- 臺積電再掉單?韓媒報導，蘋果、高通之外，繪圖晶片巨擘Nvidia也看上三星電子的14奈米FinFET制程，將從臺積電轉單三星。
韓媒3日報導，Nvidia轉單三星，可提前一季推出次世代制程晶片。Meritz Securities分析師Park Yu-ak表示，今年全球廠商可能會全力降低成本，以抵銷應用處理器價格下滑的損失。預料三星系統半導體部門今年第二季會向蘋果、高通、Nvidia出貨。
與此同時，三星拓展記憶體業務，3日宣稱量產業界首見的ePoP(embedded package on
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- Semiwatch長期觀察半導體設備產業的分析師Robert Maire先前傳出，臺積電競爭對手格羅方德半導體( GlobalFoundries Inc.)已要求供應商將14 奈米半導體設備運送倉庫暫存、而非直接在晶圓廠進行安裝，因此引發格羅方德可能面臨良率問題等疑慮。Summit Research分析師Srini Sundarajan 30日也發表研究報告，確認格羅方德將設備暫送倉庫存放的說法。
不過，格羅方德發言人Jason Gorss 30日隨后特地對barron`s發布電子郵件聲明稿表示
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- 三星電子(Samsung Electronics)在稍早傳出開始量產采用14納米FinFET制程技術的A9芯片，這對于三星來說，在搶佔先進微細制程市場以及與蘋果(Apple)合作關系上，可以說是一箭雙雕。
據ET News報導，三星美國奧斯汀廠傳出已經開始量產采用14納米FinFET技術的蘋果A9。雖然美國奧斯汀廠以及韓國器興廠均擁有FinFET制程的產線，但由于為量產的第一階段，因此先由奧斯汀廠打頭陣。
此外分析指出，由于顧及次世代芯片性能資安以及供應等問題，奧斯汀廠是在蘋果的要求下首先
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- 三星半導體業務及LSI系統業務部門總裁金奇南(Kim Ki-nam)表示，14納米FinFET芯片工廠已經開始批量生產，不過，他并未透露這家工廠的客戶。
三星這家14納米制程工廠主要是為了拉攏臺積電的客戶。
三星為蘋果生產的首批14納米芯片很可能由這兩家工廠制造，有傳言稱，蘋果已經開始下單生產S1系統芯片，S1芯片將用于蘋果智能手表。而業內最大的“應用處理器”(AP)巨頭高通也已經和三星簽訂協議，準備生產下一代應用處理器。高通應用處理器有望出現在AMD新一代的GPU
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- 三星證實14納米制程已進入生產階段，左右與臺積電16納米的市占落差，業界認為，臺積電已全力追趕，明年雖然還是會落后三星，但雙方差距將會縮小。
三星首度出現在臺積電的雷達屏幕上，靠的就是14納米制程，并讓臺積電董事長張忠謀坦言，明年16納米市占率將輸給三星。
業界認為，三星的14納米制程月產能已有2.5萬片，臺積電則要等到明年6月底前，才能備足5萬片的16納米FinFET+產能，在產能落差下，明年上半年蘋果A9處理器訂單確實可能略低于三星。
不過，業界認為，三星搶下的A9訂單，應該是先
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- 臺積電正與英特爾、三星展開14/16納米競賽，英特爾資深副總裁Kirk Skaugen 4日指出，采用14納米生產的首款Broadwell架構處理器「Core M」已出貨百萬計，14納米是該公司歷史上最快切入的產品;明年也會出現更多無線化的終端產品。
全球三大晶圓制造廠明年進入14/16納米之爭，由于英特爾以14納米生產的Core M處理器客戶端產品將在年底上市，三星以14納米為高通生產的手機芯片也預計明年上半年量產，一度落后的臺積電急追，已傳出16納米可能提前在明年第2季量產。
英特爾在
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- 2014年IDF期間，英特爾重點介紹了全球首款14納米可以商用的芯片?酷睿?M處理器，并且透露了這個產品發布的時間節點：基于這個芯片的產品將于下個月正式量產。關于這個新產品，有這些新聞點可以和大家分享：
1，功耗。盡管英特爾產品性能強勁，但業界一直在質疑英特爾產品的功耗。這次發布的新處理器產品，功耗僅4.5瓦，是英特爾歷史上效能最高的酷睿處理器。
英特爾數據顯示，與上一代產品相比，由于功耗已降低至4.5W，在執行有效工作負載的情況下，可將電池的續航時間延長達20%(1.
