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        can sic 文章 最新資訊

        連接與電源:新Qorvo為行業提供更全面的解決方案

        • 3月下旬,全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動,Qorvo旨在向業內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯網和汽車等領域的最新進展。Matter出世,化解萬物互聯生態壁壘物聯網讓我們曾經暢想的萬物互聯生活逐漸成為現實,但要將數以百億計的設備進行有效的互聯還面臨巨大壁壘,Matter 標準的出現打破了這個局面。作為Matter的積極參與者,Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
        • 關鍵字: Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  

        SiC功率半導體市場分析;廠商談IGBT大缺貨

        • 根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析,隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元,年成長41.4%。與此同時,受惠于下游應用市場的強勁需求,TrendForce集邦咨詢預期,至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元,其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規模預估2022年全球車用MCU市場規模達82
        • 關鍵字: SiC  功率半導體  IGBT  美光  

        GaN 出擊

        • 自上世紀五十年代以來,以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發了以集成電路為核心的微電子領域迅速發展。隨著時間的流逝,盡管目前業內仍然以 Si 材料作為主流半導體材料,但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)受到大眾關注。近段時間,GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業快速發展3 月 2 日,英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems,交易總值 8.3 億美元(約 57.3 億人民幣)。根據公告,英飛凌計劃
        • 關鍵字: GaN  SiC  

        ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列

        • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
        • 關鍵字: ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業設備功率模塊   

        OBC充電器中的SiC FET封裝小巧,功能強大

        • EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時,可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域,碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優勢。UnitedSiC(如今為 Qorvo)SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯結構,其效率高于 IGBT,且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過,這不僅關乎轉換系統的整體損耗。對于 EV 車主來說,成本、尺寸和
        • 關鍵字: Qorvo  OBC  SiC  

        英飛凌持續賦能數字化和低碳化,多維度推動社會永續發展

        • 日前,英飛凌科技大中華區在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區總裁、英飛凌科技大中華區電源與傳感系統事業部負責人潘大偉率大中華區諸多高管出席,分享公司在過去一個財年所取得的驕人業績,同時探討數字化、低碳化行業發展趨勢,并全面介紹英飛凌前瞻性的業務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元,利潤達到33.78億歐元,利潤率為23.8%,均創下歷史新高。其中,大中華區在英飛凌全球總營收中的占比高達37%,繼續保持英飛凌全球最大區域市場的地位,為公司全球業務的發展提供
        • 關鍵字: 英飛凌  數字化  低碳化  SiC  

        Qorvo? 發布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

        • 中國 北京,2023 年 3 月 21 日 —— 全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? (納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術,其高性能具體表現在:750V SiC FET 擁有全球最低的5.4 (mΩ) 的導通阻抗。這也是 Qorvo 公司 750V SiC FETs 產品 TOLL 封裝系列中的首發產品,其導通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于空間極其有限的應用場景,如從幾百瓦到千萬瓦的交流 / 直流電源以及高達
        • 關鍵字: Qorvo  750V  SiC FETs  

        SiC融資火熱!今年以來超20家獲融資,金額超23億

        • 第三代半導體包括碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN),整體產值又以SiC占80%為重。據TrendForce集邦咨詢研究統計,隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化,將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元,年成長41.4%。△Source:TrendForce集邦咨詢今年以來,SiC領域屢受資本青睞,融資不斷。截至今日,已有20家SiC相關企業宣布獲得融資,融資金額超23億。融資企業包括天科合達、天域半導體、瞻芯電子、派恩杰等領先企業。天科合達天科合達完成了Pre-IPO輪融
        • 關鍵字: SiC  融資  

        是時候從Si切換到SiC了嗎?

        • 在過去的幾年里,碳化硅(SiC)開關器件,特別是SiC MOSFET,已經從一個研究課題演變成一個重要的商業化產品。最初是在光伏(PV)逆變器和電池電動車(BEV)驅動系統中采用,但現在,越來越多的應用正在被解鎖。在使用電力電子器件的設備和系統設計中都必須評估SiC在系統中可能的潛力,以及利用這一潛力的最佳策略是什么。那么,你從哪里開始呢?工程師老前輩可能還記得雙極晶體管在SMPS中被MOSFET取代的速度有多快,或者IGBT模塊將雙極達林頓晶體管模塊踢出逆變器的速度有多快。電力電子的驅動力一直是降低損耗
        • 關鍵字: 英飛凌  SiC  

