fab-lite 文章 最新資訊
紅外熱成像機芯新力量:艾睿光電Micro Ⅲ Lite紅外熱成像輕薄時代!
- 艾睿光電重磅發(fā)布 Micro Ⅲ Lite超小體積、超低重量、微型高性能紅外熱成像機芯。
- 關鍵字: 艾睿光電 紅外熱成像 機芯 Micro Ⅲ Lite 熱像儀
X-FAB領導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

- 中國北京,2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構在光電子領域的創(chuàng)新賦能,使其能夠輕松獲得具有磷化銦(InP)和鈮酸鋰(LNO)異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅(SiN)與絕緣體上硅(SOI)光電子平臺。在此過程中,模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議,旨在推
- 關鍵字: X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子
X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

- 中國北京,2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
- 關鍵字: X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進
- 近期,一眾國內(nèi)廠商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合;安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片;SK集團宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行,將正式量產(chǎn)碳化硅,產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外,據(jù)外媒報道,日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中,瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出,按照計劃,瑞薩電子擬在目
- 關鍵字: 碳化硅 瑞薩 X-FAB
X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議

- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布,將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺,進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所(IHP)的長期合作關系。作為新協(xié)議的一部分,X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權,將這一技術的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合,提供了獨特的解決方案,達到滿足下一代通信要求所需的更高
- 關鍵字: X-FAB 萊布尼茨IHP
是誰在拉動嵌入式存儲的技術革新和市場擴張?

- 近年來,受到全球半導體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響,存儲器件的價格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構的分析師都預測了半導體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個2022年,甚至更長。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析,2022年全球存儲器件市場的規(guī)模將達到1716.82億美元,較之前預估的2022年增加135.21億美元,同比增長將會達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預測(2021年11月)圖源:WSTS&nbs
- 關鍵字: 嵌入式存儲 X-FAB NVM
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權,正式更名為Nexperia Newport
- 基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易,此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標和投資,進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購,Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位,引領新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶,并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
- 關鍵字: Nexperia Fab
Galaxy Fold Lite曝光:外屏縮小 售價砍半1099美元起
- 昨天XDA大神Max Weinbach曝光了一款全新的三星折疊屏新機——Galaxy Fold e/Lite,今天它又帶來了這款折疊屏新機的更多消息。規(guī)格上這款Galaxy Fold Lite升級為驍龍865處理器,不過不支持5G網(wǎng)絡,256GB存儲。外觀上變化較大,最顯眼的應該是外屏可能同Galaxy Z Flip一樣小,換言之如果想要正常使用只能打開手機。屏幕則是塑料材質(zhì)而非Z Flip的UTG玻璃,鋁合金邊框+玻璃機身,有黑色和紫色可選。更重要的是它的價格,Max表示它的售價會直接在Galaxy F
- 關鍵字: Galaxy Fold Lite
傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版 將有黑紅兩種配色

- 據(jù)外媒sammobile消息,三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機。該款手機有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機型號已經(jīng)確認,為“SM-N770F”,將有黑色和紅色兩種配色,將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存,此外沒有關于規(guī)格的信息。三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機就產(chǎn)品理念而言,Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10(SM-N970)更接近Galaxy Note 3 Neo(SM-N750&n
- 關鍵字: 三星 Galaxy Note10 Lite
外媒:華為Mate 30 Lite或首發(fā)鴻蒙操作系統(tǒng)

- 眾所周知華為為了應對潛在的風險多年來一直在開發(fā)自己的鴻蒙操作系統(tǒng)作為其“B計劃”。早前也有消息稱華為將于今年年末推出一款采用鴻蒙操作系統(tǒng)的移動設備,根據(jù)最新消息顯示,這款機型很有可能是即將發(fā)布的華為Mate 30?Lite。
- 關鍵字: 華為 Mate 30 Lite 鴻蒙操作系統(tǒng)
華為P20 Lite 2019曝光:采用挖孔屏方案

- 5月14日消息,知名爆料人士Roland Quandt曝光了一款中端新品—華為P20 Lite 2019。 根據(jù)Roland Quandt曝光的渲染圖,華為P20 Lite 2019采用了挖孔屏方案,這是繼華為nova 4之后第二款采用該方案的華為手機。據(jù)悉,華為P20 Lite 2019采用了5.84英寸FHD+LCD顯示屏,后置三攝呈縱向排布,支持背部指紋識別。
- 關鍵字: 20 Lite 2019 華為
GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買家
- GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來,大刀闊斧進行改革,宣布退出全球高端技術的開發(fā),又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺積電旗下的世界先進后,業(yè)界再度點名“下一刀”,是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據(jù)傳美系 IDM 大廠有興趣,看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底,GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha,出任 GlobalFoundries 的新 CEO
- 關鍵字: GlobalFoundries Fab IBM
SiC功率半導體器件需求年增29%,X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重,并且能源成本也在不斷增加,以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術,現(xiàn)已變得更具性價比。此外,隨著市場的增長,由于規(guī)模經(jīng)濟的關系,SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來越具有吸引力。 功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比,SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復時間,從而實現(xiàn)更快的開關。此外,其反向恢復電荷要少很多,從而可降低開關損耗。此外,其反向恢復電荷要少很多,從而可降低開關損耗。就其本身
- 關鍵字: X-FAB SiC
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