3d ic 文章 最新資訊
美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市,緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品,這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示,美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品,鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng),此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
- 關(guān)鍵字: 美光 3D NAND
面對(duì)大陸攻勢(shì) 三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下,清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略,迫使南韓、日本、美國等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中,NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購,成立長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司,未來可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。 清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈,在社會(huì)上擁有一定的影響力,武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
能與IC整合的超小尺寸光探測(cè)器

- 德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器,占位面積不到100平方微米… 玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時(shí)代的傳輸高速公路──德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (Karlsruhe Institute of Technology,KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器(photo detector),是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn),研究人員聲稱其占位面積不到100平
- 關(guān)鍵字: IC 光探測(cè)器
Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動(dòng)器IC,可將BOM元件數(shù)減少40%

- 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級(jí)非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝,在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率,并且效率極高,適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個(gè)簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外,設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
- 關(guān)鍵字: Power Integrations LYTSwitch-7 IC
東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成
- 東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示,將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量,目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。 關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash,成毛康雄指出,將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn),目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。 東芝為全球第2大NAND Flash廠商,市占率僅次于三星電子。 日經(jīng)、韓國先驅(qū)報(bào)(
- 關(guān)鍵字: 東芝 3D NAND
Digitimes:2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值受政策支持將成長15%

- 受惠于大陸經(jīng)濟(jì)持續(xù)成長,加上以中低階智能手機(jī)為主的行動(dòng)裝置出貨量亦在此期間大幅成長,大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從2010年210.3億美元逐年成長至2015年579.7億美元,2010~2015年復(fù)合成長率達(dá)19.1%。DIGITIME Research預(yù)估,雖然智能手機(jī)出貨量成長趨緩,加上全球經(jīng)濟(jì)前景不確定性仍高,但在大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)仍能穩(wěn)定成長,加上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持推動(dòng)下,2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)666.4億美元,年成長15%。 十二五規(guī)劃期間,拜全球智能手機(jī),尤其是中低階智能手機(jī)出貨大幅成長
- 關(guān)鍵字: Digitimes IC
2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家 三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

- DIGITIMES Research觀察,2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者,然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash,三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變,不過,三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn),短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。 三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
- 關(guān)鍵字: 三星 3D NAND
3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃
- 觸摸屏的保護(hù)玻璃,又稱之為保護(hù)蓋,用來保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求,保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板 的頂部,再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D,2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭,舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要,這 也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。 2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬片,占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模,
- 關(guān)鍵字: 3D 2D保護(hù)玻璃
全球IC產(chǎn)業(yè)“整并瘋”引燃的勞資糾紛不斷
- 同一家IC業(yè)者的前后兩場(chǎng)收購案引發(fā)不少勞資糾紛,在德國、美國與中國都有尚未平息的爭議… Microchip的管理高層已經(jīng)平息了大多數(shù)因?yàn)槭召廇tmel以及Micrel而產(chǎn)生的異議,不過在三塊大陸上仍有零星的不滿聲音。 有一個(gè)駐在德國德勒斯登(Dresden)的前Atmel設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)要求Microchip支付遣散費(fèi),聲稱該公司是做出錯(cuò)誤的裁員決定;另外在美國有一小群前Atmel員工也要求拿到他們認(rèn)為是前東家承諾支付的遣散費(fèi);還有在中國上海,有前Micrel員工抗議裁員。 M
- 關(guān)鍵字: IC Microchip
3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主
- 韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo),韓國半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù),在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu),3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。 3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高,讀寫速度快,耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點(diǎn),對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù),3D NAND成為具有潛力,有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
- 關(guān)鍵字: 3D NAND 半導(dǎo)體
WSTS:2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將萎縮2.4%

- 根據(jù)WSTS的資料指出,2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將下滑2.4%。 根據(jù)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(ESIA)引用世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)的資料指出,2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將下滑2.4%達(dá)到3,270億美元,而在隨后的幾年可望看到整體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)趨于適度成長。 WSTS一改先前對(duì)于2016年的成長預(yù)測(cè),同時(shí)也延緩對(duì)于成長前景的預(yù)期。根據(jù)該市調(diào)公司的最新估計(jì),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)可望在2017年和2018年之間看到成長,成長力道主要來自亞太地區(qū),以及光電、感測(cè)器與類比IC市場(chǎng)的成長。 &
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC
3d ic介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d ic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d ic的理解,并與今后在此搜索3d ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d ic的理解,并與今后在此搜索3d ic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
