3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)

NAND閃存再減產(chǎn)：三星、SK海力士將至少削減10%

據(jù)報(bào)道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過(guò)于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產(chǎn)計(jì)劃。當(dāng)前，存儲(chǔ)器市場(chǎng)，尤其是NAND閃存領(lǐng)域，似乎正步入一個(gè)低迷階段。自2024年第三季度以來(lái)，NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑，這一趨勢(shì)使得供應(yīng)商對(duì)2025年上半年的市場(chǎng)需求前景持悲觀態(tài)度。長(zhǎng)期的價(jià)格疲軟無(wú)疑將進(jìn)一步壓縮企業(yè)的利潤(rùn)空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實(shí)施更為激進(jìn)的減產(chǎn)措施，將NAND閃存產(chǎn)量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時(shí)，N
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紫光國(guó)微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動(dòng)

日前，紫光國(guó)微在投資者互動(dòng)平臺(tái)透露，公司在無(wú)錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動(dòng)量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會(huì)根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動(dòng)。據(jù)了解，無(wú)錫紫光集電高可靠性芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國(guó)微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對(duì)保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國(guó)際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過(guò)調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲(chǔ)奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來(lái)自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國(guó)能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過(guò)模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡(jiǎn)
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NAND價(jià)格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價(jià)格已連續(xù)四個(gè)月下跌，為應(yīng)對(duì)這一不利局面，廠商開(kāi)始減產(chǎn)以平衡供求，進(jìn)而穩(wěn)定價(jià)格。美光率先宣布將減產(chǎn)，隨后三星也被曝出將調(diào)整其韓國(guó)本土的NAND產(chǎn)量以及中國(guó)西安工廠的開(kāi)工率，韓國(guó)另一大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士也計(jì)劃削減產(chǎn)量。
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NAND Flash廠商2025年重啟減產(chǎn)策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價(jià)格

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新研究報(bào)告指出，NAND Flash產(chǎn)業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過(guò)剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產(chǎn)，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動(dòng)相關(guān)計(jì)劃，可能長(zhǎng)期內(nèi)加快供應(yīng)商整合步伐。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，NAND Flash廠商主要通過(guò)降低2025年稼動(dòng)率和延后制程升級(jí)等方式達(dá)成減產(chǎn)目的，背后受以下因素驅(qū)動(dòng)：第一，需求疲軟
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應(yīng)對(duì)降價(jià)：三星大幅減產(chǎn)西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報(bào)道，三星電子已決定大幅減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存生產(chǎn)，以此應(yīng)對(duì)全球NAND供應(yīng)過(guò)剩導(dǎo)致的價(jià)格下跌，確保公司的收入和利潤(rùn)。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲(chǔ)卡和U盤(pán)的通用NAND閃存產(chǎn)品的價(jià)格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過(guò)10%，每月平均產(chǎn)量預(yù)計(jì)將從20萬(wàn)片減少至約17萬(wàn)片。此外，三星韓國(guó)華城的12號(hào)和17號(hào)生產(chǎn)線也將調(diào)整其供應(yīng)，導(dǎo)致整體產(chǎn)能降低。三星在2023年曾實(shí)施過(guò)類(lèi)似的減產(chǎn)措施，當(dāng)時(shí)
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李飛飛對(duì)計(jì)算機(jī)視覺(jué)的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來(lái)努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競(jìng)賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識(shí)別 1000 個(gè)類(lèi)別的物體和動(dòng)物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動(dòng)，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了所有其他類(lèi)型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開(kāi)始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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SK 海力士新設(shè) AI 芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

12 月 5 日消息，據(jù) Businesses Korea 今日?qǐng)?bào)道，SK 海力士今日宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了 1 位總裁、33 位新高管及 2 位研究員。為提升決策效率，該公司推行“C-Level”管理體系，依據(jù)核心職能分工明確責(zé)任與權(quán)限，業(yè)務(wù)單元被劃分為包括 AI 基礎(chǔ)設(shè)施（CMO）、未來(lái)技術(shù)研究院（CTO）、研發(fā)（CDO）和生產(chǎn)（CPO）在內(nèi)的五大部門(mén)。據(jù)介紹，新設(shè)的 AI 芯片開(kāi)發(fā)部門(mén)整合了 DRAM、NAND 和解決方案的開(kāi)發(fā)能力，著眼于下一代 AI 內(nèi)存等
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動(dòng)世界

