YouTube上的科技頻道總不乏各種技術宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺智能手機打造成一臺3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發
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3D 全息投影儀 DIY
摘要：針對高速信號實時采集存儲的需求，設計了一種高速信號采集記錄儀。記錄儀通過高速A/D轉換器對信號進行采樣，并實時存入NAND FLASH存儲陣列中。為提高數據存儲速率，綜合采用并行總線、交錯雙平面頁編程、多級
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高速采樣 高速存儲 NANDFLASH
美光公司日前開始量產其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產品的連續讀取/寫入速度分別高達每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅動器(HDD)改善了90倍，據稱也更加耐用。
Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應用最具吸引力的選項，而且我們發現有越來越多的電腦設備開始利用SSD取代傳統HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認的
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美光 3D NAND
武漢東湖新技術開發區管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數據型閃存(3D NAND Flash)技術開發及產業化”項目可行性專家評審會，業內專家對
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3D NAND
三星最新的產品是一種面向企業級應用、高可靠的固態盤存儲--V-NAND固態盤。最新用于固態盤V-NAND技術帶來性能上的提升，節省電力消耗，并提高了急需
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三星 V-NAND 3D 固態盤
現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存儲技術
最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領先地位。
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3D NAND 三星
存儲器作為四大通用芯片之一，發展存儲芯片產業的意義不言而喻。對電子產品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數據、物聯網等新興產業的發展，存儲產業與信息安全等亦息息相關。
當前，我國筆記本、智能手機出貨量均居全球首位。華為、聯想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯網廠商帶動數據中心爆發，使得國產廠商對存儲需求量巨大。
相關數據顯示，2015年大陸DRAM采購規模估計為120億美元、NAND Flash采購規模為66.7億美元
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3D NAND DRAM
美光(Micron)3D NAND固態硬碟(SSD)產品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標準之產品。
美光移動事業行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產品，鎖定中、高階智能型手機市場，此區塊市場占全球智能型手機總數的50%。
而這也是業界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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中國正在下大力度推進存儲產業的發展，3D NAND被認為是一個有利的突破口。
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3D NAND 存儲器
目前3D NAND由三星電子獨家量產，但是先有東芝殺入敵營，如今美光也宣布研發出3D NAND，而且已經送樣，三星一家獨大的情況將畫下句點，3D NAND flash大戰即將開打!
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美光 3D NAND
據韓國經濟報導，大陸半導體產業在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業者也紛紛強化投資。
市調業者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發NAND Flash市場版圖變化。
清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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三星 3D NAND
東芝(Toshiba)統籌存儲器事業的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會上表示，將沖刺NAND Flash產量，目標在2018年度將NAND Flash產量擴增至2015年度的3倍水準(以容量換算)。
關于已在2016年度開始量產的3D結構NAND Flash，成毛康雄指出，將強化3D Flash的生產，目標在2017年度將3D產品占整體生產比重提高至5成、2018年度進一步提高至9成左右水準。
東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。
日經、韓國先驅報(
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東芝 3D NAND
Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業者陸續量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優勢。
三星已自2013年下半起陸續量產24層、32層
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