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全局快門CMOS傳感器選型指南：從分辨率到HDR的終極考量
- 在高速視覺應(yīng)用的競技場中，全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關(guān)鍵角色。當設(shè)計需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時，僅僅關(guān)注分辨率或幀率遠遠不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機制——直接決定了能否無失真地“凍結(jié)”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢，并權(quán)衡光學格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)（SNR）、像素架構(gòu)，乃至功耗、接口、HDR處理能力等綜合特性，是選擇真正匹配高速需求的圖像傳感器的必經(jīng)之路。為了幫助篩選這些規(guī)格和功能，一個重要的考慮因素是傳感器的預期應(yīng)用。某些應(yīng)用需要非常高的分辨率來捕捉靜止物體，而另一些應(yīng)用
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這一領(lǐng)域芯片，重度依賴臺積電
- 英特爾和三星正在研發(fā)先進的制程節(jié)點和先進的封裝技術(shù)，但目前所有大型廠商都已 100% 依賴臺積電。大型語言模型（例如 ChatGPT 等 LLM）正在推動數(shù)據(jù)中心 AI 容量和性能的快速擴展。更強大的 LLM 模型推動了需求，并需要更多的計算能力。AI 數(shù)據(jù)中心需要 GPU/AI 加速器、交換機、CPU、存儲和 DRAM。目前，大約一半的半導體用于 AI 數(shù)據(jù)中心。到 2030 年，這一比例將會更高。臺積電在 AI 數(shù)據(jù)中心邏輯半導體領(lǐng)域幾乎占據(jù) 100% 的市場份額。臺積電生產(chǎn)：Nv
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2D CMOS，下一個飛躍
- 二維材料憑借其原子級厚度和高載流子遷移率，提供了一種極具前景的替代方案。
- 關(guān)鍵字： CMOS
激光雷達掃壞CMOS，難道汽車都要變成“光棱坦克”了？
- 激光雷達，對于汽車產(chǎn)業(yè)的重要性不言而喻，它是自動駕駛汽車感知周圍環(huán)境的關(guān)鍵傳感器之一。憑借其高精度的 360 度全方位掃描能力，激光雷達能夠?qū)崟r生成車輛周圍環(huán)境的精確三維地圖，精準檢測并追蹤其他車輛、行人、障礙物等，為自動駕駛決策系統(tǒng)提供精準且可靠的數(shù)據(jù)支持，是保障自動駕駛汽車安全行駛、實現(xiàn)智能駕駛功能落地的核心基石，正推動著汽車產(chǎn)業(yè)向著更智能、更安全的方向加速變革。但是在給車輛更安全的環(huán)境感知能力之時，各位讀者有沒有想過，這些越來越多激光雷達，會逐漸開始危害我們的財產(chǎn)安全，而首當其沖的就是手機
- 關(guān)鍵字： 激光雷達 CMOS 攝影 ADAS
CMOS可靠性測試：脈沖技術(shù)如何助力AI、5G、HPC？
- 在半導體領(lǐng)域，隨著技術(shù)的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術(shù)的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術(shù)在CMOS可靠性測試中的應(yīng)用，以及它如何助力這些新興技術(shù)的發(fā)展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應(yīng)力是傳統(tǒng)直流應(yīng)力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應(yīng)力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
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CMOS_Sensor國產(chǎn)替代到什么程度了？
- 攝像頭CMOS傳感器（CMOS Image Sensor, CIS）是成像設(shè)備的核心部件，廣泛應(yīng)用于智能手機、安防監(jiān)控、汽車電子、工業(yè)檢測等領(lǐng)域。以下是國內(nèi)外主流的CMOS傳感器廠家及其主要特點和代表性型號：從智能手機到自動駕駛，從安防監(jiān)控到工業(yè)檢測，CIS的身影無處不在。隨著技術(shù)不斷演進，CIS市場格局也在悄然變化。今天，我們就來一次全景掃描，盤點國內(nèi)外主流CMOS傳感器廠商，以及那些正在崛起的新興勢力。當年最缺芯片的時候，我別的不擔心，最擔心買不到索尼的Sensor，結(jié)果一開始我們用中國臺灣的可以替代
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 ISP
圖像傳感器選擇標準多？成像性能必須排第一
- 當涉及到技術(shù)創(chuàng)新時，圖像傳感器的選擇是設(shè)計和開發(fā)各種設(shè)備過程中一個至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，這些設(shè)備包括專業(yè)或家庭安防系統(tǒng)、機器人、條形碼掃描儀、工廠自動化、設(shè)備檢測、汽車等。選擇最合適的圖像傳感器需要對眾多標準進行復雜的評估，每個標準都會影響最終產(chǎn)品的性能和功能。從光學格式和、動態(tài)范圍到色彩濾波陣列（CFA）、像素類型、功耗和特性集成，這些標準的考慮因素多種多樣，錯綜復雜。在各類半導體器件中，圖像傳感器可以說是最復雜的。這些傳感器將光子轉(zhuǎn)換為電信號，通過一系列微透鏡、CFA、像素和模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）產(chǎn)生數(shù)字輸出
- 關(guān)鍵字： 圖像傳感器 CMOS 成像性能
復旦大學在Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的探索