12月5日消息，美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無(wú)窮無(wú)盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級(jí)版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛(ài)的機(jī)器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場(chǎng)景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開(kāi)發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱(chēng)，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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3Q24 NAND Flash營(yíng)收季增4.8%，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，消費(fèi)性訂單未復(fù)蘇

根據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，2024年第三季NAND Flash產(chǎn)業(yè)出貨量位元季減2%，但平均銷(xiāo)售單價(jià)（ASP）上漲7%，帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收達(dá)176億美元，季增4.8%。TrendForce集邦咨詢(xún)表示，不同應(yīng)用領(lǐng)域的NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在今年第三季出現(xiàn)分化，企業(yè)級(jí)SSD需求強(qiáng)勁，推升價(jià)格季增近15%，消費(fèi)級(jí)SSD價(jià)格雖有小幅上漲，但訂單需求較前一季衰退。智能手機(jī)用產(chǎn)品因中國(guó)手機(jī)品牌嚴(yán)守低庫(kù)存策略，訂單大量減少，第三季合約價(jià)幾乎與上季持平。Wafer受零售市場(chǎng)需求疲軟影響，合約價(jià)反
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Teledyne推出用于在線3D測(cè)量和檢測(cè)的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用開(kāi)發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡(jiǎn)化生產(chǎn)線上的3D測(cè)量和檢測(cè)任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類(lèi)型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動(dòng)汽車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)電池、電機(jī)定子等）、汽車(chē)、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動(dòng)化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡(jiǎn)化的工具，用于
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三星大幅減少未來(lái)生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱(chēng)三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱(chēng)，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過(guò)精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問(wèn)題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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三星將出售西安芯片廠舊設(shè)備及產(chǎn)線

據(jù)韓媒報(bào)道，三星近期將開(kāi)始銷(xiāo)售前端和后端生產(chǎn)線的舊設(shè)備，其中包括位于中國(guó)西安的NAND工廠。報(bào)道稱(chēng)，三星近期正在半導(dǎo)體部門(mén)（DS）實(shí)施大規(guī)模成本削減和產(chǎn)線調(diào)整，并正在考慮出售其中國(guó)半導(dǎo)體生產(chǎn)線的舊設(shè)備。預(yù)計(jì)出售程序?qū)⒂诿髂暾介_(kāi)始，銷(xiāo)售的設(shè)備大部分是100級(jí)3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái)，三星電子一直致力于將其西安工廠的工藝轉(zhuǎn)換為200層工藝。
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消息稱(chēng)三星下代 400+ 層 V-NAND 2026 年推出，0a DRAM 采用 VCT 結(jié)構(gòu)

10 月 29 日消息，《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日表示，根據(jù)其掌握的最新三星半導(dǎo)體存儲(chǔ)路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數(shù)超過(guò) 400，而預(yù)計(jì)于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結(jié)構(gòu)。三星目前最先進(jìn)的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級(jí)）DRAM。報(bào)道表示三星第 10 代（即下代） V-NAND 將被命名為 BV（Bonding Vertical） NAND，這是因?yàn)檫@代產(chǎn)品將調(diào)
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TrendForce：預(yù)計(jì) Q4 NAND Flash 合約價(jià)將下調(diào) 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢(xún)最新調(diào)查，NAND Flash 產(chǎn)品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價(jià)于第三季率先下跌，預(yù)期第四季跌幅將擴(kuò)大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產(chǎn)品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動(dòng)能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買(mǎi)家的終端產(chǎn)品銷(xiāo)售不如預(yù)期，采購(gòu)策略更加保守。TrendForce 預(yù)估，第四季 NAND Flash 產(chǎn)品整體合約價(jià)將出現(xiàn)季減 3% 至
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