- 缺貨漲價固然有產能不足的因素，但原廠聯合渠道商炒貨，是其中更為重要的潛在影響因素。
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DRAM 三星
- 搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。
DRAM市場表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別，產值高
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三星 DRAM
- 搶攻DRAM市場商機，三星電子(Samsung Electronics)宣布量產其第二代10奈米等級(1y-nm) 8Gb DDR4 DRAM。 該組件采用高敏感度的單元數據感測系統(Cell Data Sensing System)及「空氣間隔」(Air Spacer)解決方案，以達更高效能、更低功耗，以及更小的體積。
DRAM市場表現強勁，IC Insights預估，2017年DRAM市場將激增74%，為1994年以來最大增幅;未來DRAM預計將成為至今半導體產業內最大的單一產品類別，產值高
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DRAM DDR4
- DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，而明年上半年將轉為供過于求。
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NAND DRAM
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。
DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態，產品價格同步高漲，只是業界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。
內存模塊廠創見指出，DRAM 市場供貨持續吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產良率改善，可望填補供貨缺口。
另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
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DRAM NAND
- 5nm以下的工藝尺寸縮減邏輯;DRAM、3DNAND和新型存儲器的未來;太多可能解決方案帶來的高成本。
近日，外媒SE組織了一些專家討論工藝尺寸如何繼續下探、新材料和新工藝的引入帶來哪些變化和影響，專家團成員有LamResearch的首席技術官RickGottscho、GlobalFoundries先進模塊工程副總裁MarkDougherty、KLA-Tencor的技術合伙人DavidShortt、ASML計算光刻產品副總裁GaryZhang和NovaMeasuringInstruments的首
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5nm DRAM
- 根據三星最新財報顯示，三星Q3凈利潤更是高達98.7億美元，增長145%，季度凈利直逼蘋果，成為世界最賺錢的兩家公司之一。而耀眼財報的背后，其半導體業務起著舉足輕重的作用。
昨日半導體產業曝出一條最大新聞——“ 三星電子全球首發第二代10納米級DRAM產品。”
三星在聲明中稱，這是全球第一個第二代10納米級8Gb DDR4 DRAM芯片，擁有強化的節能效率和資料處理效能，將鎖定云端運算中心、移動設備和高速繪圖卡等高階大數據處理的電子設備。
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三星 DRAM
- 繼 2016 年 2 月三星使用第一代 10nm 制程工藝生產出了 8Gb DDR4 芯片之后，三星電子今日又宣布已開始通過第二代 10nm 制程工藝生產 8Gb DDR4 芯片。另據路透社報道，三星開發的 8Gb DDR4 芯片是“全球最小”的 DRAM 芯片。
據悉，和第一代 10nm 工藝相比，三星第二代 10nm 工藝的產能提高了 30%，有助于公司滿足全球客戶不斷飆升的 DRAM 芯片需求。此外，第二代 10nm 芯片不僅比第一代快 10%，同時功耗又降低了 1
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三星 DRAM
- DRAM 內存市場近期嚴重供不應求，造成全球內存龍頭三星將于 2018 年第 1 季價格再上調 3% 至 5%。 而另一家內存大廠 SK 海力士也將調漲約 5%。 除此之外，有部分供應鏈透露，2018 年第 2 季的價格恐也將不樂觀，價格將續漲 5% 以上。 因此，在需求太強勁的情況下，此波 DRAM 價格從 2016年下半年以來，每季都呈現上漲的態勢。 如果加上 2018 年第 1 季持續漲價，報價已經連續 7 季走揚，堪稱 DRAM 史上時間最長的多頭行情。
事實上，當前的第 4 季是傳統
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DRAM DDR4
- 今年內存供給吃緊，推升價格持續走揚，研調機構IC Insights預期第四季DRAM銷售金額將創歷史新高。
據IC Insights估計，第四季DRAM銷售金額將來到211億美元，較去年同期跳增65%，且是有史以來最佳記錄。
全年來看，DRAM市場預估成長74%，較1993-2017年平均水平高61個百分點，也是繼1994年成長78%以來最強成長動能。
許多因素造就今年內存走大多頭，當中包含近幾年主要內存廠刻意節制擴產動作，同期間剛好又遇上數據中心、行動與游戲設備對高效能內存的需求大
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DRAM
- 圍繞著此輪DRAM產業的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監管者的警覺。
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DRAM NAND
- 今年DRAM市場強勁成長，南亞科技(2408)預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩健;展望2018，預期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續維持穩健。
隨著人工智能、物聯網、智能汽車、高速運算等應用，促進半導體產業更多元發展，DRAM成為電子產品的關鍵組件，帶動今年內存市場強勁成長逾50%。
展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進制程轉換及維持原有月產能，DRAM位年成長率在20%~25%，預估2018年需求將較2017
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南亞科 DRAM
- 縱觀2017年，隨著數據中心、服務器、智能手機和其他移動產品對DRAM需求不斷提升，DRAM產能供不應求，平均售價也在持續上漲。如圖1所示，IC Insights預計2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績，與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。
圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收
IC Insights預計2017年全年DRAM的銷售額將達720億美元，年增長率達74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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DRAM
- 調研機構IC Insights最新報告預估，全球整體IC市場規模將由2016年的2,977億美元，成長為2021年的4,345億美元。合計2016~2021年規模年復合成長率(CAGR)為7.9%。
在12類IC終端應用主要產品中，僅游戲機與平板電腦產品用IC市場規模會出現下滑，其余如汽車、物聯網(IoT)連結、手機等IC應用市場規模都會呈現成長。其中以車用與物聯網連結用IC市場規模成長最快，成長幅度較整體IC高出70%。
預估2017年全球車用IC市場規模，將繼2016年成長11%(達2
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物聯網 DRAM
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。
業界解讀，三星、海力士下季漲價態度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。
手機中國聯盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產存儲器是為了將中國存儲器產業扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產業開始進入試產階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
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DRAM
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