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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)，進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗(yàn)證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù)，并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名，我
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VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
- 10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù)，簡稱VLT技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。 最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場的DRAM技術(shù) Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機(jī)等方面的市場需求萎縮，新的增長點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場領(lǐng)域。然而當(dāng)前
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢，均價(jià)已來到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點(diǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應(yīng)求
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TrendForce：九月DRAM合約均價(jià)續(xù)漲逾7%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價(jià)維持強(qiáng)勁上漲走勢，均價(jià)已來到14.5美元，月漲幅達(dá)7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預(yù)估第四季的合約價(jià)季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點(diǎn)。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價(jià)格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價(jià)格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應(yīng)求
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南亞科未來兩年投資500億元 提升價(jià)值凌駕市占率
- 南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示，南亞科計(jì)劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價(jià)值，而非拉升全球市占率，未來新存儲器技術(shù)ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。 再者，南亞科召開重大訊息指出，為導(dǎo)入20納米制程技術(shù)，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關(guān)設(shè)備，總價(jià)款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術(shù)轉(zhuǎn)換制程，預(yù)計(jì)花430億~450億元進(jìn)行相關(guān)設(shè)備擴(kuò)
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DRAM價(jià)格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運(yùn)營同步走高
- DRAM現(xiàn)貨價(jià)漲不停，主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價(jià)昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達(dá)2.1美元，攀上七個(gè)多月來高點(diǎn)，本季來大漲逾24%，第4季報(bào)價(jià)持續(xù)看漲一成，南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進(jìn)補(bǔ)。 業(yè)界透露，在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報(bào)價(jià)帶動下，DRAM漲勢延續(xù)，9月以來已連續(xù)三周上漲，漲勢明確，伴隨追價(jià)買盤進(jìn)場，漲勢加大。 根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報(bào)價(jià)，DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價(jià)來到2.1美元，單日漲幅1.6%，合計(jì)本周以來二個(gè)交易日
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三星主導(dǎo)調(diào)漲報(bào)價(jià)策略 DRAM廠商有望重掌號令
- 三星主導(dǎo)調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)策略奏效，全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦科技最新DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)連四天緩步上揚(yáng)，主流DDR4 4Gb DRAM有機(jī)會向2美元叩關(guān)，也是近2個(gè)月來漲勢最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等，可望重掌多頭反攻號令。 存儲器渠道商表示，三星和SK海力士近期主導(dǎo)價(jià)格漲勢態(tài)度積極，除8月調(diào)漲DRAM報(bào)價(jià)，第4季合約價(jià)也再漲一成，連同第3季合約價(jià)調(diào)漲15%，等于下半年漲幅約25%。 2大韓系DRAM大廠的市占逾八成，主導(dǎo)DRAM漲價(jià)策略奏效
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制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日報(bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。 據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光
制程微縮產(chǎn)能損失大 明年下半年DRAM將爆新行情？
- 明年下半年DRAM供給可能會供不應(yīng)求，韓媒指出，存儲器廠商轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程的產(chǎn)能損失，或許會讓DRAM陷入供給短缺，炒熱行情。 BusinessKorea 12日報(bào)道，半導(dǎo)體和投資銀行的業(yè)界消息指出，2017年DRAM需求預(yù)料將年增19.3%，不過2017年DRAM每月產(chǎn)量將減少2萬組，從當(dāng)前的105萬組、2017年降至103萬組，主要是制程轉(zhuǎn)換造成產(chǎn)能減少。不僅如此，產(chǎn)程轉(zhuǎn)換的供給成長率以往大約是30%，2017年成長率可能減至10%，加劇供給不足問題。 據(jù)了解，明年上半年是淡季，DRA
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dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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