在前不久落下帷幕的深圳國際電子展現場，聚集了大量專業觀眾的富士通展臺格外亮眼，而引發這場圍觀的“黑科技”之一就是已“上天入地”的鐵電隨機存儲器(FRAM)。據富士通展臺工程師介紹，從要抗宇宙輻射的衛星裝置，到頗接地氣的無電池舒適智能家居設備，已處處可見這種先進非易失性嵌入式存儲技術的身影。除FRAM外，在本次展會上富士通還展示了繼電器Relay、設計可追溯管理工具SQTRACER等領先技術。
圖1：深圳電子展富士通展臺。
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富士通 FRAM
對于很多人來說，第一次接觸能量采集可能是在早期使用太陽能便攜式計算器的時候，雖然如今這種類型的計算器已不再是主流，但是它所使用的技術和理念仍然應用于我們的日常生活中。目前，我們在許多的應用中都能看到能量采集的身影，例如傳感器節點、風力渦輪機和室內供能應用等。不過，即使對于這項技術的討論較之前已經有了很大的發展，當涉及到能量采集時，開發人員仍然面臨著與數十年前一樣的挑戰。
為了在不帶來負面影響的情況下產生出所需的能量，通常需要一塊物理尺寸很大的太陽能板和一套巨大的熱能采集裝置，或者是通過設備發出不
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MSP430 FRAM
前些年隨著一部輕喜劇的播出，“查水表”一詞已被引申為調侃之語了。而伴隨著智能化大潮的到來，這個曾與我們老百姓生活息息相關的詞在日常生活中也正與我們漸行漸遠，因為傳統三表已經實現了智能計量和無線數據采集、數據實時存儲和無線采集。作為其中的關鍵環節，數據存儲的低功耗和可靠性越來越受到關注。在不久前閉幕的智能水/氣計量產業鏈高峰論壇(WATER & GAS METERING China2016)上，富士通電子元器件(上海)有限公司亞太區市場部總經理王鈺針對三表數據存儲發表了專
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富士通 FRAM
4月15日消息，富士通電子元器件(上海)有限公司今天宣布，推出具業界最低運行功耗的64 Kbit FRAM—MB85RC64T樣品。 此FRAM產品采用I2C接口，能以最高3.4 MHz的頻率及1.8V至3.6V寬電源電壓運行。此外，其平均電流極低，以3.4 MHz運行時為170 μA;以1 MHz運行時則為80 μA。 除了具業界標準8引腳SOP(small outline package)之外，富士通還提
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富士通 FRAM
在計量儀表行業，水表/氣表目前仍是不同于電表的一個“藍海”市場，對成本的敏感度遠低于對功耗的敏感度，正是因為這一特點，使得FRAM這一無電池存儲技術在無論是通信單元(中繼)還是計量單元都得到越來越多的應用。 而在深圳最近舉辦的2015智能水/氣計量及管網執行力論壇(WATER&GAS METERING China2015)上，富士通半導體的展臺人頭攢動，業界對這一新型存儲技術的關注可見一斑，FRAM在電表領域的成功很快將延伸到一顆電池要用10-15年的水/氣表中，甚至有過
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富士通 FRAM
開車的朋友可能會有這樣的經歷，當您經過高速公里收費站時，您的交通收費卡在進站和出站時偶爾會無法讀取，原因是您的交通卡使用的頻率比較高，超過了它的讀寫次數。目前，這些交通卡大部分是采用內嵌EEPROM的RFID制作的，而如果將智能交通卡中的EEPROM換成FRAM，問題就迎刃而解了。
“采用FRAM 的RFID的讀寫次數可以達到1012，而采用EEPROM 的RFID的讀寫次數最多只有一百萬次，這就是為何高速收費處偶爾會出現數據讀不出的問題。”富士通半導體(上海)有限公司市
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FRAM RFID
富士通半導體臺灣分公司宣布成功開發及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場是目
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富士通 FRAM
富士通半導體臺灣分公司宣布成功開發及推出1Mb FRAM(鐵電隨機存取記憶體)的MB85RS1MT元件，并采用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝(WL-CSP)制程。全新的WL-CSP制程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP封裝的23%，而厚度也約其五分之一，實現將擁有序列周邊介面SPI的1Mb FRAM成為最小尺寸的FRAM元件。
