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Arteris推出升級版Multi-Die 解決方案，加速AI驅(qū)動芯片創(chuàng)新
- 加利福尼亞州坎貝爾—2025 年 6 月 17 日—在人工智能計算需求重塑市場格局之際，致力于加速系統(tǒng)級芯片 (SoC) 開發(fā)的領(lǐng)先系統(tǒng) IP 提供商 Arteris 公司（納斯達克股票代碼：AIP）今天宣布擴展其 Multi-Die 解決方案，為基于芯粒的快速創(chuàng)新提供基礎(chǔ)性技術(shù)支撐。?Arteris 總裁兼首席執(zhí)行官 K. Charles Janac 表示：“在芯粒時代，傳統(tǒng)單片式芯片設(shè)計已越來越難以滿足日益增長的計算需求。Arteris正通過基于行業(yè)標準、經(jīng)過硅驗證的自動化解決方案，引領(lǐng)行業(yè)
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Arrow Lake Die Shot展示了Intel 基于chiplet的設(shè)計細節(jié)
- 英特爾 Arrow Lake 架構(gòu)的模具照片已經(jīng)發(fā)布，展示了英特爾注入小芯片（tile）的設(shè)計的所有榮耀。X 上的 Andreas Schiling 分享了幾張 Arrow Lake 的近距離圖片，揭示了 Arrow Lake 各個圖塊的布局和計算圖塊內(nèi)內(nèi)核的布局。第一張照片展示了英特爾臺式機酷睿 Ultra 200S 系列 CPU 的完整芯片，計算圖塊位于左上角，IO 圖塊位于底部，SoC 圖塊和 GPU 圖塊位于右側(cè)。左下角和右上角是兩個填充模具，旨在提供結(jié)構(gòu)剛度。計算芯片在 TS
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三星宣布新層疊封裝技術(shù) 8層僅厚0.6mm
- 三星公司今天宣布，該公司已經(jīng)成功開發(fā)出了全球最薄的Multi-die堆疊封裝技術(shù)，將8顆閃存晶片(Die)層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，厚度僅為0.6mm，比目前常見的8層封裝技術(shù)厚度降低一半。三星的這項技術(shù)最初是為32GB閃存顆粒設(shè)計的，將8顆30nm工藝32Gb NAND閃存核心層疊封裝在一顆芯片內(nèi)，每層晶片的實際厚度僅為15微米，最終封裝完成的芯片才實現(xiàn)了0.6mm的厚度。據(jù)稱這樣的超薄大容量閃存芯片可 以讓手機和移動設(shè)備設(shè)計者在存儲模塊上節(jié)省40%的空間和重量。 三星稱，這項層疊封裝新技術(shù)的關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字： 三星 封裝 Multi-die
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