近來臺灣DRAM晶圓廠人事異動頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國，以及力晶（5346）原創(chuàng)始元老曾邦助，都相繼轉換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近半年來亦出現研發(fā)人員流動率偏高情況，DRAM業(yè)界多認為，盡管人員流動不至于影響DRAM廠既有運作，但仍凸顯出DRAM產業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。 華邦電發(fā)言人溫萬壽19日表示，王其國原任華邦電BG2（Business Group 2）事業(yè)群總經
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DRAM 其他IC 制程
根據彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團旗下半導體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評等調高，理由是認為DRAM價格下跌的狀態(tài)將開始減緩。 據了解，花旗將Infineon和南亞科技的評等由“持有”調高至“買進”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣出”調高至“持有”，韓國三星電子評等維持不變在“持有”。分析師指出，價格可能在下個月或其后一個約觸底，而全球
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DRAM 存儲器
2005年3月A版 盡管2005年世界半導體業(yè)的銷售值勢比上年大幅下降，但銷量將繼續(xù)快速增長。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產線將加速建設。據iSuppli公司預測，當年將共建成16條生產線，比2003和2004年所建線加在一起還多。 2005年建設高潮是經歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報在2001年經濟衰退中受到嚴重打擊，可執(zhí)著堅持的公司卻在2004年半導體市場再創(chuàng)新高時獲得豐厚回報。
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英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學會 2004年12月13～15日于美國舊金山舉行）國際電子器件會議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產性的、適合未來DRAM產品的70 nm工藝技術，此技術以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎。目前全球25％的DRAM生產都是以溝槽技術為基礎的。在其報告中，英飛凌闡述了全部集成計劃和主要技術特征――包括首次在基于溝槽技術的DRAM生產流程中使用高介電常數物質。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術突破，顯示了溝槽技術的可伸縮性。
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iSuppli最新發(fā)布的報告指出，今年上半年全球DRAM市場規(guī)模比去年同期增長66%，中國市場增長88%，其次為亞太地區(qū)(不含中國)的81%。日本經濟情況改善，其DRAM銷售增 長70%。美國僅僅增長48%，遠不及全球的66%。 在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長；而三星、美光與英飛凌的市場份額則在下降。中國是全球增長最迅速的DRAM市場，Hynix是該地區(qū)的領導廠商，市場占有率高達42%，去年同期為40%。
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企業(yè)網路設備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內發(fā)表其獲獎產品Dragon入侵偵測系統（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎架構中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強化企業(yè)網路的安全
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IDS 凱創(chuàng) DDR2 DRAM
1993年，第一塊256K DRAM在中國華晶電子集團公司試制成功。
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華晶 DRAM
1985年，第一塊64K DRAM在無錫國營742廠試制成功。
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芯片 DRAM
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