WL-CSP FRAM為穿戴式裝置的理想記憶體元件，除了可讓終端應用產品的整體積變小外，更可讓FRAM在寫入資料時將功耗降至最低，并提供更持久的電池續航力。
穿戴式市場是目
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富士通 FRAM
固態硬盤(Solid State Drives)是用固態電子存儲芯片陣列而制成的硬盤，由控制單元和存儲單元組成。雖然成本較高，但也正在逐漸普及到 DIY 市場。存儲器廠商只需購買 NAND 存儲器，再配合適當的控制芯片，就可以制造固態硬盤。SSD 固態硬盤具有傳統機械硬盤不具備的快速讀寫、質量輕、能耗低以及體積小等特點，因此被廣泛應用于軍事、車載、工控、視頻監控、網絡監控、網絡終端、電力、醫療、航空、導航設備等領域。
正如前文提到的，廠商只需要 NAND 存儲器加上控
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NRAM SSD
美國記憶體技術開發商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經準備好取代企業應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。
Nantero已經向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發;該公司執行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈
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NRAM，CMOS
引言：
FRAM存儲器可為可穿戴電子產品帶來低功耗、小尺寸、高耐用性與低成本。
正文：
鐵電RAM(FRAM)存儲器廣泛應用于工業控制系統、工業自動化、關鍵任務空間應用、高可靠軍事以及各種汽車應用。使FRAM適用于這些應用的特征也使之成了可穿戴應用的可行技術，因為FRAM技術與生俱來的附加屬性包括低功耗與高耐用性。
電子可穿戴設計的一個主要注意事項是在提升可靠性的同時降低總體功耗。設計人員必須在增加功能的同時降低系統功耗，以便延長電池使用壽命。與此同時，嵌入式軟件的大小和復雜性
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FRAM 存儲器
為了解決困擾工程師們數十年的設計難題，德州儀器 (TI) (NASDAQ: TXN) 日前宣布推出具有革命性的Compute Through Power Loss (CTPL)技術，以在包括全新MSP430FR6972 MCU的整個MSP430TM FRAM微控制器 (MCU) 產品系列中實現數據存儲與恢復。這項正在申請專利的技術能夠在應用程序意外斷電后通過智能系統狀態恢復實現瞬時喚醒。此外，具有TI CTPL技術的全新MSP430FR6972 MCU包含了集成的智能模擬和數字外設，用于減少系統成本、
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德州儀器 FRAM
鐵電記憶體(FRAM，或FeRAM)在1990年代中期被認為將成為主流技術，但至今仍與其他眾多新記憶體技術一樣，并沒有如預期般迅速崛起。FRAM的內部運作原理類似DRAM，有媲美SRAM的高速度以及如同快閃記憶體的非揮發性;在1980年代首個成功的FRAM電路問世，其通用功能就被認為可以在許多應用中取代DRAM、SRAM與EEPROM。
“那樣的情況就是沒有發生，”半導體產業分析師Jim Handy (來自Objective Analysis)在Cypress收購FRAM
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FRAM
“有了金剛鉆，敢攬瓷器活”，當物聯網(IoT)、智能汽車、高清視頻等熱門應用載著滿滿的財 富襲來之時，半導體廠商是否有足夠先進的技術以應對呢?尤其是在需要高性能的細分市場，對于半導體廠商的要求更高。例如，物聯網需要小型、低功耗、高可靠 的存儲器解決方案，智能汽車需要先進的圖形顯示控制器以實現ADAS功能，而實時4K則需要H.265編碼能力。
在本屆慕尼黑上海電子展上，相關廠商展示的幾項“低調奢華有內涵”的相關技術方案引起了 筆者的關注：高可靠FRA
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