- 據iSuppli公司，12月DRAM價格繼續下降，跌勢不止，經過幾個月的大幅下滑，價格已降到年內最低水平。
12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價格下跌，DDR2同樣跌得很慘。目前DDR2價格為21.50美元，遠低于6月時的38.80美元。
圖2所示為4-12月DDR2和DDR3 DRAM的平均銷售價格，包括1GB和2GB兩種密度。
與上一代的DDR2相比，DDR3傳輸速度更快，而且功耗更低。但
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DRAM 30納
- 美系內存大廠美光(Micron)預測2011會計年度第2季(2010年12月~2011年2月)DRAM和NANDFlash報價將持續走跌，其中DRAM價格會下跌約25%，而NANDFlash價格會下跌約10%，美光表示，將致力于制程技術微縮，以期能持續降低生產成本，因應需求不如預期的市況。
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美光 DRAM
- 美國計算機記憶芯片大廠美光日前公布會計年度第1季(迄12月2日)財報，由于供智能型手機使用的記憶芯片需求殷切，不但抵銷了個人計算機記憶芯片需求下滑的沖擊，更讓公司連續第5個季度出現獲利。
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美光 DRAM
- 2010年12月下旬DRAM的合約價格持續重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價格下跌10%，平均售價跌破20美元，低價來到17美元價格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價格較當時的價格已下跌超過50%，市場預期供過于求的情況至少還會再持續1季，因為2011年第1季的供給增加幅度相當大，預計要到2011年4月之后，等個人計算機(PC)大廠準備下半年旺季的備料，DRAM價格才有機會落底止跌。
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爾必達 DRAM
- 據市場研究公司iSuppli表示，今年全球半導體市場將較上年同期低迷的水平實現有史以來最大規模的增長，這主要得益于DRAM及NAND晶片的大幅增長。iSuppli預計，2010年全球半導體行業總收入或為3,040億美元，較2009年總收入2,295億美元高出大約三分之一。
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半導體 DRAM
- 2011年DRAM產業中，雖然三星電子(SamsungElectronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業位元成長率(BitGrowth)將增加50%。
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三星電子 DRAM
- 2011年DRAM產業中，雖然三星電子(Samsung Electronics)已揭露大擴產計劃，包括興建12寸晶圓廠Line-16，以及將現有Line-15升級至35納米制程，但綜觀整個DRAM產業的位元成長率，仍都是來自于制程微縮為主，包括三星35納米制程將在2011年下半超過50%，以及海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)的30納米制程也都將在第2季大量產出，集邦科技預估2011年全球DRAM產業位元成長率(Bit Growth)將增加50%。
三星電子201
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三星電子 DRAM
- 據iSuppli公司，2010年上半年金士頓增強了在第三方DRAM模組市場中的統治地位，在模組成本上漲之際利用其強大的購買力擴大了市場份額。
2010年上半年金士頓的DRAM模組銷售額為26億美元，比2009年下半年勁增45.6%。其在全球第三方DRAM模組市場中的份額從2009年下半年的39.6%升至45.8%。金士頓的表現遠遠優于總體DRAM模組市場，后者同期增長26%。
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金士頓 DRAM
- 據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)應用可大幅提升內存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術開發出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產品，10月時已裝設在客戶商服務器上，完成產品測試。
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三星 DRAM
- Rambus雖說是專利官司大戶，但他們也不是每次都靠這種方式掙錢。近日他們就與日本內存大廠爾必達簽署了新一期的專利授權協議。
此次雙方簽署的協議涉及產品極其廣泛，從久遠的SDR內存芯片到DDR、DDR2、DDR3、LPDDR、LPDDR2再到GDDR3、GDDR5芯片。該協議為期五年，爾必達將向Rambus總共支付1.8億美元的授權費，首次付賬4700萬美元。
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爾必達 DRAM
- 全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業績走弱，營運獲利下滑加上淡季效應與產品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術，以生產高階晶片。
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海力士 DRAM
- 按VLSI市場調研公司的最新報告，今年無論半導體以及設備業都達到歷史上輝煌的年份之一，由此也導致可能產能過剩及芯片價格下降。
同時，該公司也更新了2011及2012年半導體及設備業的預測，為2011年半導體增長4.4%為2486億美元，以及2012年再增長7.9%。VLSI之前曾預測2011年半導體增長8%。
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半導體 DRAM
- 11月下旬DRAM合約價跌幅超過10%，讓市場籠罩在烏云密布的氣氛當中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報價單日再跌7%，1Gb DDR3報價摜破1.3美元;DRAM業者則表示，1Gb DDR3 eTT價格單日大跌超過7%，其實只是以補跌來反應品牌顆粒的價格;然此跌價情況若再延續，不排除各家DRAM廠會有擴大減產的情況出現。
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力晶 DRAM
- 全球DRAM產業再度面臨二次崩盤潮的危機，雖然2010年上半年在供給不足的情況下，DRAM報價達到頂峰，但下半年卻意外遇上個人計算機(PC)產業旺季不旺，加上DRAM產業供給端大量產出，使得DRAM價格再度面臨崩盤窘境，時至11月，上、下旬合約價連番重挫，且上旬跌幅高達12~13%，較上旬不到10%合約價持續擴大。
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力晶 DRAM
- 根據分析師和市場研究人員表示，個人電腦中的主要存儲元件DRAM的價格在2011年將會呈現下滑的狀態。瑞士信貸投資銀行預測，2011年中期DRAM市場仍將供過于求，但2011年下半年將恢復。該公司表示， DRAM季度收入將可能在明年二季度恢復之前，在第一季度探底。
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三星 DRAM
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