- 美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
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光刻 EUV
- GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。
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GlobalFoundries EUV
- 英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節點，此一計劃預計在2013下半年實現。同時，這家芯片業巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產。
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英特爾 EUV
- 當半導體業準備進入14/15nm節點時，將面臨眾多的技術挑戰
對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現。按IBM技術經理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰。
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EUV 節點技術
- 目前次世代微影技術發展仍尚未有主流出現，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產。
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微影技術 EUV
- 繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產。
由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
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臺積電 EUV 晶圓代工
- 英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發生在2015年。
Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。
在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產
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英特爾 11納米 EUV
- 相比于2009年今年全球半導體業的態勢好了許多，但是仍有少部分人提出質疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎?
在今年1月由SEMI主辦的工業策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂，認為雖然半導體業正在復蘇的路上，但是制造商們仍缺少激情，不肯繼續大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。
恐怕更大的擔心來自全球半導體業間的兼并與重組到來，以及產業能否支持得起22納米及以下技術的進步。
IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業正在復蘇，但是在半導體業運營中仍面臨成
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ASML 半導體 EUV
- TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。
這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發展超紫外光微影技術的專業集成電路制造服務業者。
相較于現行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超
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臺積電 EUV 微影設備 ASML
- 半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。
據IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。
另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
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EUV 光刻 450mm
- 2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發往全球的5家客戶。業界傳言，最新的NXE3100系統將發送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發生的問題，并預測著各種可能發生的問題及解決方案。
人們談論EUV的各種技術問題已歷時數年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
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ASML EUV 22nm
- 不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發展資深副總經理，他將直接對張忠謀董事長負責。
這是繼張忠謀6月重新執政臺積電以來，又一次重大的人事調整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發展副總經理，帶領研發團隊一路順利開發完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
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臺積電 40納米 HKMG EUV
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統。該公司已使EUV光學系統達到了生產要求。
光學系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產效率。
據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統已經研發了約15年。
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ASML EUV 光刻設備
- 對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
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光刻 EUV 掩膜 CMOS
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據了解，臺積電目前正積極研發22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
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消費電子 EUV 電子束 消費電子
euv介紹
在半導體行業，EUV一般指EUV光刻，即極紫外光刻。
極紫外光刻（英語：Extreme ultra-violet，也稱EUV或EUVL）是一種使用極紫外（EUV）波長的光刻技術。
EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源，可使曝光波長一下子降到13.5nm,它能夠把光刻技術擴展到32nm以下的特征尺寸。
根據瑞利公式（分辨率=k1·λ/NA），這么短的波長可以提供極高 [
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