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        arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 最新資訊

        東芝推出采用19納米第二代工藝技術的新型嵌入式NAND閃存模塊

        • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標準,旨在應用于智能手機、平板電腦和數字攝像機等廣泛的數字消費品。批量生產將從11月底開始。
        • 關鍵字: 東芝  嵌入式  NAND  

        基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統中的應用

        • 摘要: NAND Flash應用的困難在于管理和需要特殊的系統接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結合I/O口來實現NAND Flash存儲結構的搭建和管理的方法,并介紹底層的驅動程序。
        • 關鍵字: Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  

        Marvell擴大固態硬盤控制器在全球領先OEM中的市場份額

        • 全球整合式芯片解決方案的領導廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達克代碼:MRVL)日前宣布,其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續加速實現全球消費者和企業的“美滿互聯生活(Connected Lifestyle)”。當前,Marvell擁有豐富的端到端存儲、網絡、計算、移動和聯網解決方案,在行業中占據著獨一無二的領導地位。
        • 關鍵字: Marvell  固態硬盤  NAND  

        可管理NAND:適用于移動設備的嵌入式大容量存儲

        • 與多年前相比,現在的移動消費電子裝置結構復雜,功能豐富,能夠存儲大量音樂、照片和視頻內容。讓人欣慰的是,存儲...
        • 關鍵字: NAND    移動設備    大容量存儲  

        10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲

        •   市調機構集邦科技預期,第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩,10月合約價看漲。   集邦科技表示,海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發生火災意外,不僅帶動動態隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲,同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。   集邦科技指出,盡管NANDFlash市場銷售并無好轉跡象,不過,海力士無錫廠復工情況依然混沌不明,NANDFlash供給將連帶受到影響,預期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。   集邦預期,近期1至2個月
        • 關鍵字: 快閃存儲器  NAND  

        用DNW通過USB燒uboot到nand

        • 燒寫前提:已經把FS2410開發板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
        • 關鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

        采取多元化戰略,加強在華合作

        • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業務的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協議。可見,Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰略如何?
        • 關鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

        三星宣布量產全球首個3D垂直閃存V-NAND

        •   三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理器、內存什么的都要堆起來。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部采用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
        • 關鍵字: 三星  V-NAND  

        半導體廠擴產 力成進補

        •   不讓韓國三星專美于前,日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導入最新16至17納米制程,使總產能提升20%,明年4月量產,為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。   這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。   研究機構統計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
        • 關鍵字: 半導體  NAND  

        NAND閃存第一季度意外出現短缺

        • 據IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告,今年第一季度中國低端智能手機的需求大增,讓內存供應商措手不及,刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現供應短缺。
        • 關鍵字: IHS  NAND  

        第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級本與PC平板領域

        • 據IHS公司的存儲市場追蹤報告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動了固態硬盤(SSD)的發展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
        • 關鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  

        芯片制造設備行業2014年前景看好

        •   據國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現的規律。周一從芯片行業展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是,盡管對芯片產業2013年增長的預期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導體設備暨材料協會)預計,2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測,2014年芯片制造設備營收將猛增21%。   當然,SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前,SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
        • 關鍵字: 芯片制造  NAND  

        2013年:芯片制造業陷入低谷 明年會變好

        •   根據國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業將出現衰退,預計芯片制造設備的全年營收下降2%,而此前SEMI曾經預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。   這次衰退預計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經落空。實際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩定,主要是因為消費類電子產品對芯片需求量大,三家企業處于難以撼動的統治地位。   不過SEMI依然對2014年的發展
        • 關鍵字: 芯片制造  NAND  

        中國廠商成全球芯片行業增長新引擎

        •   導語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機市場的需求趨于飽和,曾經推動芯片行業發展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯想等中國移動廠商的強勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動   隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機市場
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        內存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業賺錢了

        •   7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機需求增長,由于中國移動設備商的出現,東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運,開始收獲金錢了。   在高端產品領域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設備渴望裝上更大的內存,也會刺激內存銷售的增長。   兩種趨勢之下,加上2011年以來內存商縮減投資,DRAM(動態隨機訪問存儲器)和NAND內存芯片價格已經開始回升,在廠商面前,內存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
        • 關鍵字: 內存芯片  NAND  
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