- 去年英特爾宣布了內存技術突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據稱會從根本上改變計算，但是現在傳出這一技術及其產品將被嚴重推遲發布。
根據英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設備體積顯著小于現有型號。英特爾當時宣稱這一新技術不僅僅是一些概念證明，而是準備在今年全面生產與推廣。不幸的是，現在看起來英特爾已經遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術和產品
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英特爾 3D XPoint
- 隨著嵌入式系統產品的發展，對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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Flash NAND 02A 1FT
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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SSD 3D NAND
- 被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進行有效的利用，從而滿足我們的應用需求，讓壞塊不“壞”。
要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤，這種錯誤可以通過狀態寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
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Nand Flash 寄存器
- 由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發展半導體產業的規劃中，存儲芯片是最優先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現在已經變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。
2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓
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3D NAND
- 大陸發展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲器大計正如火如荼地展開，初步分工將由長江存儲負責3D NAND及DRAM生產，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長江存儲將興建首座12吋廠，最快2017年底生產自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術約2個世代，然大陸終于將全面進軍NAND Flash領域。
盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲器世代，但在存儲器技術改朝換代之際，大
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存儲器 NAND
- 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個扇區(sector)組成1個頁(page)，64個頁(page)組成1個塊(block)，4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區
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Flash NAND 扇區管理
- YouTube上的科技頻道總不乏各種技術宅的奇思妙想，日前，一位名為“Mrwhosetheboss”發布了一則有趣的視頻，記錄了他將一臺智能手機打造成一臺3D全息投影儀的全過程。 下面就讓我們一起來見證一下奇跡發
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3D 全息投影儀 DIY
- 全球硬盤機大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車三星電子，搶先生產64層3D NAND Flash。不過外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會擴產淹沒市場，重創NAND價格。
巴倫(Barronˋs)11日報道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計劃搶在三星之前，生產64層3D NAND flash，此舉可能導致三星擴產還擊。報告稱，當前三星在業界握有主導權，將密切關注WD/閃迪(WD去年收購了
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西數 NAND
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange)最新調查顯示，在智能手機及各種固態硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態硬盤的價格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPhone 7的銷售
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NAND 服務器
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)最新調查顯示，在智能手機及各種固態硬盤的強勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價格將持續上漲至年底的趨勢確立，eMMC/eMCP與固態硬盤的價格也呈現上漲，預期第四季NAND Flash業者營收及利潤將較第三季更為出色。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，下半年NAND Flash市況逐漸轉強的主要因素來自于智能手機需求的成長。雖然iPh
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TrendForce NAND
- 未來半導體進入五大轉折，包括邏輯芯片制程技術推進到10/7納米;存儲器推進到3D NAND Flash;因應芯片愈來愈小，制圖成型依賴愈來愈高;移動設備導入OLED比重會愈來愈高以及大陸積極扶植半導體產業。
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NAND AR
- 半導體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據，且近年來壟斷程度逐步加劇。
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存儲器 NAND
- 據外媒報道，東芝今天將截至9月份的上半財年營業利潤預期上調一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預期為300億日元。
受此消息推動，東芝股價在周三快速上漲，創下自去年10月以來的最高點。這是東芝第二次上調營業利潤預期，該公司在今年5月份最初預計上半財年將營業虧損200億日元。
智能機存儲芯片的強勁需求推動東芝上調營業利潤預期。另外，比東芝保守預期更為疲軟的日元匯率也發揮了推動作用。
芯片需求的增長源于中國智能機出貨量的強勁表現。盡管全球智能機市場表現乏力，但是中國智能機出
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東芝 NAND
- 先前，因為受到連續7年作假帳風波，因而導致公司商譽嚴重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調2016年上半年度的獲利預測，預估將上調至850億日元的水準，較原本預估的700億日元調高21.43%，每股EPS也將達到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。
東芝于28日發出的消息表示，由于受惠于智能手機對于NAND閃存的提升，尤其在中國市場，在手機制造商不斷提升產品的儲存能力，所以需要性能越來越好的NAND閃存產品，導致相關價格的不斷上揚，如此以進一
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東芝 NAND
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