存儲技術未來會是什么樣的選擇方向和創新的趨勢呢？NRAM原理大揭秘在固態硬盤問世之初，外界對其穩定性曾經有過嚴重的擔憂。經過證明，固態硬盤的穩定性要比我們所想的更高，壽命基本可以達到10年以上。
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NRAM 存儲
富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達到FRAM產品最高水平，運作溫度最高可達125℃。目前可為客戶提供評測版樣品。這款全新FRAM是非易失性內存產品，在125℃高溫環境下可以達到10兆次讀/寫次數，工作電流低，是工業機器人和高級駕駛輔助系統（ADAS）等汽車應用的最佳選擇。FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，并已量產20多年，近年來廣泛用于可穿戴設備、工業機器人和無人機。自去年發布以來，2Mbit FRAM M
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FRAM DFN ADAS
隨著新能源汽車產業和自動駕駛技術的推廣，汽車半導體市場正迎來黃金發展時期。有資料顯示，對于 L1 到 L5 等級的自動駕駛而言，在 L1 時自動駕駛的半導體成本只有約 150 美金，到 L3 等級提升至 600 美金，上升到 L4、L5 等級，整車的半導體成本將會達到 1200 美金。而這個快速增長的市場中，存儲產品和技術并不為主流媒體關注。富士通電子元器件(上海)有限公司產品管理部總監馮逸新也在近日的一次活動中表示：“隨著新基建的部署，充電樁的普及將快速促進新能源汽車的普及，無論是樁側還是車側，未來都將
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FRAM VCU
富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產品能在高達攝氏125度的高溫下正常運作，其評測樣品（evaluation sample）現已開始供應。?此款FRAM非易失性內存在運作溫度范圍內能保證10兆次讀 / 寫次數，并支持實時記錄像駕駛數據或定位數據等，這類需要持續且頻繁的數據記錄。由于該內存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數據也能完整保留不會遺失。
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IC FRAM EEPROM SPI
富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業內最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開發，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 (EEPROM) 兼容的非揮發性內存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均
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FRAM EEPROM SOP
距離中國首次提出泛在電力物聯網的概念剛過去一年，通過升級電網基礎設施，以大數據、云計算、5G、邊緣計算等技術實現傳統電網向能源互聯網升級，將隨著承擔“拉動經濟”重任的“新基建”而加速，泛在電力物聯網在電力系統基礎建設中的重要性不言而喻。而作為電力網絡化數據采集的唯一設備，智能電表是用戶側泛在電力物聯網的基礎，智能電表的技術創新可以說從根本上影響著泛在電力物聯網行業的發展。針對這波大規模的市場熱潮，富士通電子元器件(上海)有限公司產品管理部總監馮逸新近日在一次研討會上也表示：“智能表計作為富士通長期關注的重
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新基建 RFID NRAM
●? ?簡介●? ?FRAM的優勢●? ?產品列表●? ?FRAM產品陣列簡介FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲器的優勢。擅于進行高速寫入、具有長的耐久力和低功耗。富士通半導體提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外設的FRAM產品，目前4Kb至4Mb的產品也已量產。?富士通正在為客戶評估提供工程研發樣品或生產樣品。請確認我們的?FRAM產品陣列?，如果您想獲得樣品 ，請填寫“FRAM樣品/文
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FRAM SPI
FRAM（鐵電存儲器）具有像E2PROM一樣的非易失性的優勢 ，在沒有電源的情況下可以保存數據，用于數據存儲。FRAM具有兩個產品系列，串行接口（I2C，SPI）和并行接口產品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來代替，而采用并行I/F的產品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來代替。富士通半導體集團控制著FRAM的整個生產程序；在日本的芯片開發和量產及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產品的高質量和穩定供應。自從1999年開始，FRAM產品已經連續供應12年以上
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FRAM SPRAM
富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設接口（SPI）。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實現量產。這款全新FRAM產品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝圖2：應用實例（ADAS）FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優于EEPROM和閃存，已有對傳統非易失性內存
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ADAS FRAM
全球內存市場幾年前價格瘋漲對于IT產業業者大概仍然心有余悸！隨著這場“芯片戰爭”的硝煙而起的是，中國存儲行業海量投資的相關產線紛紛上馬，并預計在今年逐漸開花結果，即將可能形成中美韓三國爭霸的局面，存儲產業未來的風云變幻也將更加風譎云詭。特別是隨著5G部署落地、人工智能、大數據和物聯網的普及，數據存儲已經進入長期向上穩定增長的通道。根據預測，2023年人類數據的產生將會超過103個ZB(數據單位量級GB\TB\PB\EB\ZB)！?在存儲技術領域，低容量密度的嵌入式系統關鍵數據存儲一直似乎風平浪靜
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FRAM 存儲
過去十年，智能電表大范圍替代傳統電表的產業轉變，成為工業物聯網高速發展的一個縮影。中商產業研究院相關報告指出，預計2021年全球智能電表市場營收規模將達142.2億美元，與2016年的88.4億美元、2017年的97.2億美元相比，年均復合增長率約10%。而Navigant Research研究報告指出，中國在2018年第一季度持續引領全球智能電表市場，安裝量超過4.96億臺，占全球總量的68.4%，并正在向下一代智能電表發展。圖1：中商產業研究院預測2021年全球智能電表市場營收規模由此看來，中國智能電
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富士通 FRAM+NRAM 計量存儲技術
市場經濟下每一個技術領域的競爭都是一場叢林法則的生動演繹。隨著物聯網和大數據等新興應用的爆發增長，存儲器領域的叢林法則年年都在上演“生動”的故事。不過，在存儲領域卻有一種技術過著一種與“主流”無爭的日子，在嵌入式系統關鍵數據存儲領域默默耕耘二十年，憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨特特質，近年來在Kbit和Mbit級小規模數據存儲領域開始風生水起，在各種應用領域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲器FRAM?！ RAM的非易失性對于當時業界可以說是顛覆性的，存儲器的非易失性指在沒有上電的狀態
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富士通 FRAM
過去十年，隨著新能源汽車與自動駕駛的興起，汽車產業70%的創新來源于汽車電子技術及其產品的開發應用?！ C
Insights數據顯示，預計2018年汽車電子的銷售額將增長7.0%，2019年將增長6.3%，成為六大半導體目標市場中兩年來的最高增長率。值得注意的是，汽車特殊用途邏輯類別預計2018年增長29%，汽車應用專用模擬市場增長14%——作為備用攝像頭、盲點(車道偏離)探測器和其他“智能”系統被強制或以其他方式添加到更多車輛中。同時，存儲器在車輛中使用的新汽車系統解決方案的開發中越來越重要。
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富士通 FRAM
汽車系統的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統。為了確?？煽俊踩牟僮鳎總€子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關信息等重要數據，以作將來檢索用途?！ ∧壳笆袌錾现饕@幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
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MRAM FRAM
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