- 異質(zhì)異構(gòu)Chiplet正成為后摩爾時代AI海量數(shù)據(jù)處理的重要技術(shù)路線之一，正引起整個半導體行業(yè)的廣泛關(guān)注，但這種方法要真正實現(xiàn)商業(yè)化，仍有賴于通用標準協(xié)議、3D建模技術(shù)和方法等。然而，以拓展摩爾定律為標注的模擬類比芯片技術(shù)，在非尺寸依賴追求應(yīng)用多樣性、多功能特點的現(xiàn)實需求，正在推動不同半導體材料的異質(zhì)集成研究。為此，復旦大學微電子學院張衛(wèi)教授、江南大學集成電路學院黃偉教授合作開展了Si CMOS+GaN單片異質(zhì)集成的創(chuàng)新研究，并在近期國內(nèi)重要會議上進行報道。復旦大學微電子學院研究生杜文張、何漢釗、范文琪等
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安森美 AR0823AT Hyperlux CMOS Digital Image Sensor
- onsemi AR0823AT 是一款 1/1.8 英寸的 CMOS 數(shù)位影像感測器，擁有 3840 H x 2160 V 的有效像素陣列。這款先進的汽車用感測器能以高動態(tài)范圍 (HDR) 并結(jié)合 LED 閃爍抑制 (LFM) 捕捉影像。AR0823AT 可在每一幀中同時捕捉低光與極高亮度的場景，其 2.1 μm 超級曝光像素能實現(xiàn)高達 150 dB 的動態(tài)范圍，而無需進行自動曝光調(diào)整。這顯著降低了場景依賴的汽車關(guān)鍵系統(tǒng)的延遲，實現(xiàn)更快速且更安全的數(shù)據(jù)收集與決策。AR0823AT 的雙輸出
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國產(chǎn)無反相機產(chǎn)業(yè)鏈初現(xiàn)
- 根據(jù)相機及影像產(chǎn)品協(xié)會（CIPA）公布的數(shù)據(jù)，2024 年 1 月至 5 月，中國市場相機出貨量全球占比達到 23.4%，躍居繼美洲之后的全球第二大市場。在智能手機沖擊下曾一度遇冷的相機市場，如今因直播電商、短視頻等新興產(chǎn)業(yè)的崛起而重新煥發(fā)生機。產(chǎn)品創(chuàng)新與流量經(jīng)濟的交織，正在為傳統(tǒng)行業(yè)打開一條全新的消費路徑。日本佳能副社長、執(zhí)行董事小澤秀樹也表示，2023 年中國數(shù)碼相機市場實現(xiàn)了 25% 的增長，其中無反相機更是增長了 31%，預計 2024 年這一增長勢頭將持續(xù)，無反相機的增長有望達到 35%。隨著近
- 關(guān)鍵字： 無反相機 CMOS 傳感器
打破索尼壟斷！晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產(chǎn)：業(yè)內(nèi)首顆
- 8月19日消息，今日，晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅（2.77英寸）CMOS圖像傳感器（以下簡稱CIS），為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解，晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺，與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示，首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn)，既標志著光刻拼接技術(shù)在
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業(yè)內(nèi)首顆！國產(chǎn) 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)
- 8 月 19 日消息，晶合集成今日官宣，該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅（2.77 英寸）CIS（CMOS 圖像傳感器），為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。▲ 產(chǎn)品圖，圖源晶合集成，下同據(jù)介紹，為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求，高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺，攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù)，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難，成功突破了在單個芯片尺寸上，所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限，同時確保在納米級的制造工藝中，拼接后的芯片依
- 關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器 CIS
使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管
- 為特定CMOS工藝節(jié)點設(shè)計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
- 關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型
CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真
- 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時，由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗：動態(tài)，當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài)，由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反，本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真，以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當輸出電壓變化時，由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
- 關(guān)鍵字： CMOS，反相器，功耗 仿真，LTspice
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