- CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.
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CISSOID P-FET
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
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進行 緩沖 電壓 關斷 轉換器 FET 如何
- MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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MOS-FET 開關電路
- 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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J-FET 開關電路 工作原理
- 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級，但一個等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時，
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VOO 檢驗 VP FET 結合 使用 萬用表
- 電路的功能定時器專用IC有NE555和C-MOS單穩態多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長時間定時電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個來組成定時器，這樣可以減少IC的數量，事先了
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FET 輸入 OP放大器 模擬定時電路
- 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運算與幅度調制（AM）等效，可作為低頻調制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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VCA FET 幅度調制 乘法運算電路
- 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發生變
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FET 結型 電壓控制 放大器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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Vishay MOSFET FET
- 友達光電1月20日宣布， 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡稱FET)及FET Japan Inc.(以下簡稱FETJ)簽署資產收購技術移轉協議，收購FET的場發射顯示器(field emission displays;FED)技術，該公司為全球FED技術的領導者。友達在此交易中，將取得FET顯示技術及材料的專利、技術、發明，以及相關設備等資產。
FED技術在快速反應時間、高效率、亮度和對比度方面不但能與傳統CRT相
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友達 FED FET
- 臺灣友達科技近日宣布，他們已經與FET公司以及FET日本公司達成了協議，友達將出資收購FET公司的部分資產，并將因此而獲得FET公司的部分專利技術。FET公司目前在FED場射顯示技術(Field Emission Display)領域占據領先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達并表示，其收購的內容將包括FED場射面板相 關技術專利，FED技術實施方案，以及FED面板生產用設備等。
FED場射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優勢，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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友達 FED FET
- Strategy Analytics 發布最新年度預測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預測2008-2013”。報告總結，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達到22%，但 Strategy Analytics 預計2009年該市場將持平或轉負增長。借助下一代蜂窩手機平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復增長。
一直
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GaAs 外延襯底 FET HBT
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉換器，該器件將寬泛的輸入、輕負載效率以及更小的解決方案尺寸進行完美結合，可實現更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機制的 1 MHz DC/DC 轉換器，與同類競爭產品相比，該器件在將外部輸出電容需求數量降至 32% 的同時，還可實現快速瞬態響應。該轉換器充分利用自動跳過模式與 Eco-mode 輕負載控制機制，幫助設計人員滿足能量之星/90Plus 標準的要求，從而可實現整個負載范圍內的高
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TI FET 轉換器 TPS51315
- 2009年1月22日，中國北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，最新推出一款業界最快的場效應晶體管(FET)運算放大器——ADA4817。這款產品工作頻率高達1GHz，設計用于高性能的便攜式醫療診斷設備和儀器儀表設備。與競爭器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時噪聲降低一半。它已被領先的醫療、測試和測量設備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫療設備。與ADA4
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ADI 運算放大器 FET ADA4817
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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FET TI IC－bq2407x
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