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        dram 文章 最新資訊

        DRAM內存價格猛漲停不下來,下半年才能穩定?

        • 從去年下半年開始DDR3和DDR4內存的價格都在瘋漲,這個漲勢什么時候會停呢?放心吧紅市會一直持續到今年第二季度,到了第三季度可能會穩定下來,然而這不代表價格會降低。
        • 關鍵字: DRAM  晶圓  

        DRAM強漲 金士頓:將缺貨一整年

        •   內存市況今年持續看好,據SEMI半導體協會預估,內存產業產值將成長17.8%,成為半導體產業恢復強勁成長的主要推手,不少相關業者表示,缺貨情況將再延續半年,第2季有機會呈現小漲走勢。   DRAM報價從2016年第4季成功終止連續下跌8季的低潮,開始展開強勁的反彈,迄今至少大漲40~50%之多。 DRAM供貨商南亞科(2408)總經理李培瑛、封測大廠力成(6239)董事長蔡篤恭口徑一致指出,至少還要再缺貨半年,內存模塊大廠金士頓更直說,DRAM將缺貨一整年。   應用多元需求走強   臺灣金士頓
        • 關鍵字: DRAM  金士頓  

        DRAM市場所向披靡 三星穩坐存儲霸主寶座

        •   雖然現在三星被業界貶低,但是我們不得不承認,其地位依然很強勢。強大的半導體業務仍是三星的后盾,這些年來三星憑借該業務獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機,雖然導致其智能手機業務遭遇滑坡,但是元件業務的完全可以彌補,直到現在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大,依然有價格主導權利。   不管是PC業務還是手機業務未來日子不好過的情況下,唯獨DRAM內存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內存開始缺貨,甚至漲價,據了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知,
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        NOR Flash也要漲價 元器件供應鏈為何進入缺貨周期?

        • 從2016年下半年開始,包括CPU、內存、屏幕、CMOS Sensor在內的眾多電子元器件都進入了缺貨周期,這樣就給終端制造商帶來了成本壓力,最終這個壓力就轉移到了消費者身上,引起蝴蝶效應。
        • 關鍵字: DRAM  NAND   

        DRAM市場所向披靡 三星穩坐存儲霸主寶座

        •   雖然現在三星被業界貶低,但是我們不得不承認,其地位依然很強勢。強大的半導體業務仍是三星的后盾,這些年來三星憑借該業務獲益匪淺。三星去年遭遇手機品牌危機,雖然導致其智能手機業務遭遇滑坡,但是元件業務的完全可以彌補,直到現在三星依然是DRAM和NAND和SSD市場的老大,依然有價格主導權利。   不管是PC業務還是手機業務未來日子不好過的情況下,唯獨DRAM內存、NAND閃存活的很滋潤。我們看到在2016年下半年DRAM內存開始缺貨,甚至漲價,據了解,DRAM漲價的主要推手是三星公司。眾所周知,由于
        • 關鍵字: DRAM  三星  

        2020年63%智能手機采用8GB RAM

        •   智能手機屏幕放大、分辨率提高,推升高效能移動DRAM的需求,讓三星、海力士等韓國兩大存儲器廠錢景一片看好。   TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange周日發布報告預測,第一季DDR雙通道存儲器芯片報價今年第一季有望成長10-15%,為前一季3-7%的兩倍多,反映市場供給吃緊的程度。   智能手機功能越來越多元,高分辨率的大屏幕手機更有賴于高密度DRAM模組驅動,如此才能實現類似PC的“多線程工作”。據傳,三星今年推出的Galaxy S8手機其中一款
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        美光預投1,300億未來規劃中科擴廠計劃

        •   中國臺灣地區經濟部工業局昨(17)日首度證實,全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1,300億元,未來將落腳中部科學園區進行擴廠計劃,預計將增加逾2千個就業機會。據悉,美光鎖定中科進行新的3D封測制程,預估2-3年可量產,要打造成為亞太區營運中心。   工業局表示,去年協助美光在臺擴大投資,總投資金額高達新臺幣1,300億元,也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協助,未來規劃中科擴廠計劃,將可增加2,000個以上就業機會,將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產基地。    
        • 關鍵字: 美光  DRAM  

        工序失衡!2017 DRAM內存缺貨/漲價繼續蔓延

        •   從2016年下半年開始,內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚,2017年這一局面將繼續擴散蔓延,而且一整年都未必會有改觀。     據臺灣經濟日報報道,內存大廠金士頓近日表態,今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃,全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外,群聯公司董事長潘建成也強調,NAND閃存因為進入3D世代,制程良率無法提升,預計將缺貨一整年。   日前,金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時,針對DRAM內存市場進行了分析,他表示,目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
        • 關鍵字: DRAM  閃存  

