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        dram 文章 最新資訊

        TrendForce:2016大陸手機品牌增速排行

        •   自2015年第四季以來,全球終端需求始終停滯,智慧型手機品牌商皆計畫調降今年首季的出貨計畫,整體市場開始進行約一個季度的通路庫存消化 (channel inventory digest)。全球市場研究機構TrendForce智慧型手機分析師吳雅婷表示,受益于庫存調節接近尾聲及2016 MWC展中新機發表,2月中起中國手機品牌陸續出現庫存回補的需求。此外,中國智慧型手機營運商為拉抬4G機種的普及率,針對數款4G高階智慧型手機增加 補貼額度,也推升消費者的購買欲望。   TrendForce預估2016
        • 關鍵字: 華為  DRAM  

        武漢新芯12寸DRAM廠 28日動工

        •   大陸記憶體業新秀武漢新芯廿八日將舉行旗下首座十二寸DRAM廠建廠動工儀式。武漢新芯挾官方資金與國家集成電路產業發展基金(大基金)支持,向全球宣示大陸建立自主記憶體技術與制造的決心。   這是繼紫光集團進軍記憶體領域、醞釀收購多家國際大廠之后,大陸于記憶體領域又一次大動作布局。武漢新芯此十二寸DRAM廠建廠,是大陸首度憑藉自有資金的記憶體晶片建廠案,牽動全球記憶體板塊移動,業界高度關注 。   業界人士指出,先前大陸業者進軍LED、面板、觸控等產業,挾官方資源撐腰下,大舉擴產,使得這些產業都陷入殺價
        • 關鍵字: 新芯  DRAM  

        SEMI:3D NAND、10nm與DRAM將成晶圓廠設備支出動能

        •   SEMI(國際半導體產業協會)公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”(SEMIWorldFabForecast)報告,2016年包括新設備、二手或專屬(in-house)設備在內的前段晶圓廠設備支出預期將增加3.7%,達372億美元,而2017年則將再成長13%,達421億美元。另方面,2015年晶圓廠設備支出為359億美元,較前一年微幅減少0.4%。   SEMI公布最新“SEMI全球晶圓廠預測”報告,2016年包括新設備、二手或專屬(in-house)
        • 關鍵字: DRAM  晶圓  

        大陸臺灣日本“聯姻”成功 共建中國最大DRAM廠

        •   還記得「爾必達」這家昔日全球DRAM巨擘嗎?因不敵三星電子等韓廠蠶食,爾必達于2012年申請破產、之后被美國美光(Micron)收購,而坂本幸雄也成為爾必達的末代社長、在爾必達被美光收購后就辭去社長一職以示負責。不過坂本幸雄要開始踏上復仇之路了,此次將攜手臺灣、中國大陸之力,在安徽合肥打造大規模內存廠,力抗三星等廠商。   日經新聞11日報導,由坂本幸雄所設立的半導體設計公司「SinoKingTechnology(以下簡稱SKT)」已和安徽省合肥市政府正式簽署工廠興建契約,Sino將主導合肥市政府總
        • 關鍵字: DRAM  

        韓廠欲擺脫大陸半導體追擊 轉變體質往系統芯片市場

        •   大陸半導體產業代表性企業清華紫光集團,投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業。該投資規模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規模相當。DRAM廠規模也不亞于三星全球最大半導體園區平澤園區。   由南韓與美國企業瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后,不僅將刺激產業地殼變動,也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。   大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場,進入市場只
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  

        紫光結合日技術 搶攻DRAM市場

        •   中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態隨機存取內存)碰壁后,日本DRAM大廠爾必達前社長坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King),近日確定與中國合肥市政府合作,將結合日本研發技術與中國的資金力量,兩年后在合肥量產DRAM。據了解,相關合作細節預計本周于日本舉行記者會說明。   臺灣DRAM業界指出,爾必達于2012年倒閉并由美光并購后,坂本幸雄與爾必達研發團隊一些成員,另起爐灶新成立兆基科技,除了網羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入,也傳出看好中國內存市場,加上中國企圖建立自主技術,地方政
        • 關鍵字: 紫光  DRAM  

        韓廠欲擺脫大陸半導體追擊 轉變體質往系統芯片市場

        •   大陸半導體產業代表性企業清華紫光集團,投資人民幣600億元興建DRAM工廠,將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業。該投資規模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規模相當。DRAM廠規模也不亞于三星全球最大半導體園區平澤園區。   由南韓與美國企業瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后,不僅將刺激產業地殼變動,也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。   大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場,進入市場只
        • 關鍵字: 半導體  DRAM  

