- 在二十世紀90年代早期，汽車安全氣囊系統就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中，MEMS技術的第二次應用浪潮被掀起。期間，MEMS技術被大量應用，產品種類逐漸增多，相關技術被應用到各行各業。第二代技術和產品取代了前者，并很快成為主流。據統計，汽車傳感器市場在2009年規模就達到了25億美元。2004至2009年間，全球汽車傳感器市場的年復合增長率已經達到了9%左右。而今，第三次MEMS應用浪潮正在逼近，越來越多的MEMS加速度計和陀螺儀將被用于更多更新的技術領域。
- 關鍵字：
MEMS 汽車傳感器
- 近年來，傳感器正處于傳統型向新型傳感器轉型的發展階段。新型傳感器的特點是微型化、數字化、智能化、多功能化、系統化、網絡化，它不僅促進了傳統產業的改造，而且可導致建立新型工業，是21世紀新的經濟增長點。微型化是建立在微電子機械系統(MEMS)技術基礎上的，目前已成功應用在硅器件上形成硅壓力傳感器。
微電子機械加工技術，包括體微機械加工技術、表面微機械加工技術、LIGA技術(X光深層光刻、微電鑄和微復制技術)、激光微加工技術和微型封裝技術等。
MEMS的發展，把傳感器的微型化、智能化、多功能化
- 關鍵字：
傳感器 MEMS
- 這個測試儀的基礎是一個皮爾茲CMOS緩沖振蕩器（圖一）。這種振蕩器采用單一CMOS逆變偏頻在其線性區域通過電阻R1 以形成一個高增益反相放大器。由于這個高增益，這個逆變器比一個非緩沖門消耗的功率低，甚至是很小的信
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CMOS 電感測試儀 方案
- Hitachi Displays今天在日本CEATEC展會公布了新的顯示屏技術MEMS，日立展示了一款2.5英寸320x240分辨率的原型產品，它結合了TFT技術和MEMS數字微快門技術，提供更高的顯示效率和較小的能源消耗，功耗約為傳統液晶顯示器的一半并擁有更寬的色域，除此之外新的技術還淘汰了一些成本較高的液晶顯示器所需材料和部件，包括彩色濾光片，偏光片等。預計這種顯示器將在2012年年初出貨。
- 關鍵字：
日立 MEMS
- 近年來，傳感器正處于傳統型向新型傳感器轉型的發展階段。新型傳感器的特點是微型化、數字化、智能化、多功能化、系統化、網絡化，它不僅促進了傳統產業的改造，而且可導致建立新型工業，是21世紀新的經濟增長點。微型化是建立在微電子機械系統(MEMS)技術基礎上的，目前已成功應用在硅器件上形成硅壓力傳感器。
微電子機械加工技術，包括體微機械加工技術、表面微機械加工技術、LIGA技術(X光深層光刻、微電鑄和微復制技術)、激光微加工技術和微型封裝技術等。
MEMS的發展，把傳感器的微型化、智能化、多功能化
- 關鍵字：
傳感器 MEMS
- 提出一種標準CMOS工藝結構的低壓、低功耗電壓基準源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準電流進行動態電流反饋補償，設計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準電路。使輸出基準電壓溫度系數在-25～+120℃范圍的溫度系數為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩壓囂等領域。
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CMOS 高精度 帶隙基準源
- CMOS成像技術的領先創新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設計令該產品可實現專業攝影師所要求的高畫質，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態響應(DR)像素技術創新(稱為Aptina DR-Pix技術)，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環境中的表現。高亮度下的最大信噪比可達
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圖像傳感器 CMOS
- 在二十世紀90年代早期，汽車安全氣囊系統就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中，MEMS技術的第二次應用浪潮被掀起。期間，MEMS技術被大量應用，產品種類逐漸增多，相關技術被應用到各行各業。第二代技術和產品取代了前者，并很快成為主流。據統計，汽車傳感器市場在2009年規模就達到了25億美元。2004至2009年間，全球汽車傳感器市場的年復合增長率已經達到了9%左右。而今，第三次MEMS應用浪潮正在逼近，越來越多的MEMS加速度計和陀螺儀將被用于更多更新的技術領域。
第三次應用浪潮的臨近
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MEMS 傳感器
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產水平時迎來重大轉折點。將由現行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導體廠商均已開始表現出這種技術意向。LSI的制造技術發生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。
元件材料及曝光技術也會出現轉折
“估計一多半的半導體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
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CMOS 15nm 立體晶體管
- 全硅MEMS時鐘方案領導公司SiTime Corporation今天針對音響，微控制器和工控醫療等高可靠性應用領先推出業界第一款編號為SiT8503的千赫(kHz)可編程全硅MEMS振蕩器。SiTime具有業界最為完整的全硅MEMS兆赫(megahertz, 或MHz)頻率時鐘產品系列, 包括了差分振蕩器(differential oscillators), 時鐘產生器(clock generators), 壓控振蕩器(VCXOs), 擴頻時鐘產品(spread spectrum timing pro
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SiTime MEMS 振蕩器
- 意法半導體積極將MEMS技術拓展至醫療、工業與汽車電子等其他領域，意法半導體事業部副總裁MEMS、傳感器和高性能模擬產品部總經理Benedetto Vigna表示，公司為首家以三軸數字陀螺儀打入手機市場的公司，預計用于各種領域的MEMS傳感器于2010年底前突破累計10億只出貨量。
游戲平臺Wii和智能型手機iPhone帶動帶動MEMS技術、產品及應用的發展。根據市調機構iSuppli最新報告顯示，MEMS市場在2010年將持續成長，預計2010年將會締造15億美金市場，2014年更將大幅成長至
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意法半導體 MEMS 傳感器
- 本文以比較器為基本電路，采用恒流源充放電技術，設計了一種基于1.0mu;m CMOS工藝的鋸齒波振蕩電路，并對其各單元組成電路的設計進行了闡述。同時利用Cadence Hspice仿真工具對電路進行了仿真模擬，結果表明，鋸
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CMOS 工藝 鋸齒波 振蕩電路
- 按SEMI貿易部的預測，與2009年相比今年半導體前道設備的投資增長133%及2011年再增長18%。
SEMI的World Fab預測 2010年全球安裝產能，不計分立器件，可增長7%，及2011年再增長8%，報告中表示2010年全球fab建廠費用投資增長125%及2011年再增長22%。
按報告，全球在大半導體領域，在2010及2011兩年間共有超過150 fab將預計投資達830億美元。此報告的依據是跟蹤全球大廠及小廠，包括MEMS，分立器件及LED而得出。
按SEMI的報告，
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半導體 MEMS
- 全球最大的消費電子與便攜設備MEMS(微機電系統)供應商意法半導體宣布，事業部副總裁兼MEMS、傳感器和高性能模擬產品部總經理Benedetto Vigna將于2010年臺灣SEMICON 國際半導體展MEMS創新技術趨勢論壇發表開幕演講，以移動市場為主軸，探討傳感器集成技術所面臨的挑戰及未來智能傳感器系統解決方案的發展趨勢。
游戲平臺Wii和智能手機iPhone引起的市場風潮大舉帶動MEMS技術、產品及應用的發展。根據市調機構iSuppli最新報告顯示，MEMS市場在2010年將持續成長，預計
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意法半導體 MEMS
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