- 3D電影現在比比皆是，相必大家都不陌生了吧，但是你知道3D的原理嗎?不知道的話，就隨小編一起來學習一下吧~~~
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3d原理 3D
- 近日科學家為身在國際空間站或者執行火星任務的宇航員研發了一種虛擬現實3D帽舌。佩戴該帽舌的宇航員可以看到覆蓋在現實世界之上的虛擬圖像，后者能夠輔助宇航員獨自進行外科手術治療疾病。
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3D 太空手術 創新技術
- 加拿大皇后大學人類媒體實驗室研究員研發成功的“TeleHuman”3D全息投影設備，能將科幻片中經常出現的3D虛擬投影變成現實。這款設備開發本意就是用3D全息影像來代替現有的平面視頻會議.
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3D 全息投影技術 遠程醫療
- 介紹了一種基于FPGA的水聲信號數據采集與存儲系統的設計與實現，給出了系統的總體方案，并對各部分硬件和軟件的設計進行了詳細描述。系統以FPGA作為數據的控制處理核心，以存儲容量達2GB的大容量NAND型Flash作為存儲介質。該系統主要由數據采集模塊、數據存儲模塊和RS～232串行通信模塊組成，具有穩定可靠、體積小、功耗低、存儲容量大等特點，實驗證明該系統滿足設計要求。
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水聲信號數據采集 NANDFlash FPGA
- 三星系列的NAND FLASH芯片容量從8MB到256MB（最近聽說有1G容量的了），對于需要大容量數據存儲的嵌入式系統是一個很好的選擇，尤其是其接近1MB/元的高性價比，更是普通nor flash無法比擬的。本文以K9F2808U0C為例，采用AVR芯片連接，進行了初步的讀寫試驗，完成了芯片的ID讀出功能。
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IO模擬方式 NANDFlash
- 基于NAND Flash的嵌入式存儲系統以其輕巧便攜、讀寫速度快等特點成為當前嵌入式存儲系統的主流配置。但由于固有壞塊以及在擦、寫過程中隨機產生的壞塊影響了NAND Flash的實際應用，所設計的NAND Flash的驅動轉譯層具有壞塊管理機制并實現上層文件系統的連續讀寫功能。
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NANDFlash 壞塊管理 存儲系統 轉譯層
- 隨著移動互聯網的持續發展以及物聯網的高速增長，移動寬帶技術不斷向前演進。移動寬帶技術的發展刺激了MBB流量的激增。2014年上半年，全球移動用戶連 接數預計將達到70億，覆蓋全球96%以上的人口，其中3G和4G移動用戶連接數之和也將達到24億，占據全球總量的三分之一以上。這些數據表明MBB業 務正在快速增長。
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移動通信 天線技術 創新 3D-MIMO 波束智能賦型
- DIGITIMES Research觀察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過3DNAND Flash制程，無論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領域延伸的一項重要技術。
3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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摩爾定律 3D NAND
- 2016年全球前十大半導體業者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產業的營收成長2%，而前十大半導體業者的營收則成長2.3%，優于產業平均水平。以個別產品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規模也比2015年成長9.7%。
IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內存市場的營收規模可望再創新高，車用半導體市場的規模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產業的表現將出現穩健成長。
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DRAM NANDFlash
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 據海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業界人士預估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。
Chosun Biz日前引述業界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產所需設備及人力費用。
三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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三星 3D NAND
- 實驗目的：突破4KB的Steppingstone存儲空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實現“點燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。 實驗環境及說明：恒頤S3C2410開發板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB。 實驗思路：開發板上電啟動后，自動將NandFlash開始的4K數據復制到SRAM中，然后跳轉到0地址開始執行。然后初始化存儲控制器SDRAM，調用NandFlash讀函數操作
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ARM NandFlash
- 容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統硬盤市場的規模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容量SSD將成為各式系統設備及消費者的優先選擇。
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3D NAND SSD
- 3D并不是什么新技術，在消費電子領域已有廣泛的應用，但在汽車應用中卻處于起步階段，仍需要相關技術和解決方案有所突破。以汽車安全駕駛應用為
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車載 3D 安全駕駛
3d-nandflash介紹
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