行動裝置熱銷，激勵今年1至5月半導體產值噴發達6,003億元，創歷年同期新高。展望未來，經濟部統計處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統旺季，應能延續暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時間表。
經濟部統計處昨(5)日公布今年1至5月半導體產業統計數據，集成電路與半導體封測為我國半導體產業兩大主軸，合計兩者產值占整體逾九成，兩者今年1至5月產值皆創歷史同期新高，推升半導體產值續創新高。
楊貴顯說，去年半導體產值增速已達二位數成長，今年1至5月成長動能延續，上升至14.2%，凸顯半導體榮景
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半導體 DRAM
經濟部統計處5日公布上半年集成電路(簡稱IC)出口分布狀況，結果一喜一憂。出口至東南亞的金額，出現跳躍性成長;但出口至大陸及香港的金額仍占整體逾半，即將面臨大陸與韓國嚴酷的挑戰。
按出口地區看，今年上半年臺灣集成電路出口到日本、韓國的金額，雙雙出現衰退，但出口至馬來西亞、菲律賓金額分別大幅成長39.4%、26.4%。
經濟部官員表示，近來臺灣半導體產業推動高階化成效顯著，國際競爭力越來越強，以DRAM為例，過去可能要回銷日韓做進一步加工，才能出口至東南亞，現可直接出口東南亞國。
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集成電路 DRAM
以智慧型手機為首的行動裝置全球熱賣，帶動今年前5月半導體產值創下史上新高，達6003億元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出頭天，價量齊揚，以產值615億元也創下歷史新高，一口氣較去年同期成長56.9%。
半導體是臺灣重要的外銷產業之一，今年上半年南韓及日本的出口衰退最多，對馬來西亞及菲律賓的出口成長最快速。
經濟部今天公布上述臺灣半導體產值的統計結果。更進一步看，其中以積體電路業產值3916億元占65%為最大宗，半導體封裝及測試業產值1647億元占27%居次，2者合占逾9
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半導體 DRAM
全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，2014年第三季行動式記憶體價格與前季相較相對持穩，所有產品線的跌幅皆落在5%以內，其中大部分的智慧型手機廠甚至在第三季的采購價格與前季完全相同，在行動式記憶體連續跌價超過兩年的前例看來，今年受旺季需求支撐所呈現的價格持平走勢相當難得，DRAM廠在該領域的獲利持續向上攀升。
DRAMeXChange研究協理吳雅婷表示，智慧型手機仍是第二季最大的需求來源，其中由于正值中國地區電信系統由3G轉4GTD-LTE，
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移動存儲器體 DRAM
最近一款“全球首款全息手機”上市，那么究竟什么是全息功能、在手機上又是如何實現的?
首先，讓我們先來了解一下傳統意義上的“全息”概念。通常來說，“全息顯示”泛指全息投影技術，由英國匈牙利裔物理學家丹尼斯·蓋伯在1947年發明，并在1971年獲得諾貝爾物理學獎。一開始，全息投影僅應用在電子顯微技術中，直至1960年激光技術被發明出來之后才取得了實質性進展。
在這里，我們不討論全息投影復雜的技術原理，
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全息影像 3D
記者昨日從省經信委舉行的新聞發布會上獲悉，我拾芯片”產業有了新規劃，預計到2020年，20%的顯示面板、家電、汽車電子產品將有“本土芯”。
變頻空調運行、液晶顯示、汽車行駛……這些產品的運行都離不開它們的“心”—集成電路。為了進一步扶持集成電路產業，《安徽省人民政府辦公廳關于加快集成電路產業發展的意見》近日發布，從多方面明確了我省集成電路產業的發展目標：到2017年產業總產值突破300億元，2
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芯片 3D
在如今這工程師漫山遍野的年代，工程師已經變得隨處可見、遍地都是，但我相信每個工程師心目中都有屬于自己的“王牌”器件。如電腦的記憶芯片 - 存儲器，SRAM、DRAM、EEPROM、PLASH、可讀寫類、只可讀類等等。同時存儲器在我們日常生活中也隨處可見，每人必備的U盤、硬盤、光盤等等，所以作為工程師的我們必須關注下這十款經典的存儲器。下面就為大家帶來工程師們心目中那永遠的十款“王牌”存儲器。
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一款非常
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存儲器 SRAM DRAM
