飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網本、醫療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠實現更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
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Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
前言
今天，汽車電子設備在整車中所占的比例相當大。這些電子模塊雖然為汽車用戶帶來了舒適性和安全性，但與此同時，從汽車環境中電子模塊的可靠性來分析，也產生了一些不容忽視的問題。
因為電子模塊對電磁干擾(EMI)、靜電放電(ESD)和其它電氣干擾(汽車本身是這些危害的源頭)十分敏感，所以在汽車環境中使用電子模塊時必須慎重考慮。針對當前汽車常見的電氣危害，國際標準化組織出臺了多套電氣保護標準。汽車制造商和供應商必須考慮這些標準，而只有在電子模塊中增加保護元器件，才能履行這些標準所規定的主要責任。
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ST 汽車電子 EMI ESD
前言今天，汽車電子設備在整車中所占的比例相當大。這些電子模塊雖然為汽車用戶帶來了舒適性和安全性，...
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汽車電子 數據線 電源線 ESD 保護
消費電子全球領先半導體供應商意法半導體推出一款新的濾波和ESD保護二合一芯片，新產品可以濾除手機產生的高頻干擾，讓便攜音樂播放器和功能手機輸出更為優異的音質。
意法半導體的這款新器件是銷售量日益增長的音樂手機的理想選擇。市場調查公司iSuppli預測，到2010年，音樂手機的年銷售量將超過10億臺，占整個手機市場份額的90%以上。這款新器件還可以保護其它便攜音樂播放器，防止附近的手機產生的電磁干擾。
新器件EMIF04-EAR02M8的尺寸為1.5 x 1.7mm，可以替代音樂播放器的
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ST ESD 濾波 便攜音樂播放器
隨著手機等便攜設備中具備更多的功能，可供靜電放電(ESD)電壓進入的潛在輸入輸出(I/O)通道更趨眾多，包括鍵盤、按鍵、SIM卡、電池充電、USB接口、FM天線、LCD顯示屏、耳機插孔、FM天線等眾多位置都需要ESD保護。根據電容及數據率的不同，便攜設備的ESD保護應用領域可分為大功率、高速和極高速等三個類型，其電容分別為大于30 pF、介于1至30 pF之間和小于1 pF，參見表1。由此表中可見，速度越高的應用要求的電容也越低，這是因為高速應用中更需要維持信號完整性及降低插入損耗。
表1：便攜
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安森美 ESD 便攜設備 CMOS芯片 TVS
全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體推出兩款采用最新的超小型0201雙硅片無引腳(Dual Silicon No-Lead ，DSN-2)封裝的靜電放電(ESD)保護器件。這DSN型封裝尺寸僅為 0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，令工作的硅片百分之百地利用封裝面積，與采用塑模封裝的產品相比，提供顯著的性能/電路板面積比優勢。
安森美半導體采用這新型封裝的首批產品是ESD11N5.0ST5G和ESD11B5.0ST5G，擴展了公司高性能片外ESD保護產品系列。安森美
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安森美 ESD ESD11N ESD11B
LIN(Local Interconnect Network)是基于通用異步收發器(UART)的串行通信協議作為一種低成本的串行通訊網絡，用于實現汽車中的分布式電子系統控制，LIN為現有汽車網絡(例如CAN總線)提供輔助功能，LIN網絡為電機、開關、傳感器和燈的連接提供了經濟高效的單線主從架構。
為了保護運行在惡劣環境中的汽車電子組件，飛思卡爾半導體近日推出了先進系統基礎芯片(SBC)系列，旨在為LIN汽車網絡提供強勁的電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)性能。
針對汽車電子應用市場對
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飛思卡爾 LIN UART 汽車網絡 SMARTMOS EMC ESD 200906
安森美半導體(ON Semiconductor)推出業界首款共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護集成電路(IC) ，應用于高速數據線路。
新的NUC2401MN結合了高帶寬差分濾波、固體共模停止帶寬衰減及世界級ESD保護。這些結合的特性，使這方案遠優于典型的電磁干擾(EMI)濾波器及分立可選方案，同時有助顯著減少元件數量。這器件讓設計人員實現優異的濾波及保護性能，且節省空間及成本，并提高總體可靠性，非常適用于基于高速差分數據線路的廣泛應用，包括USB 2.0、IEEE1394、低壓差分信令(L
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安森美 ESD IC
電子元件技術網(www.cntronics.com)攜手中國電子展將在4月9日-4月10日在深圳會展中心舉辦三大技術和采購研討會及峰會，主題為：技術降成本，創新求發展。
金融海嘯席卷全球，中國的電子制造業也受到不同程度的影響。今天的設計活動是明天的晴雨表,知道了產品的趨勢和技術應用的趨勢可以預測市場的變化。市場不好，研發更不能停。電子元件技術網CEO劉杰博士（Michael Liu）認為經濟下坡時，市場受信心的影響
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元件 創新 ESD LED
除了靜電放電(ESD)測試以外，放大器的所有特性都是以電源開啟的狀態下所呈現的，因此，當電源供應關閉時，放大器所 ...