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- 三星電子(SamsungElectronics)將于11月推出先進代工制程14納米鰭式場效電晶體(FinFET)樣品，而此次應用14納米制程的應用處理器(AP)試制品，也傳出將先提供給高通(Qualcomm)、蘋果(Apple)、超微(AMD)等主要客戶。
據韓媒Newstomato報導，三星電子系統LSI事業部計畫將于年內開始量產14納米、20納米晶圓代工產品。擴大產能(Rampup)時機??雖仍未決定，但業界分析，三星電子在與高通、蘋果簽訂最終晶圓代工合約后，有可能將于2015年上半擴大
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- 英特爾今天公布了最新微架構的細節，該微架構使用英特爾業界領先的14納米制程工藝進行了優化。新的微架構和14納米制程技術相結合，將以高性能、低功耗的特性支持一系列計算需求和產品，涵蓋了從云計算和物聯網基礎設施，到個人及移動計算。
新聞要點：
英特爾披露了英特爾®酷睿™ M處理器的微架構細節，這是利用英特爾14納米技術制造的第一款產品。
新的微架構和制程的結合將帶來新一輪外觀和體驗上的創新，產品會更加輕薄、噪音更低。
相比上一代處理器
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- 現任GLOBALFOUNDRIES高級副總裁暨新加坡分公司總經理洪啟財日前接受記者獨家專訪時表示，通過與韓國三星公司的技術合作，GLOBALFOUNDRIES的14納米工藝產線將在今年年底完成驗證工作，2015年將在Fab8廠順利進入量產階段，量產規模可從最初的每月1萬片增長到6萬片。
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- Needham & Co.半導體設備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領域提出了透徹分析，認為相關的半導體設備訂單有望在今(2014)年下半年攀高，但16/14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)訂單卻將遞延一季。
barron`s.com報導，Mok發表研究報告指出，據了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產能，而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設備，這似乎支持了近來傳出的高通(Qualco
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- 根據為期多年的協議，GLOBALFOUNDRIES將授權三星的14納米FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國和韓國的晶圓廠制造和生產14nm。這是在晶圓業第一個能從20納米真實面積縮放的14納米FinFET技術，而這術平臺已經獲得了牽引作為高容量，低功耗的SoC設計中的首選。隨著GLOBALFOUNDRIES和三星攜手合作，無晶圓廠半導體客戶將享有更多的選擇和靈活性，因為供應將來自多個世界源地。與此同時，無晶圓廠半導體客戶也能維持在流動性和IT基礎設施的領導地位。
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- 全球半導體大廠臺積電、英特爾(Intel)及三星電子(SamsungElectronics)在10納米級多重閘極3D架構的鰭式場效電晶體(FinFET)技術展開激烈競爭，三星和英特爾為確保14納米FinFET技術領先，紛準備投入量產，臺積電則致力于16納米FinFET技術發展。半導體業者透露，面對競爭對手14納米進逼，臺積電亦布下天羅地網迎戰，傳出內部針對16納米制程規劃3個版本，且第二版本可能直接在2014年底進行試產，近期已開始說服客戶導入。
三星系統LSI事業部已完成14納米FinFE
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- 摩爾定律即將敲響終止的音符，業界對于半導體業的前景也產生了各種看法，其中從大的方面，包括從工藝來看，在14nm之后如何往下走，包括10nm、7nm甚至5nm以及450mm硅片的進程等。顯然時至今日尚沒有非常清楚的路線圖，但是硅基半導體之后采用什么材料仍值得人們期待。
英特爾：繼續執行“Tick-Tock”發展策略
英特爾預計2014年導入14nm制程量產，2015年導入10nm制程，并計劃于2017年達到7nm。
據英特爾已經公布的工藝路線圖顯示，在201
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- 英特爾目前仍然牢牢把持著數據中心，至少是數據中心內的大部分服務器，自然希望在保持現狀之外在網絡及存儲業務等毗鄰領域占據統治地位。有鑒于此，芯片巨頭舉辦了為期一天的記者與分析師招待會。同時參加的還有公司數據中心與連接系統部門的所有高層，共同就未來數年的數據中心發展戰略做出說明。
作為會議的一部分，英特爾公司披露了針對低功耗服務器的芯片路線圖，外加服務器與存儲類凌動芯片產品，代號分別為“Avoton”與“Rangeley”。
“我們清
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