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量產出貨！納芯微高性能車規(guī)級LDO為車載電源設計帶來新選擇
- 納芯微2022年全新發(fā)布的首款車規(guī)級LDO芯片NSR31/33/35系列現(xiàn)已正式量產，并向知名國際汽車零部件廠商批量供貨。LDO芯片是一種低壓差線性調節(jié)器，隨著汽車電動化和智能化的發(fā)展，LDO在車載電源設計中顯得越來越重要，尤其是在車載電源、車載信息娛樂系統(tǒng)、車身控制、自動駕駛等低壓應用中。NSR3x系列產品便是專為汽車電池供電系統(tǒng)而設計，其寬輸入電壓范圍、超低靜態(tài)功耗、多種保護功能和多種封裝形式為工程師在車載應用電源模塊開發(fā)帶來了新選擇。01 寬輸入電壓范圍與電腦和家電等消費電子不同，汽車應用場景多變，
- 關鍵字： 納芯微 車載電源 LDO
FLIR CMOS 機器視覺攝像頭使數(shù)字熒光顯微鏡變得經濟實惠
- Zaber Technologies 設計和制造經濟實惠、集成且易于使用的精確定位和運動控制設備，適用于光子學和光學、生命科學、顯微鏡和工業(yè)自動化領域的應用。其 MVR 電動倒置顯微鏡是一種可連續(xù)使用，且經濟實惠的顯微鏡，降低了自動顯微成像的進入壁壘，為研究人員節(jié)省了時間和金錢。降低壁壘Zaber 之所以能開發(fā)出經濟實惠但性能強大的顯微鏡，方法之一是顯著簡化光程。通過取消兩個目鏡筒，僅靠 FLIR Blackfly USB3 攝像頭進行圖像的觀察和捕獲，視覺系統(tǒng)設計人員得以取消顯微鏡中
- 關鍵字： FLIR CMOS 機器視覺攝像頭 數(shù)字熒光顯微鏡
手機CMOS出貨 恐年年減
- 受到手機需求下滑、中國品牌取消主相機景深鏡頭影響，市調機構Counterpoint表示，上半年手機CMOS影像傳感器出貨量比去年同期大減14％、只剩24億顆左右，雖然下半年手機CMOS出貨量有機會比上半年反彈5％～9％，然而在通膨、經濟不景氣等影響下，預估全年出貨量仍會比去年下滑約1成，而在取消景深鏡頭已成業(yè)界共識下，明年CMOS影像傳感器出貨量恐較今年再減少。根據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)顯示，全球智能型手機上半年出貨量為6.21億支，比去年同期下滑8.4％，然而手機CMOS影像傳感器上半年出貨量卻年
- 關鍵字： CMOS Counterpoint 影像傳感器
如何有效地比較CMOS開關和固態(tài)繼電器的性能
- 源極和漏極之間的關斷電容CDS(OFF)可用來衡量關斷開關后，源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關斷隔離度定義為，開關關斷狀態(tài)下，耦合到漏極的源極的信號量。本文將討論如何從關斷隔離度推導出COUT，以及如何通過它來更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開關的性能。這一點很重要，因為CMOS開關適合
- 關鍵字： ADI CMOS
超低靜態(tài)功耗LDO！納芯微推出業(yè)界領先車規(guī)級NSR31/33/35系列芯片
- 納芯微首次推出全新業(yè)界領先的NSR31/33/35系列LDO芯片，專為汽車電池為系統(tǒng)供電的應用場景而設計，具有3V至40V的寬輸入電壓，支持瞬態(tài)電壓高達45V。其超低的靜態(tài)功耗5uA及低壓差電壓，非常適合待機功耗要求高的汽車應用里，給待機系統(tǒng)中的MCU和CAN/LIN收發(fā)器供電，達到省電和延長電池壽命的目的。典型應用框圖NSR31/33/35系列提供給硬件設計者充足的解決方案，有各種固定電壓版本：2.5V、3.3V和5.0V，也提供輸出可調版本（0.65V 至18V）。此外，不同系列分別提供150mA，3
- 關鍵字： LDO 低靜態(tài)功耗
AR0331: CMOS 圖像傳感器，3 MP，1/3"
- 該 3.1 百萬像素傳感器采用安森美半導體的 A-Pix? 技術，通過全新的 2.2 微米像素傳感器的卓越性能滿足了不斷發(fā)展的、以全高清視頻為中心的監(jiān)控市場的需求。AR0331 具有卓越的圖像質量，其目標為 1/3 英寸光學格式監(jiān)控攝像頭主流市場。該傳感器讓監(jiān)控攝像頭制造商能夠將性能升級到當前的 3 百萬像素傳感器設計，它帶有業(yè)內最佳的功能集，將全高清視頻和寬動態(tài)范圍 (WDR) 功能以及內置的自適應局部色調映射相結合。這種新型傳感器可在 60 fps 的速度下提供高達 1080p 的高清
- 關鍵字： AR0331 CMOS 圖像傳感器
如何為衛(wèi)星應用選擇合適的LDO
- 耐輻射低壓降穩(wěn)壓器 (LDO) 是許多航天級子系統(tǒng)（包括現(xiàn)場可編程門陣列 (FPGA)、數(shù)據(jù)轉換器和模擬電路）的重要電源元件。LDO 有助于確保為性能取決于干凈輸入的元件提供穩(wěn)定的低噪聲和低紋波電源。但是，市場中有如此多的LDO，如何為子系統(tǒng)選擇合適的耐輻射器件呢？讓我們看看一些設計規(guī)格和器件特性，以幫助您做出這個決定。航天級LDO的壓降LDO的壓降是輸入電壓和輸出電壓之間的電壓差，在該電壓差下 LDO 停止調節(jié)輸出電壓。壓降規(guī)格越小，能夠實現(xiàn)的工作電壓差就越小，從而使功率耗散和熱耗散更少，并從本質上提高
- 關鍵字： TI 衛(wèi)星 LDO
為技術找到核心 多元化半導體持續(xù)創(chuàng)新
- 觀察2021年主導半導體產業(yè)的新技術趨勢，可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類，第一類是獨立電子、計算機和通訊技術，基礎技術是CMOS FinFET。在今天，最先進的是5奈米生產制程，其中有些是FinFET 架構的變體。這是大規(guī)模導入極紫外光刻技術，逐步取代多重圖形光刻方法。 圖一 : 半導體的創(chuàng)新必須能轉化為成本可承受的產品。我們知道，目前三星、臺積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會看到一種新的突破，因為他們最有可能轉向奈米片全環(huán)繞
- 關鍵字： CMOS FinFET ST
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