3d-nand 文章最新資訊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠商只花了6年

近日，有消息稱，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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美光針對(duì)數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載設(shè)計(jì)的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗(yàn)的第 11 代 SATA 架構(gòu)，支持廣范的應(yīng)用場(chǎng)景，提供相比傳統(tǒng)機(jī)械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長(zhǎng)了 SATA 平臺(tái)的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲(chǔ)產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健ｎA(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問題之前，我
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SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

“獨(dú)立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運(yùn)營(yíng)，以創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級(jí)SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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NVIDIA透過人工智能將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項(xiàng)稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預(yù)估光線在真實(shí)世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái)，用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過單個(gè)器件測(cè)試角度測(cè)量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
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針對(duì)勒索軟件與網(wǎng)絡(luò)攻擊 IBM打造新一代儲(chǔ)存產(chǎn)品

IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)日益嚴(yán)峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測(cè)勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò)攻擊并從中恢復(fù)；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲(chǔ)模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò)復(fù)原力和應(yīng)用程序性能。 IBM 推出下一代儲(chǔ)存產(chǎn)品，瞄準(zhǔn)勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò)攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡(luò)彈性機(jī)構(gòu)的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡(luò)攻
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SK海力士與英特爾已完成收購(gòu)交易的第一階段：NAND閃存市場(chǎng)會(huì)有什么變化？

據(jù)韓國(guó)媒體消息，中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國(guó)芯片制造商從英特爾手中收購(gòu)NAND閃存業(yè)務(wù)進(jìn)行評(píng)估，并決定批準(zhǔn)該收購(gòu)，這為SK海力士掃清了最后一個(gè)障礙。
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TrendForce：三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響

中國(guó)西安正受疫情影響而封城，目前尚無法預(yù)期解封時(shí)間，根據(jù)TrendForce調(diào)查，由于三星（Samsung）在當(dāng)?shù)卦O(shè)有兩座大型工廠，均用以制造3D NAND高層數(shù)產(chǎn)品，投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達(dá)42.3%，占全球亦達(dá)15.3%，現(xiàn)下封城措施并未影響該工廠的正常營(yíng)運(yùn)。然而，當(dāng)?shù)胤獬谴胧﹪?yán)格管控人流及物流，盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適，但無法排除接下來因物流延遲出貨的可能，這將可能對(duì)采購(gòu)端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進(jìn)貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
關(guān)鍵字： TrendForce 三星 NAND Flash