        傳三星半導體西安廠第二階段增設恐延期

        •   三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資,日前傳出這項計劃目前處于保留狀態。業界預估,2016年將會進入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況,加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設NAND Flash工廠,也使三星開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。   目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1,而且以目前的設備來說,已經到達最大產能,所以南韓業界原本認為,三星將在2016年內
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        DRAM價格跌 上季全球產值掉9%

        •   DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統計報告,受到DRAM平均銷售單價持續下降及市況持續供過于求影響,第4季全球DRAM總產值為102.7億美元,季減9.1%。   DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持,筆電出貨亦比預期更佳,但由于各DRAM廠制程轉進,如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉進20奈米制程,都讓產出持續增加,使得當季DRAM價格持續下修。   三星依然是DRAM產業的龍頭,雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元,
        • 關鍵字: DRAM  三星  

        中國如何撕開存儲芯片壟斷圍欄?

        • 存儲芯片在新一代信息技術產業中扮演著重要角色,但前5家公司高度壟斷全球市場,我國發展存儲芯片產業關乎國家安全,意義重大。
        • 關鍵字: 美光  DRAM  

        紫光確定在華南籌建12寸DRAM廠,循華亞科模式

        •   大陸紫光集團已確定在大陸華南地區籌建12寸DRAM廠,并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業模式,由紫光出資建廠,再邀請美光等國際大廠入股,解決技術授權問題。   據了解,此計畫由前華亞科董事長、現為紫光集團執行副總裁的高啟全親自操刀,業界盛傳,日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。   大陸官方自前年成立國家積體電路產業投資基金(簡稱大基金)后,就有意投入自建記憶體供應鏈,但不論是DRAM或NAND Flash,主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中,因此,率先表態要自建記憶體產能的紫光集團,由
        • 關鍵字: 紫光  DRAM  

        2015臺灣DRAM產值增長由正轉負 晶圓代工增長下滑

        •   經濟部統計處資料顯示,臺灣集成電路業產值雖持續成長,但去年增率卻是近三年來首見個位數成長,也結束自2011年以來的上升走勢,臺灣經濟部指出,去年臺灣DRAM產值成長由正轉負,加上晶圓代工成長下滑,整體集成電路業產值年增率僅6.2%。   臺灣集成電路產值在2014年產值突破兆元大關,去年上半年延續榮景,較前年同期成長23.9%,但下半年因全球經濟復蘇力道疲弱,尤其新興市場需求明顯下降,抑制終端消費性電子產品銷售成長動能,下半年衰退7.9%。   去年集成電路業產值增率6.2%,是自2011年低點反
        • 關鍵字: DRAM  晶圓  

        紫光計劃今年再收購2家IC公司 重心將放在IC、環保與新材料等方面

        •   清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏,昨天在瑞士達沃斯的世界經濟論壇現場,接受彭博訪問時坦承,由于美國主管機關豎立的障礙,美光投資案過關的機會渺茫,但紫光集團仍持續推動與美光或其他公司的合作,希望藉此在記憶晶片與IC領域取得突破。   他表示,紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式,例如成立中美合資企業。   徐井宏也透露,清華紫光集團旗下的3大平臺之中,主攻DRAM的同方國芯,今年將投下約2000億人民幣,再買下兩家海外IC業者,但沒有透露可能購并對象。   徐井宏也提到,2016紫光集團的海
        • 關鍵字: 紫光  DRAM  

        三星開始量產HBM2標準的TSV連接4GB DRAM芯片

        •   三星電子2016年1月19日宣布,已開始量產HBM2標準(HBM:High Bandwidth Memory,高帶寬內存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態技術協會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標準“JESD235A”。        HBM2標準的DRAM芯片的結構。   按照HBM2標準,DRAM芯片內可縱向層疊最大8Gbit的存儲器裸片,裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務器用
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        美光DRAM表現看弱 市場供需變化使然

        •   日前美光(Micron)公布最新1季結果表現不佳,截至2016年2月止第2季展望也不佳,消息傳出后造成股價下跌5%,也讓眾多分析師跌破眼鏡。   評論認為,由于傳統第1季是DRAM價格淡季,而且PC與移動裝置帶動DRAM成長有限,因此DRAM廠商表現黯淡早已可期,但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術必要性。   據SemiWiki網站報導,DRAM已成為半導體產業最終普遍性產品,因此,相當容易受到供需平衡變化而導致價格改變。加上目前正處于需求弱但供應強階段,因此,DRAM廠商欲求好表
        • 關鍵字: 美光  DRAM  
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        dram介紹

        DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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