        滿足 CAN 收發器的抗擾度要求

        • 電動機、開關轉換器、大電流驅動級和振蕩器屬于噪聲注入器類型,可以在電源線上引入紋波。導航和互聯網子系統等通信模塊以及外部干擾也會增加噪聲,這些噪聲可以傳導或耦合到敏感的電子設備上,并有可能破壞它們的行為。在此背景下,CAN收發器仍有望成功交換數據;為此,它們必須具有很強的抗噪能力。三十多年來,控制器區域網絡 (CAN) 收發器作為通信主干一直存在于汽車中。在此期間,電子芯片的數量以及收發器的整體復雜性穩步增加。因此,多個電子子系統必須近距離共存,并在惡劣條件下完美運行。這對組件可以產生的噪聲量(發射)以及
        • 關鍵字: CAN  

        如何使用正確的示波器簡化 CAN 總線網絡測試

        • 車載網絡 (IVN) 能夠讓微控制器和發動機控制單元 (ECU) 處理器與傳感器、執行器、指示器、顯示器之間實現相互通信。控制器區域網絡 (CAN) 總線便是經典的 IVN 之一。CAN 問世至已有近三十年,并且仍在繼續發展。車載網絡 (IVN) 能夠讓微控制器和發動機控制單元 (ECU) 處理器與傳感器、執行器、指示器、顯示器之間實現相互通信。控制器區域網絡 (CAN) 總線便是經典的 IVN 之一。CAN 問世至已有近三十年,并且仍在繼續發展。正如 ISO11898 標準中描述的那
        • 關鍵字: CAN  

        碳化硅MOSFET加速應用于光伏領域 增量市場需求望爆發

        • 據報道,近年來,光伏逆變器制造商采用SiC MOSFET的速度越來越快。最近,又有兩家廠商在逆變器中采用了SiC MOSFET。1月30日,德國KATEK集團宣布,其Steca太陽能逆變器coolcept fleX系列已采用納微半導體的GeneSiC系列功率半導體,以提高效率,同時減少尺寸、重量和成本。GeneSiC功率器件是基于溝槽輔助平面柵極SiC MOSFET技術,可以在高溫和高速下運行,壽命最多可延長3倍,適用于大功率和快速上市的應用。1月13日,美國制造商Brek Electronics開發了采
        • 關鍵字: SiC MOSFET  

        如何根據額定電壓為RS-232、RS-485和CAN選擇TVS二極管

        • 在許多工業和汽車應用中,保護接口收發器免受各種電過應力事件的影響是一個主要問題。瞬態電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途,因為它們可以通過生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。TVS 二極管的電氣特性由幾個工藝因素決定。這些參數與 TVS 電壓、電流和額定功率相關,具有多種多樣的數值,以適應各種應用。但通過查看元件數據表,就會發現選型并不簡單。在本文中,我將討論電壓參數并展示哪種 TVS 二極管適用于 RS-232、RS-485 和控制器局域網 (CAN) 應用。當然,峰值脈沖功率耗散和峰值脈沖電流也
        • 關鍵字: TI  CAN  二極管  

        SiC市場產值 今年估增4成

        • 根據市調統計,隨著安森美(onsemi)、英飛凌(Infineon)等與汽車、能源業者合作案明朗化,將推動2023年整體碳化硅(SiC)功率組件市場產值達22.8億美元、年成長41.4%。 主要成長原因在于SiC適合高壓、大電流的應用場景,能進一步提升電動車與再生能源設備系統效率。集邦表示,SiC功率組件的前兩大應用為電動車與再生能源領域,分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元,占整體SiC功率組件市場產值約67.4%和13.1%。車用方面,安森美與大眾汽車簽屬戰略協議,另外該系列產品亦被起亞
        • 關鍵字: SiC  

        市場規模節節攀升,第三代半導體成收購的熱門賽道

        • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發展著,而“圍墻”之外的企業亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產重組重新恢復審核,其對第三代半導體業務的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發布了《發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據該修訂稿,中瓷電子擬以發行股份的方式,購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業務資產及負債、國聯萬眾94.6029%股權。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業務。2023年3月2
        • 關鍵字: 第三代半導體  收購  SiC  GaN  
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