。越來越多的業內企業開始考慮引進智慧物流系統，利用AGV（無人搬運車）和AMR（自主移動機器人）等執行工作。然而，也有很多企業擔心安全性和系統管理等方面的問題。實際上，ISO 對功能安全的要求也很高，能夠確保安全性的智能感測技術和模塊已經逐漸成為不可或缺的存在。在這種背景下，旨在構建更安全、更安心的智慧物流系統，并且能夠更精準地感測更遠的距離、不易受到陽光干擾的激光雷達LiD
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202411 LiDAR 激光雷達 智慧物流 羅姆 激光器 GaN
11月1日下午，第二十一屆中國國際半導體博覽會（IC China 2024）新聞發布會在北京舉行。中國半導體行業協會副理事長兼秘書長張立、中國半導體行業協會執行秘書長王俊杰、北京賽迪出版傳媒有限公司總經理宋波出席會議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點，并回答記者提問。發布會由中國半導體行業協會專職副理事長兼書記劉源超主持。發布會披露，IC China 2024由中國半導體行業協會主辦，北京賽迪出版傳媒有限公司承辦，將于11月18日—20日在北京國家會議中心舉辦。自2003年
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IC China 2024
Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器，進一步壯大其不斷擴展的電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉換器而設計，用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業電源和輔助電源等設備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉換應用。?NEX806xx/NEX808xx是準諧振/多模反激式控制器，可在寬VCC范圍(10-83V)下工作，而NEX81801/NEX81802是自適應同步整流控制器。這些IC可與N
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Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉換器
如今，圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點，第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認為是突破傳統硅（Si）器件性能天花板的必由之路。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）并稱為第三代半導體界的“雙雄”。其中，SiC在高耐壓和大電流應用方面優勢突出，近年來在新能源汽車、可再生能源等功率電子領域風頭無兩；而GaN則憑借出色的擊穿場強特性和電子飽和速度，提供出色的低導通電阻和高速開關（高頻率工作）性能，在
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Mouser GaN
新聞亮點：●? ?德州儀器增加了GaN制造投入，將兩個工廠的GaN半導體自有制造產能提升至原來的四倍。●? ?德州儀器基于GaN的半導體現已投產上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導體，能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產品。●? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應用GaN制造工藝的試點項目。德州儀器 (TI)近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，
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德州儀器 氮化鎵 GaN
在應對消費類電器、樓宇暖通空調(HVAC)系統和工業驅動裝置的能耗挑戰中，業界積極響應，通過實施諸如季節性能效比(SEER)、最低能效標準(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項目推進建立系統能效評級體系。變頻驅動器(VFD) 可為加熱和冷卻系統提供出色的系統效率，特別是在這些系統具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機轉速，并進行高頻脈寬調制(PWM)開關，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效
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202409 三相集成GaN 電機驅動器 GaN
（一）會議概況2024中國集成電路設計創新大會暨第四屆IC應用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創新大會（AEIF）暨汽車電子應用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強芯發布），150場報告，6000+平米展區展示，200+展商展示IC創新成果與整機應用，200+行業大咖，500+企業高管，5000+行業嘉賓參會。會議看點1、第十屆汽車電子創新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術展覽規模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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ICDIA-IC Show & AEIF 2024
8月13日，新潔能發布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導體 SiC/GaN
功率器件及封測的研發及產業化”項目達到預定可使用狀態日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環境等不可控因素的影響，項目的工程建設、設備采購及人員安排等相關工作進度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內完成。據悉，此次延期項目屬新潔能二廠區擴建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設完成。項目建成后，將實現年產 SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進度的
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新潔能 SiC GaN 功率器件 封測
根據TrendForce集邦咨詢最新報告《2024全球GaN Power
Device市場分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。其中非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。AI應用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術的演進，帶動算力需求持續攀升，C
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CAGR GaN 功率元件
8月15日消息，根據TrendForce集邦咨詢最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對GaN技術傾注更多資源，功率GaN產業的發展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場規模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復合年增長率）高達49%。報告顯示，非消費類應用比例預計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數據中心和電機驅動等場景為核心。
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英飛凌 德州儀器 GaN 功率元件
IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術傾注更多資源，功率 GaN 產業的發展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規模約 2.71 億美元（IT之家備注：當前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復合年均增長率）達 49%。據介紹，消費電子是功率 GaN 產業的主戰場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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功率器件 GaN
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國際會展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會（以下簡稱PCIM Asia）（展位號：11號館D14）。屆時，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體，展示其面向工業設備和汽車領域的豐富產品陣容及解決方案。同時，羅姆工程師還將在現場舉辦的“寬禁帶半導體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動汽車論壇”等同期論壇上發表演講，分享羅姆最新的功率電子技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的碳化硅
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羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經過去了一年，這個市場非但沒有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導體發展備受關注：Yole 數據顯示，2026 年 GaN 市場規模預計可達 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導體市場規模有望突破 60 億美元。預測是人算不如天算，第三代半導體優勢已經被講的翻來覆去了，市場的反饋是最真實和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導體應用的重要驅動力。新能源車的最大
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GaN SiC
近年來，隨著科技的不斷進步和全球對綠色低碳發展的需求日益增長，半導體行業迎來了前所未有的發展機遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費電子、電動汽車、可再生能源等多個領域展現出巨大的應用潛力。作為全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者，英飛凌在氮化鎵領域持續深耕，通過戰略布局、技術創新、市場應用拓展等不斷鞏固其市場地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會期間舉辦了一場專門的氮化鎵新品媒體溝通會，會上英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務市場總監程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵 英飛凌 GaN Systems
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出新系列8款小型高壓電子熔斷器（eFuse IC）——TCKE9系列，支持多種供電線路保護功能。首批兩款產品“TCKE903NL”與“TCKE905ANA”于今日開始支持批量出貨，其他產品將陸續上市。TCKE9系列產品具有電流限制和電壓鉗位功能，可保護供電電路中的線路免受過流和過壓狀況的影響，這是標準物理熔斷器無法做到的。即使發生異常過流或過壓，也能保持指定的電流和電壓。此外，新產品還具有過熱保護和短路保護功能，當電路產生異常熱量或發生意外短路時，可通
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東芝 電子熔斷器 eFuse IC
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