- 英特爾周四表示，公司計劃在未來三個月發(fā)布基于Westmere微架構的新一代至強服務器芯片。
英特爾首席執(zhí)行官保羅·歐德寧(Paul Otellini)在財報電話會議上稱，為將芯片產(chǎn)品提升至32納米工藝，公司計劃對至強服務器芯片系列進行更新。歐德寧指出，英特爾上周針對筆記本和臺 式機發(fā)布了基于Westmere架構的芯片，而基于Westmere架構的新一代至強服務器芯片也將推出。
英特爾在去年三月推出了基于Nehalem架構的至強5500系列芯片和至強3500系列芯片，是其對服務
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英特爾 45納米 服務器芯片
- 按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預計在未來的十年內(nèi)中國的半導體設備與材料市場將增加一倍。
由假設的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進在未來十年中設備及材料的采購會大幅增加。
除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進口也大大促進了中國研發(fā)和工藝技術人材的需求迅速增加。
自1997年中國半導體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強調要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內(nèi)產(chǎn)出
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芯片制造 封裝測試 90納米 65納米 45納米
- 當DSP從過去的單核過渡到4核再到6核時，不只提供了更強的處理能力，同時也對人們在DSP上開展的研發(fā)工作提出了新的挑戰(zhàn)：第一是必須對以往的應用程序做更多的優(yōu)化工作;第二是開發(fā)工具要能深入到程序運行的各個細節(jié)，并對程序的運行情況進行監(jiān)控;第三是解決耗電和散熱等問題，核心的增多必然會造成耗電的上升。
飛思卡爾在最新一代的多核DSP上率先采用了45納米工藝，這使得飛思卡爾最近推出的6核DSP產(chǎn)品在功耗和性能上都達到了業(yè)界的最高水平，完全可以滿足4G應用的需求。作為業(yè)界第一個向市場推出商用6核DSP的廠
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飛思卡爾 45納米 DSP
- 臺灣科研機構今天宣布,開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來電子設備更輕薄.
臺“國研院”成功開發(fā)出16納米SRAM新組件,主要是創(chuàng)新3項關鍵技術,包括“納米噴印成像技術”、“320度低溫微波活化”及“N型鍺組件研究”;由于相較傳統(tǒng)微影光學成像技術,不需使用到光阻及光罩,預估也可省下每套新臺幣2億元的光罩費用.
該研究機構上午舉行&ldquo
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16納米 SRAM 45納米
- 張汝京微佝僂著背走進中芯花園的服務中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪他時相比，歲月的痕跡毫不留情地出現(xiàn)在他身上，按照他自己的話來說，“這幾年折舊很快”——這當然不止是指中芯國際晶圓廠的設備折舊。
過去17個季度中，中芯國際就有16個季度出現(xiàn)虧損，這很大程度上是因為每年高達8億美元的折舊，折舊占到他們銷售額的50%左右，早年一度還超過60%。
也正是因為這樣長達4年的虧損，張汝京常常被股東質疑。11月4日中芯國際敗訴停盤，11月
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中芯國際 65納米 45納米
- 英特爾公司今天宣布32納米芯片本周開始大批量生產(chǎn)，這一聲明標志著32納米技術芯片進入成熟實用階段，英特爾也借此穩(wěn)固其在半導體行業(yè)中的地位。
3年前，在其他公司研制65納米芯片的時候，英特爾就推出了45納米。今天，與仍然領先的45納米技術相比較，32納米的芯片不僅讓同樣面積的硅晶片上容下近2倍的晶體管，還大幅度提高了CPU的速度和減低功耗。用Adobe公司的Photoshop圖像處理軟件來進行性能測試，32納米比45納米速度快了28%。
從1071年英特爾推出第一個微處理器至今，這批32納米
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英特爾 32納米 45納米
- 據(jù)國外媒體報道，美國市場研究公司Mercury Research周二發(fā)布的報告顯示，英特爾第三季度的全球CPU市場份額達到81.5%，進一步拉大了對AMD的領先優(yōu)勢。
Mercury Research的報告顯示，在第三季度全球CPU市場的出貨量中，英特爾占據(jù)81.5%的份額，高于去年同期的81.2%，也高于第二季度的80.5%;AMD第三季度的份額約為17.8%，略高于去年的17.7%，但低于第二季度的18.5%;另外一家芯片廠商威盛的份額則由去年同期的1.1%下滑至0.7%。
Mercu
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英特爾 CPU 45納米 32納米
- 隨著聯(lián)電、中芯等競爭者45納米制程推展進程加快，晶圓代工龍頭臺積電決定擴大投資力道，全面拉開與競爭對手差距，臺積電計劃南、北開攻，啟動新竹、南科12寸晶圓廠全新擴產(chǎn)計畫，總投資額將上看60億美元，預計2010年下半起展開裝機。由于臺積電先進制程擴產(chǎn)及良率將成為2010年重點營運主軸，亦將牽動內(nèi)部人事異動，業(yè)界傳出負責先進制程營運的副總劉德音，極可能擢升為空缺許久的營運長(COO)。不過，臺積電26日并未證實上述說法。
