- 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
- 我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。 日前，安世半導體MOS業務集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯技術，利用高壓GaN配合低壓
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安世半導體 GaN
- 離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時，反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關，用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓撲是一個合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
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BOM FET VDD
- 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術的全新高壓氮化鎵場效應管。新器件包含兩種封裝，TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實現了更出色的開關和導通性能，并具有更好的穩定性。由于采用了級聯結構并優化了器件相關參數，Nexperia的氮化鎵場效應管無需復雜的驅動和控制，應用設計大為簡化；使用標準的硅MOSFET 驅動器也可以很容易地驅動它們。 新的氮化鎵技術采用了貫穿外延層的過孔，減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化鎵 GaN
- 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續發展......
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寬禁帶 半導體 SiC GaN
- 作為 Qorvo 產品的全球授權分銷商，貿澤電子 ( Mouser Electronics ) 很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產品均可在貿澤官網上在線訂購。Qorvo的Custom MMIC產品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ，適用于各種航空航天、國防和商業應用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創新解決方案制造商，致力于實現一個萬物互聯的世界。Qorvo最近
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MMIC GaN
- EPC公司進一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列，上載了六個視頻，針對器件可靠性及基于氮化鎵場效應晶體管及集成電路的各種先進應用，包括面向人工智能的高功率密度運算應用，面向機械人、無人機及車載應用的激光雷達系統，以及Ｄ類放音頻放大器。宜普電源轉換公司?（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個視頻主要分享實用范例，目的是幫助設計師利用氮化鎵技術設計面向人工智能服務器及超薄筆記本電腦的先進?DC/DC轉換器?、
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GaN 音頻放大器
- 日前，宜普電源轉換公司（EPC）依據《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》第三版教科書的增訂內容，更新了首7個、合共14個教程的視頻播客，與工程師分享采用氮化鎵場效應晶體管及集成電路的理論、設計基礎及應用，例如激光雷達、DC/DC轉換及無線電源等應用。宜普電源轉換公司（EPC）更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內容是依據最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉換器件》?第三版教科書的內容制作。合共14個教程的視頻播客系列旨在為功率
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GaN 播客
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅動器和強大的保護功能，可讓設計人員在電源轉換系統中實現更高的效率，適用于高密度工業和消費類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉換器等應用。貿澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種
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GaN UVLO
- 在所有電力電子應用中，功率密度是關鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關頻率驅動。隨著基于硅的技術接近其發展極限，設計工程師現在正尋求寬禁帶技術如氮化鎵（GaN）來提供方案。對于新技術而言，GaN本質上比其將取代的技術（硅）成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產出。因此，由于GaN器件小于等效硅器件，因此每個晶片可以生產更多的器件，從而降低了每個晶片的成本。GaN有許多性能優勢，包括遠高于硅的電子遷移率（3.4eV對比1.1eV），這使其具有比硅高1000倍的電子傳導效率的潛力。值得注
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LDN GaN
- 領先的汽車供應商MARELLI近日宣布與美國一家專注于重新定義功率轉換的半導體公司Transphorm達成戰略合作。通過此協議，MARELLI將獲得電動和混合動力車輛領域OBC車載充電器、DC-DC 轉換器和動力總成逆變器開發的尖端技術，進一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術領域的布局。Transphorm被公認為是氮化鎵(GaN)技術的領導者，提供高壓電源轉換應用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導體，并擁有和汽車行業（尤其是日本）直接合作的成功經驗。獲得這一技術對正在探索電力傳動系統業務
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OBC GaN
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商Qorvo?, Inc.近日推出全球性能最高的寬帶功率放大器 (PA)--- TGA2962。Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應用和測試儀表應用而設計，擁有多項性能突破：它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業界領先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。這種組合為系統設計人員帶來提高系統性能和可靠性所需的靈活性，同時減少了元件數量、占用空間和成本。Qorvo 高性能解決方案業務
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GaN 功率放大器
- 奈梅亨，2020年2月25日：分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領域的生產專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術的EV逆變器技術演示器。 GaN是這些應用的首選功率器件，因為GaN FETs使系統以更低的成本達到更高的效率、更好的熱性能和更簡單的開關拓撲。在汽車領域，這意味著車輛行駛里程更長，而這正是所有電動汽車消費者最關心的問題?，F在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動力汽車
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Nexperia GaN EV逆變器
- 小米集團和納微（Navitas）宣布，其GaNFast充電技術已被小米采用，用于旗艦產品Mi 10 PRO智能手機。 小米董事長兼首席執行官雷軍先生在2月13日的小米在線新聞發布會上宣布了此消息。 GaNFast功率IC使用氮化鎵（GaN），這是一種新的半導體材料，其運行速度比以前的硅（Si）電源芯片快100倍，因此僅需45分鐘即可對Mi 10 PRO進行0至100％的充電。
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小米 GaN 納微半導體
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