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        cmos-ldo 文章 最新資訊

        一種新穎啟動(dòng)方式的CMOS低功耗電流源

        • 1引言電流源是模擬、數(shù)字集成電路中重要的單元[1][2]。電流源的性能直接影響電路及系統(tǒng)的性能。...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  低功耗  電流源  

        高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

        • 引言本文采用plusmn;5V電源,設(shè)計(jì)出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號(hào)與控制電壓成高線性度的電路,并且實(shí)現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動(dòng)增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運(yùn)算等方面有著很好的
        • 關(guān)鍵字: CMOS  高線性度  調(diào)幅  電路技術(shù)    

        富士通半導(dǎo)體展示超高速短距離數(shù)據(jù)傳輸

        • 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)已經(jīng)證明可以通過(guò)CEI-28G-VSR接口進(jìn)行單信道大于100Gbps的數(shù)據(jù)傳輸,從而將光互聯(lián)論壇(OIF)定義的芯片間電接口數(shù)據(jù)傳輸速率提高到4倍。這項(xiàng)研究成果驗(yàn)證了在利用為長(zhǎng)距離光傳輸系統(tǒng)所開(kāi)發(fā)的CMOS ADC/DAC轉(zhuǎn)換器技術(shù)后,短距離電信號(hào)傳輸所能達(dá)到的數(shù)據(jù)速率。
        • 關(guān)鍵字: 富士通  CMOS  ADC/DAC  

        用CMOS集成電路制作一個(gè)感應(yīng)驗(yàn)電器

        • 利用CMOS集成電路具有極高的輸入阻抗這一特點(diǎn),可以自制一個(gè)感應(yīng)式驗(yàn)電器。    l、電路原 ...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  集成電路  感應(yīng)  驗(yàn)電器  

        LDO集成電路穩(wěn)壓器的結(jié)構(gòu)及選用技術(shù)

        • LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點(diǎn)在于,LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。LDO按其靜態(tài)耗流來(lái)分,分為 OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。OmniPowerTM LDO的靜態(tài)電流
        • 關(guān)鍵字: 選用  技術(shù)  結(jié)構(gòu)  穩(wěn)壓器  集成電路  LDO  

        亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)二

        • 3 仿真分析及具體設(shè)計(jì)結(jié)果  3.1 仿真分析  在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)中,一種常見(jiàn)的具體的ESD瞬態(tài)檢測(cè) ...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  VDD  VSSESD  

        亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)一

        • 1 引言  ESD(Electric Static Discharge)保護(hù)結(jié)構(gòu)的有效設(shè)計(jì)是CMOS集成電路可靠性設(shè)計(jì)的重要任務(wù)之一,其E ...
        • 關(guān)鍵字: CMOS  VDD  VSSESD  

        基于linlog技術(shù)擴(kuò)展傳感器動(dòng)態(tài)范圍的高速相機(jī)

        • 在photonfocuslinlog技術(shù)誕生之前,市面上常規(guī)工業(yè)相機(jī)的感光芯片(CCDorCMOS)的量子積分時(shí)間響應(yīng)都是線性的,...
        • 關(guān)鍵字: Linlog技術(shù)  CMOS  高速相機(jī)  

        Aptina宣布將推出高性能CMOS圖像傳感器

        • Aptina公司是為數(shù)不多的幾個(gè)非日系圖像傳感器制造商,之前就為尼康1系列產(chǎn)品制造過(guò)圖像傳感器。而本次推出新產(chǎn)品可能會(huì)使用在下一代的尼康1產(chǎn)品上,繼續(xù)保持在相應(yīng)速度以及拍攝效能上的優(yōu)勢(shì)。
        • 關(guān)鍵字: Aptina  傳感器  CMOS  

        Javelin功率放大器獲三星Galaxy S Duos采用

        • 全球首家高性能CMOS 3G功率放大器(PA)創(chuàng)新者Javelin Semiconductor日前宣布,三星電子公司具備雙卡(dual SIM)功能的全新Galaxy S Duos選用Javelin的功率放大器。Galaxy S Duos是采用Android的時(shí)尚型智能手機(jī),具備4英寸觸控屏幕、1 GHz處理器、500萬(wàn)像素相機(jī)、藍(lán)牙、GPS以及Wi-Fi等功能。
        • 關(guān)鍵字: Javelin  CMOS  3G  功率放大器  

        低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器的噪聲源(二)

        • 比較LDO噪聲指標(biāo)均方根噪聲用單一數(shù)值表示,因此它是用于比較不同LDO性能的一個(gè)有用指標(biāo)。然而,進(jìn)行比較的LDO的噪聲指標(biāo)必須是在相同的測(cè)試條件下測(cè)得。例如,在10 Hz至100 kHz范圍內(nèi),1.2 V輸出的ADP223均方根噪聲
        • 關(guān)鍵字: LDO  低壓差  調(diào)節(jié)器  噪聲源    

        低壓差(LDO)調(diào)節(jié)器的噪聲源

        • 為什么噪聲源很重要噪聲重要與否,取決于它對(duì)目標(biāo)電路工作的影響程度。例如,一個(gè)開(kāi)關(guān)電源在3 MHz時(shí)具有顯著的輸出電壓紋波,如果它為之供電的電路僅有幾Hz的帶寬,如溫度傳感器等,則該紋波可能不會(huì)產(chǎn)生任何影響。但
        • 關(guān)鍵字: LDO  低壓差  調(diào)節(jié)器  噪聲源    

        笙科電子:專(zhuān)注RF芯片迎接發(fā)展新機(jī)遇

        • 笙科電子(AMICCOM)自2005年11月作為聯(lián)笙電子的一個(gè)RF部門(mén)獨(dú)立出來(lái)之后,一直致力于專(zhuān)門(mén)從事CMOS制程的短距離無(wú)線通信RF芯片的研發(fā),借助管理層與技術(shù)團(tuán)隊(duì)在RF領(lǐng)域數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)和自有知識(shí)產(chǎn)權(quán),該公司為客戶(hù)提供高效、低成本和高集成度的RF前端IC產(chǎn)品。
        • 關(guān)鍵字: 笙科電子  RF  CMOS  201209  

        德州儀器推出低頻率下最低噪聲的LDO線性穩(wěn)壓器

        • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款可實(shí)現(xiàn)業(yè)界低頻率下最低噪聲的大電流超低噪聲低壓降 (LDO) 穩(wěn)壓器。該 1A TPS7A4700 LDO 線性穩(wěn)壓器在 10 Hz 至 100 kHz 帶寬下支持低于 4.17 uVrms 的輸出噪聲,無(wú)需昂貴的大量濾波便可實(shí)現(xiàn)各種高性能應(yīng)用,包括電信、工業(yè)、RF、醫(yī)療、航空以及軍事等。
        • 關(guān)鍵字: TI  穩(wěn)壓器  TPS7A4700  LDO  

        挑戰(zhàn)毫微安小電流測(cè)量技術(shù)

        • 幾千種應(yīng)用都需要測(cè)試小電流的電路,最常見(jiàn)的是測(cè)量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學(xué)應(yīng)用(如CT...
        • 關(guān)鍵字: 毫微安電流  電流測(cè)量  JFET  CMOS  
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