片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件，文章分析和比較了三類不同集成方式：芯片級，列級和象素級的原理，性能和特點。最后，展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發展趨勢。
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CMOS 圖像傳感器 集成 轉換器
今年國內拉動內需，特別是3G的啟動建設和FTTH進入實質性的發展階段，使光模塊市場一片紅火，預計今年我們可實現60%的業務增長。
由于對IC行業來說光通信市場不大，所以光收發IC芯片的供應商并不是很多，在國內我們是第一家量產高速收發芯片的IC公司。
國內芯片企業的優勢主要是在成本上，研發成本、管理成本、銷售成本都比國外企業要低。對IC來說，基于同樣的工藝，制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優勢必須發揮技術優勢，采用相對低成本的工藝，做出同樣的產品性能。我們采用CMOS工藝的收發IC芯片
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3G CMOS IC設計 FTTH
意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布，法國經濟、工業和就業部長，以及國家和地區政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層，齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司，共同慶祝Nano2012研發項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴，與雙方簽署了重要的技術開發協議。
Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰略研發項目，聚集研究院和工業合作伙伴，得到法國國家、地區和本地政府的財政支持，旨
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ST CMOS 32nm 22nm Nano2012
CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作，采用最新背面照度(Backside Illumination，BSI)制程的傳感器新產品，陸續獲得一線智能型手機OEM廠設計案(design win)，預計本季度開始大量出貨。
豪威已開始擴大對臺積電下單，臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試，并計畫在12寸廠以65納米投片。
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臺積電 CMOS 傳感器 65納米
幾十年來，摩爾定律所闡述的生產力效益定律一直是半導體行業發展的驅動力。它催生了數字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產品的生產力。然而，經濟學正給半導體行業帶來革命性轉變。未來，“新摩爾定律”將發揮重要作用。
產品研發從性能驅動轉為經濟學驅動
半導體產業是個相對年輕的產業。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數量每18個月翻一番以來，半導體器件制造商一直追求生產力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而，半導體產業正
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NXP 摩爾定律 CMOS 晶體管
法國市場研究機構Yole Development針對微機電系統(MEMS)市場發表最新報告指出，目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務，使得該領域變得高度分散與高競爭性，但又是整體MEMS產業不可缺少的一塊。
Yole表示，大型的開放MEMS代工廠現在都很賺錢，并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應用領域的高成長性，以及來自其它高潛力應用市場的商機，也吸引了許多來自主流半導體產業的新進者投入競爭。
Yole并指出，由于這些來自半導體產業的新進者，具備能結合CMOS技術
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MEMS 晶圓 CMOS
韓國三星電子發布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術的應用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產品。
該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內核“ARM1176”。CPU內核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。
還配備有支持現行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件，以及支持移動DDR或D
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三星 45納米 CMOS S5P6440
半導體技術極其豐富多彩，身陷其景，會有“不識廬山真面目，只緣身在此山中”的感觸。為此，既要“近賞細微”，又要“臨空瀏覽”，以期從中領悟到一些哲理。
本演講根據半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發展史事，探討主流半導體技術的發展哲理，供大家參考討論。
發展歷程
根據IC Knowledge 的歸納[1]，可以把集成電路(IC)的發展歷程劃分為四個階段：
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集成電路 CMOS EPROM DSP DRAM MPU 200907
在金融海嘯中，博通(Broadcom)公司2008年增長了25%，成了半導體行業的明星企業。不過該公司在2009年一季度營收有所下降，博通的解釋是增長率會根據產品或者最終市場和季節性有所差別，并且很大程度上受到了金融危機的影響。不過，博通尤其是WLAN部門的發展經驗可圈可點。
Michael Hurlston Broadcom公司副總裁
兼無線連接集團WLAN事業部總經理
運營成本控制
博通擅長運營成本控制，不同的事業部有不同的特點：一些
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Broadcom WLAN 65納米 CMOS PA Wi-Fi 200907
摘要：在數／模混合集成電路設計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統電路產生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點，提出一種新的設計方案，電路中不使用雙極晶體管，利用PMOS和NMOS的閾值電壓產生兩個獨立于電
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CMOS 閾值電壓 基準 電路設計
近一兩年來，在蘋果公司iPhone手機的帶動下，智能手機市場迅速擴大。智能手機等便攜產品的一個重要特點是功能越來越多，從而支持更廣泛的消費需求。但智能手機等便攜產品內部用于支持不同功能的集成電路(IC)或模塊的工作電壓往往不同，如基帶處理器和應用處理器電壓一般在1.5 V至1.8 V之間，而現有許多外設工作電壓一般為2.6至3.3 V，如USIM卡、Wi-Fi模塊、調頻(FM)調諧器模塊工作電壓為2.8 V，而相機模塊為2.7 V。
因此，智能手機等便攜產品中的不同IC與外設模塊之間
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安森美 智能手機 電平轉換器 CMOS
摘 要：高清晰電視(HDTV)和無線通信網絡的發展，對轉換器速度和精度提出了更高的要求。基于新型傳輸門(TG) 結構組成的電流源單元矩陣和譯碼邏輯電路，提出一種適用于高清晰視頻使用的高速8位CMOS電流舵數／模轉換器(
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轉換器 設計 電流 CMOS 視頻 高清 轉換器
摘 要：針對目前通信系統應用上對壓控振蕩器的片上集成、寬調諧、調幅、啟動特性和功耗等提出的綜合性要求，分析和設計了一種壓控調頻調幅振蕩器，其延遲單元采用全差分結構，以消除共模噪聲和增加延遲控制的靈活性
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CMOS VCO 電流 折疊技術
銳迪科微電子 (RDA) 日前宣布，其應用于地面數字電視接收的高性能射頻接收芯片量產，這也是在該領域國內首顆成功上市的芯片，標志著國外芯片壟斷國內市場的歷史從此改寫。該芯片型號為 RDA5880，采用 CMOS 工藝，QFN32 5*5封裝，片外器件極少，具備高集成度的特點，支持自動增益控制模式，能夠支持目前所有的數字電視廣播傳輸標準(包括 DVB-T、DVB-C、ATSC、DMB-T/H、CMMB 等)以及模擬電視標準，支持多波段 band III 174M-240M, VHF band 470M-
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RDA 地面數字電視 射頻接收芯片 CMOS RDA5880
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