- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
- 這次大概介紹了一下NAND Flash，以及在ASF中使用它的方法。 一、 接線 這個開發板搭載了一個256 MB，8位的NAND Flash(MT29F2G08ABAEA)。引腳接線如下：
偷個懶，直接上引腳復用的圖。其中PC14表明該NAND FLASH需要作為SMC的外設0使用。通過使用NANDOE和NANDWE引腳說明需要使用芯片的NAND Flash控制邏輯。另外，PC18復用為輸入
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SAM4E NAND
- 隨著APP體積不斷擴大，以及照片、視頻等文件逐漸累積，消費者再難回到被16GB ROM支配的時代。就連吝嗇的蘋果也將iPhone存儲容量翻番，最高達到了256GB。大容量閃存能夠提高數據并行處理的效率，但是256GB就夠了嗎?
日前，海力士(SK Hynix)推出業界首款72層堆疊的3D NAND閃存。該方案基于TLC陣列、單晶片容量為256Gb(32GB)，閃存芯片封裝后的最高容量將達到512GB。
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海力士 NAND
- 從去年年中開始，以固態硬盤為代表的，包括固態硬盤、內存條、優盤甚至閃存卡在內的幾乎全部閃存產品，開始緩慢漲價。
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內存 NAND
- 東芝已經處于資不抵債的邊緣，被迫出售優質大額資產來改善其財務狀況，究竟東芝存儲業務花落誰家，雖然在近期就可以揭曉。
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東芝 NAND
- 北京時間3月24日上午消息，由于供應趨緊和需求旺盛導致存儲芯片價格上升，美光科技預計當前季度的營收和利潤遠超分析師預期。該公司第二財季利潤也超出分析師預期，促使其股價在周四盤后交易中大漲9.4%。
由于各大企業都在爭相開發體積更小、效率更高的芯片，引發了供應瓶頸，但與此同時，智能手機、人工智能、無人駕駛汽車和物聯網的數據存儲需求卻在飆升，導致全球存儲芯片制造商正在經歷分析師所謂的“超級周期”。
美光科技周四表示，該公司的DRAM芯片第二季度漲價21%，此前一個季度已
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美光 NAND
- 三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進度順利，將如期于 2017 上半年投產。
三星新芯片廠于 2015 年動土，共投入 15.6 萬億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產線投資項目。據三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。
新芯片廠主要用于生產高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲器。快閃存儲器可取代傳統硬盤，并廣泛應用于數碼相機、智能手機與其他 USB 界面儲存設備。
市調機構 DRAMeXchange 日前指出，三星穩坐去年第四季 NAND 快閃存儲
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三星 3D NAND
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，隨后
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長江存儲 NAND
- 3月1日，樂視宣布，對旗下樂Pro 3進行價格調整。在這之前，魅族、紅米、努比亞已先后宣布了漲價措施……手機廠家紛紛執行漲價措施，往常都想用低價策略吸引用戶的廠家們這次都是因為什么呢? 有沒有朋友發現目前市場上的閃存類產品價格在悄悄增長，包括我們熟悉的U盤、內存、硬盤類產品，這些產品和近期紛紛宣布漲價的手機是否有什么關系呢? 關鍵在于它們都使用了一種核心器件：Flash Memory，也就是大家說的“閃存”，而這類器件由于目前生產減少，出現了供不應求的狀況，導致其價格上漲，最終
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Nand 內存
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據) 工作原理 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
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DRAM NAND
- 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰，是儲存電容的高深寬比，為了要延長DRAM這種內存的壽命，在短時間內必須要采用3D DRAM解決方案。
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DRAM NAND
- NAND閃存芯片被三星、東芝、SK Hynix、美光、Intel等少數公司壟斷，中國公司在此領域毫無話語權，甚至連收購、合作外資公司都沒可能，想獲得突破還得靠國產公司自立。紫光公司主導的長江存儲科技在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，該公司CEO楊士寧日前表態3D閃存晶圓廠的安裝設備將在2018年Q1季度完工，2019年全速量產，預計2020年會在技術趕超國際領先的閃存公司。
長江存儲科技前身是武漢新芯公司，該公司去年聯合湖北省政府投資基金在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地，
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NAND 東芝
- 市調機構集邦科技預期，今年儲存型快閃存儲器(NAND Flash)整年都將維持供應吃緊的情況，NAND Flash廠商業績可望逐季攀高。
集邦科技調查，隨著NAND Flash缺貨達到高峰，產品平均售價走揚，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產值達120.45億美元，季增達17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。
集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數據市占率17.7%，居第3大
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三星 NAND
- “首屆IC咖啡國際智慧科技產業峰會”于2017年1月14日在上海召開，長江存儲集團公司CEO楊士寧介紹了對存儲器市場的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產品的戰略思考。
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存儲器 3D NAND DRAM 20170203
- 據海外媒體報道，去年下半年以來NANDFlash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2DNANDFlash產能轉進3DNAND，但3DNAND生產良率不如預期，2DNAND供給量又因產能排擠縮小，NANDFlash市場出現貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。
不過，隨著3DNAND加速量產，下半年產能若順利開出，將成為NANDFlash市場最大變數。
2DNANDFlash制程持續往1y/1z納米進行微縮，如三星及SK海力士去年已轉進14納米，東芝及西部數據(WD)進入15納米，美光導
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NAND 存儲器
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