CAN和485都是工業通信中常用的現場總線，做好通信總線的隔離防護是產品可靠、穩定的重要前提。那么該如何做好通信總線的隔離防護呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線為什么要隔離？目前大多數產品對外通訊部分可總結為：MCU+收發器+外部總線，其中大多數常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發出的電平信號一般為5V或3.3V，為達到與總線連接和遠傳的目的，往往需要在MCU與總線間加收發器，它起到電平轉換的作用。采用總線通信方式必然涉及到外部通信走線，CAN和
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金升陽 CAN&485 總線隔離
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。 新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
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東芝 SiC MOSFET
CAN和485都是工業通信中常用的現場總線，做好通信總線的隔離防護是產品可靠、穩定的重要前提。那么該如何做好通信總線的隔離防護呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線為什么要隔離？目前大多數產品對外通訊部分可總結為：MCU+收發器+外部總線，其中大多數常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發出的電平信號一般為5V或3.3V，為達到與總線連接和遠傳的目的，往往需要在MCU與總線間加收發器，它起到電平轉換的作用。采用總線通信方式必然涉及到外部通信走線，CAN和
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金升陽 CAN
針對LED智能照明解決方案，Microchip 的MCU集成了獨立于內核的外設模塊來實現開關電源控制、邏輯控制和通信功能。相比于純模擬或ASIC實現方案，可顯著提升靈活性。本方案加入安森美NCV78343矩陣控制芯片，實現CAN/LIN通訊矩陣大燈方案。PIC16F1779可獨立控制多達四個LED通道，這是大多數現成LED驅動器控制器所不具備的一項獨特能力，特別適合組合式大燈/尾燈的設計。LED調光引擎由單片機中集成的模擬外設組成，通過MCC配置將這些模塊連接起來，構成四個獨立的LED調光驅動器。一旦配置
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Microchip SAC CAN Matrix Headlight PIC16F1779 NCV78343
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，昨天美國時間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數幾乎翻兩番。此擴張使安森美能完全控制其SiC制造供應鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶提供必要的供應保證，以滿足對基于SiC的方案迅速增長的需求。SiC對于提高電
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安森美 碳化硅工廠 SiC
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態下，第四
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UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU產品家族的新成員——RX660微控制器（MCU）產品群。新產品支持5V工作電壓，為暴露在高電磁干擾下的家用電器和工業設備提供卓越的噪聲容限。RX660作為瑞薩高端RX通用MCU產品中首個支持5V的器件，也是RX產品家族中首款內置CAN FD控制器的器件，可實現高速數據通信。全新RX660 MCU的高工作電壓可以省去目前許多3V MCU所需的外部噪聲抑制元件，讓用戶能夠減少開發時間與元件成本，提高系統質量。近年來，由于功能安
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瑞薩電子 32位 MCU CAN FD
Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
由于 SiC 具有更快的開關速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統尺寸和成本。光伏發電和大規模儲能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠的發展路向。隨著電動車采用率的增加，充電樁將大規模部署，另外，SiC 最終還將成為電動車主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
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202207 安森美 SiC
受訪人：安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？ 氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應用極限，開關速度更快，導通電阻更低，損耗更小，能效更高。 GaN的開關頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
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安森美 SiC
受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統工程營銷組的應用經理，負責工業和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？
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TI 第三代半導體 GaN SiC
為進一步提升電動車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續推出了多款搭載相應產品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅系統中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅系統中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場主要由歐美IDM大廠掌控，關鍵供貨
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TrendForce SiC 功率組件
SEMIKRON和半導體制造商ROHM在開發碳化硅（SiC）功率模塊方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用于SEMIKRON車規級功率模塊「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國公司社長 Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國一家大型汽車制造商簽
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ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊
賽米控（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發碳化硅（SiC）功率模塊方面已經開展了十多年的合作。合作儀式剪影：賽米控CEO兼CTO? Karl-Heinz Gaubatz先生（左）羅姆德國公司社長?Wolfram Harnack（中）賽米控CSO Peter Sontheimer先生（右） 此次，羅姆的第4代SiC MOSFET正式被用于賽米控的車規級功率模塊“eMPack?”，開啟了雙方合作的新征程。此外，賽米控宣布已與德國一家大型汽車制造商簽署
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羅姆 碳化硅 SiC 無線寬帶
使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發展，直至最新一代產品，并將其性能與替代技術進行了比較。白皮書當然，接近完美的電子開關已經存在很長一段時間了，但是我們這里要談的不是機械開關。現代功率轉換依賴的是半導體開關，它們最好在打開時沒有電阻，在關閉時電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅動下以任意快的速度在開關狀態間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
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UnitedSiC SiC
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