半導體業(yè)者表示，中芯在上海技術論壇宣布45納米制程近日即將投產(chǎn)，加上聯(lián)電擴大布
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臺積電 45納米 晶圓代工
- 近期IBM大動作與大陸晶圓代工廠展開技術平臺合作，不僅與中芯國際攜手45納米先進制程，亦與無錫華潤上華結盟，針對主流制程0.18微米射頻CMOS制程技術及訂單合作。大陸半導體業(yè)者指出，IBM積極運用大陸當?shù)鼐A廠生產(chǎn)力，全力擴展大陸市場，未來IBM技術勢力可望在大陸深耕，并與臺積電勢力相抗衡。
大陸半導體業(yè)者表示，目前IBM對于向外技術授權采取更積極做法，尤其針對亟需要技術平臺奧援的大陸晶圓廠，IBM積極尋求合作機會，不僅對于技術授權相當開放，甚至不排除讓部分原本在IBM下單客戶，透過IBM轉至
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IBM 45納米 晶圓代工 CMOS
- Semico總裁Jim Feldhan在奧斯汀舉行的ISMI討論會上表示，明年半導體工業(yè)將有20%的高增長，因而設備制造商有望得到未來數(shù)年的好年景。
與在兩天會議中部分經(jīng)濟學家認為未來5年全球經(jīng)濟將是暗淡的看法大相徑庭，Jim Feldhan認為今年第四季度前景尚好，即使明年第一季是傳統(tǒng)的淡季，也能有驚奇的增長。所以工業(yè)將呈現(xiàn)V型復蘇，其中部分產(chǎn)品的市場相當搶眼。下圖為部分終端電子產(chǎn)品的增長趨勢;
Semico看到寬帶、無線及社會網(wǎng)絡將是未來IC消費的推動者。
如
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GlobalFoundries 15納米 32 45納米
- 今天宣布，中芯國際集成電路制造有限公司采用了 Cadence(R) Litho Physical Analyzer 與 Cadence Litho Electrical Analyzer，從而能夠更準確地預測壓力和光刻差異對65和45納米半導體設計性能的影響。Cadence Litho Electrical Analyzer -- 半導體行業(yè)第一個用于各大領先半導體公司從90到40納米生產(chǎn)中的DFM電氣解決方案 -- 與 Cadence Litho Physical Analyzer 結合，形成了一個
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中芯國際 65納米 45納米 Cadence
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體效應工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術。
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ARM 45納米 SOI
- 中芯國際集成電路制造有限公司于10月15日在北京舉行中芯國際2009年技術研討會，也是中芯國際舉辦的第九屆技術研討會。本次研討會吸引了三百多位來自全球各地的客戶、芯片設計工程師、技術合作伙伴與供應商等的參與。
“機遇 挑戰(zhàn) 創(chuàng)新”為本次研討會的主題。中芯國際副總裁陳秋峰博士在開幕致詞時，回顧了中芯國際在過去幾年中的挑戰(zhàn)與創(chuàng)新，重點介紹了中國市場的機遇，指出了中芯國際未來順應行業(yè)發(fā)展趨勢的發(fā)展方向。中芯國際感謝所有客戶、合作伙伴和供應商一直以來的大力支持，并期待未來以更緊密
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中芯國際 45納米 65納米 存儲器
- 中芯國際今天宣布其45納米的互補型金屬氧化物半導體 (CMOS) 技術將延伸至40納米以及55納米。
這些新工藝技術進一步豐富了中芯國際現(xiàn)有的技術能力，更好地滿足全球客戶的需求，包括快速增長的中國市場在內(nèi)。其應用產(chǎn)品包括多媒體產(chǎn)品、圖形芯片、芯片組以及手機設備(如3G/4G 手機)。
“中芯國際上海的12英寸廠已提前達標完成了45納米的技術工藝。我們也同樣期盼著這些附加的延伸技術能取得佳績。”張汝京博士 -- 中芯國際總裁兼首席執(zhí)行長表示，“這些新技術為
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中芯國際 CMOS 45納米 40納米 55納米
- ARM公司近日在于加州福斯特市舉行的IEEE SOI大會上發(fā)布了一款絕緣硅(silicon-on-insulator，SOI)45納米測試芯片的測試結果。結果表明，相較于采用傳統(tǒng)的體硅工藝(bulk process)進行芯片制造，該測試芯片顯示出最高可達40%的功耗節(jié)省的可能性。這一測試芯片是基于ARM1176™ 處理器，能夠在SOI和體效應微處理器實施之間進行直接的比較。此次發(fā)布的結果證實了在為高性能消費設備和移動應用設計低功耗處理器時，SOI是一項取代傳統(tǒng)體效應工藝的可行技術。
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ARM 45納米 測試芯片
45納米介紹
1906年，世界第一枚電子器件劃時代而生。此后百年間，隨著晶體管與集成電路的成功開發(fā)，人類開始步入速度驚人的芯片時代。
我們知道，能夠帶來突破性性能與尺寸的新體系結構，需要在更小的體積內(nèi)放入更多的晶體管數(shù)目，需要更高級的芯片制程工藝。
從第一顆處理器到90納米處理器，乃至65納米處理器都是如此。英特爾把這種以兩年為周期的芯片與微體系結構快速發(fā)展步調稱為“Tick-tock”戰(zhàn)略。當硅 [
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