        為什么說中國必須建設本土存儲產業

        •   在長江存儲,晉華項目和合肥長鑫這三大存儲國產存儲基地開建之際,有很多人曾經質疑過中國為什么要投入那么多錢去做這個建設。現在我通過一個事實告訴你原因。現在在存儲產業,基本是韓國廠商的天下,而隨著設動設備的火熱,各種設備的爆發,市場對存儲的需求日增,于是帶來了存儲產品的缺貨問題,進而導致了漲價。   拜DRAM價格因供給短缺而以高角度上揚之賜,部分分析師預測南韓兩大存儲廠三星與SK海力士,今年半導體營業利潤可能年增5成,來到史無前例的25兆韓圓。   存儲市況從2016年6月觸底反彈后,從最低每單位1
        • 關鍵字: DRAM  

        大陸存儲器的戰略布局

        •   長江存儲成立后,大陸在這個階段于半導體的宏觀布局重新成形。但是為什么挑由存儲器入手?這是個關鍵選擇。尤其是在臺灣的 DRAM 產業甫因規模經濟不足導致研發無法完全自主而緩緩淡出之際,這樣的選擇需要一番辯證。進口替代當然是原因之一,但不是全部。   回歸基本面來看。半導體之所以為高科技是因為有摩爾定律,容許其不斷的制程微縮,而其經濟效益也高度依賴摩爾定律。DRAM 在很長的一段時間里是半導體業的驅策技術(driving technology),也就是說DRAM的制程領導其它的半導體制程前進。半導體的先
        • 關鍵字: DRAM   存儲器  

        TrendForce:服務器DRAM模組供不應求,Q1報價看漲25%

        •   市場調查機構TrendForce最新報告預測,服務器用DRAM模組由于供給吃緊,第一季報價可能攀升至少25%。   2017年第一季初,服務器DRAM模組已較前一季同期漲價逾25%,部份高密度產品合約價漲幅更是逼近30%。DDR4 R-DIMM 32GB模組目前已漲破200美元門檻,16GB模組也來到100美元。   TrendForce旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange發現,服務器DRAM模組報價看漲,部份是受惠于PC用DRAM持續漲價。除此之外,服務器制造業者因擔心價格持續走揚而提前
        • 關鍵字: DRAM  

        DRAM供貨吃緊 創淡季漲幅最高紀錄

        •   集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續2016下半年的價格漲勢,2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元,季漲幅超過三成,為DRAM史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的季度。   DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,根據現已成交的合約看來,2017年第一季標準型內存價格持續攀高,平均漲幅接近三成,服務器內存的漲幅略同,R-DIMM 32GB模組已超過200美元
        • 關鍵字: DRAM  

        DRAM/NAND價格回升 存儲器產值今年將增10%

        •   在2015、2016連續兩年下跌后,DRAM和NAND Flash存儲器平均銷售價格(ASP)正穩健走揚,研究機構IC Insights認為,此將有助推升2017年存儲器市場銷售規模,預估整體產值可達853億美元新高紀錄,較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關。
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        一文通解基于VLT技術的新型DRAM內存單元

        •   垂直分層閘流體(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研發出的新型內存單元,能夠顯著降低動態隨機存取內存(DRAM)的成本和復雜性。這是一種靜態的內存單元,無需刷新操作;兼容于現有晶圓廠的制造設備,也無需任何新的材料或工藝。  相較于一般的DRAM,VLT內存數組能節約高達45%的成本;這是因為它具有更小的VLT內存單元,以及驅動更長行與列的能力,使其得以大幅提升內存數組效率。然而,想要發揮VLT的優勢,就必須在依據產業標準發展的成熟DR
        • 關鍵字: DRAM  

        紫光蓋全球最大3DNAND廠,暫時不涉足DRAM

        •   大陸紫光集團在2016年終正式宣布投資總額高達240億美元,在武漢東湖高新區興建全球單一最大3D儲存型快閃存儲器(NAND Flash)廠,為全球存儲器市場投下一顆震撼彈。   半導體設備業透露,紫光集團由旗下長江存儲公司負責推動這項計畫。紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國甚至將這項投資案,等同遼寧號航空母艦出海試航,是中國大陸存儲器產業從零突破的開端,也創下由國家戰略推動、地方大力支持、企業市場化運作的新合作模式。   由紫光集團聯合國家集成電路產業基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資
        • 關鍵字: 紫光  DRAM  
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        dram介紹

        DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應用。 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

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