全球市場研究機構TrendForce旗下內存研究部門DRAMeXchange最新發表的模塊營收調查顯示，2013年全球模塊市場總銷售金額約為73億美元，相較于2012年55億美元，大幅提升32%，主要受益于標準型內存價格的上漲、現貨市場轉趨熱絡及合約市場的比重提升。2013年模塊廠前十名幾乎囊括全球模塊市場中88%的營業額，其中金士頓穩坐模塊廠龍頭，年營收增長約32%;威剛與記憶科技則分居二、三名，營收也大幅增長116%及37%。由于模塊廠營業項目轉趨多元，本次排名僅針對各家模塊廠的DRAM營收做統計
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DRAM 內存模塊
近來DRAM價格晶片大宗訂單的價格依然居高不下。目前主要DRAM晶片制造商增加供應給日益成長的智慧手機市場，令人擔心個人電腦(PC)未來的供應。預料在8月之前蘋果最新iPhone晶片采購達到高峰前，DRAM晶片價格都不會下滑。
在6月下半個月期間，DRAM產業指標產品2GBDDR3的大宗訂單價格約莫每單位2.03美元，而4G的繼格約每單位33美元。雖然這些價格與6月上半個月差不多，但與去年同期相比勁增20%。目前2GBDDR3現貨價約為每單位2.2美元。
市場需求上升不只來自蘋果，隨著中國
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DRAM 智能手機
應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統。作為業內領先的中電流離子注入設備，該系統專為2x納米以下節點的FinFET和3D NAND制程而開發，具有超凡的控制能力，可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實現器件性能優化，降低可變性，提高良率，是應用材料公司在精密材料工程領域的又一重大突破。
VIISta 900 3D系統能有效提高離子束角度精度和束線形狀準確度，并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性，從而幫助客戶實現制程的可重復性，優化器件性
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VIISta 900 3D 2x納米 FinFET
DRAM拉貨潮啟動，加上芯片廠制程推進受阻，主流DDR3 4Gb顆粒現貨報價攀上4.35美元，創近一年半新高價，本季漲幅近二成，有機會向歷史新高4.6美元邁進，華亞科、南科將成為大贏家。
DRAM市調機構集邦科技表示，本季DRAM現貨價與合約價價差已達20%，預估第3季合約價看漲5%至10%。IC通路商透露，三星已率先鳴槍，通知旗下通路商及委托制造廠(OEM)廠，7月起漲幅10%，揭開DRAM另一波漲勢。
集邦預期，下半年DRAM因各大芯片廠并無考慮增產，加上制程推進和良率提升進度緩慢，將
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DRAM 存儲器
1 引言
FIFO(First In First Out)是一種具有先進先出存儲功能的部件。在高速數字系統當中通常用作數據緩存。在高速數據采集、傳輸和實時顯示控制領域中.往往需要對大量數據進行快速存儲和讀取，而這種先進先出的結構特點很好地適應了這些要求，是傳統RAM無法達到的。
許多系統都需要大容量FIFO作為緩存，但是由于成本和容量限制，常采用多個FIFO芯片級聯擴展，這往往導致系統結構復雜，成本高。本文分別針對Hynix公司的兩款SRAM和DRAM器件，介紹了使用CPLD進行接口連接和編程控制，來
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FIFO SRAM DRAM CPLD
根據拓墣產業研究所(TRI)觀察，2014上半年臺灣IC設計產業受惠于中國大陸與新興市場智慧手機需求旺盛、4K2K電視滲透率上升、世足賽帶來LCDTV需求等三大因素，拉動了智慧手機晶片、驅動IC及電視SoC晶片之營收持續高漲，形成半導體產業少見的淡季不淡現象。
展望2014下半年，雖為傳統旺季，但中國大陸6月份縮減了3G智慧型手機補助，為市場投下變數，中國4G/LTE手機的銷售情形，將成為左右臺廠營收的重要關鍵。拓墣產業研究所預估，2014下半年臺灣IC設計營收預估達80.7億美元，較去年同
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半導體 DRAM
持續高高在上排名在前的三星利潤長期以來是孤芳自賞的。只是，第二季度的業績下來，它也開始持謹慎態度。
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三星 DRAM
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