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ADI ESD 電源 關閉 保護
0 引言
靜電是物體表面的靜止電荷。物體在接觸、摩擦、分離、電解等過程中，發生電子或離子的轉移，正電荷和負電荷在局部范圍內失去平衡，就形成了靜電。當物體表面的靜電場梯度達到一定的程度，正電荷和負電荷發生中和，就出現了靜電放電(ESD)。靜電放電可以出現在兩個物體之間，也可由物體表面經電荷直接向空氣放電。
l 靜電放電的危害
靜電作為一種普遍物理現象，近十多年來伴隨著集成電路的飛速發展和高分子材料的廣泛應用，靜電的作用力、放電和感應現象引起的危害十分嚴重，美國統計，美國電子行業部門每年因靜電危
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ESD
靜電在芯片的制造、封裝、測試和使用過程中無處不在，積累的靜電荷以幾安培或幾十安培的電流在納秒到微秒的時間里釋放，瞬間功率高達幾百千瓦，放電能量可達毫焦耳，對芯片的摧毀強度極大。所以芯片設計中靜電保護模塊的設計直接關系到芯片的功能穩定性，極為重要。隨著工藝的發展，器件特征尺寸逐漸變小，柵氧也成比例縮小。二氧化硅的介電強度近似為8×106V／cm，因此厚度為10 nm的柵氧擊穿電壓約為8 V左右，盡管該擊穿電壓比3.3 V的電源電壓要高一倍多，但是各種因素造成的靜電，一般其峰值電壓遠超過8 V
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CMOS ESD
2008年11月4日 – 全球領先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)今日在臺北舉行的第七屆靜電放電保護技術研討會上，針對如何防止靜電放電(ESD) 所帶來的損失，從元件、制造和系統三個層級的技術面加以探討，為業界提供實質建議。要有效降低ESD所帶來的損害，除了可選擇在制程中直接控制ESD之外，也可以在電子元件中加強抵抗ESD的裝置。安森美半導體長期投入于研發ESD保護技術，通過先進的ESD保護技術和完整的產品系列
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安森美半導體 ESD 電子
在全球半導體產業為IC領域的45nm、多核技術的飛速發展所吸引時，一向波瀾不驚的無源器件在汽車電子的推動下正暗流涌動，7月31日，TDK宣布收購EPCOS，劍指汽車電子領域。而村田，也在7月拉開了中國九城市汽車技術研討會的序幕。汽車電子給無源器件提出哪些新的需求？無源器件在這些新需求下出現什么新的變化？中國汽車電子設計工程師在無源器件的應用上應該注意什么？來自全球主要無源器件供應商將為你解讀無源器件在汽車電子應用上的未來與新技術。
汽車電子如何推動無源器件發展
隨著汽車電子化、
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半導體 TDK MCU ESD 汽車無源器件
esd介紹
ESD的意思是“靜電釋放”的意思，它是英文：Electro-Static discharge 的縮寫
ESD知識介紹
靜電是一種客觀的自然現象，產生的方式多種，如接觸、摩擦等。靜電的特點是高電壓、低電量、小電流和作用時間短的特點。
人體自身的動作或與其他物體的接觸，分離，摩擦或感應等因素，可以產生幾千伏甚至上萬伏的靜電。
靜電在多個領域造成嚴重危害。摩擦起電和人體靜電是電子工業中的兩 [
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