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        1β dram 文章 最新資訊

        LPDDR價格飆漲 2018年8GRAM依然供不應求

        •   據(jù)外媒報道,DRAMeXchange的最新報告指出,用于移動設備的LPDDR DRAM協(xié)議價在今年第四季度將上漲10%~15%。   此前,LPDDR的價格是低于PC、服務器等平臺的,但這些年需求越來越猛,生產(chǎn)企業(yè)們也開始打起高利潤的主意。所以,不排除一些已經(jīng)發(fā)布的千元機和尚未發(fā)布的千元機會在其售價上做出調(diào)整的可能。而旗艦機方面,因為本身緩沖空間較大,暫時不會受到?jīng)_擊。   因為DRAM在整個2018年的產(chǎn)能依然都弱于需求,預計安卓內(nèi)存的軍備競賽會暫時停留在8GB,甚至像三星、華為等依然維持6GB
        • 關(guān)鍵字: LPDDR  DRAM  

        DRAM漲潮再起 誰才是真正贏家?

        • DRAM供貨吃緊的情況下,其再次出現(xiàn)價格瘋漲現(xiàn)象,在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的這場角逐中,也許大家都是贏家。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND   

        DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理

        • DRAM與NAND的區(qū)別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較,弄清兩者的區(qū)別
        • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  RAM  

        DRAM原理 5 :DRAM Devices Organization

        • DRAM原理 5 :DRAM Devices Organization-隨著系統(tǒng)對內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高,系統(tǒng)會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式,會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  

        次世代記憶體換當家?關(guān)于新當家的那點事

        • 次世代記憶體換當家?關(guān)于新當家的那點事-據(jù)韓媒BusinessKorea報導,IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱,兩家公司攜手研發(fā)的STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù),成功實現(xiàn)10 奈秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu),理論上表現(xiàn)超越DRAM。韓國半導體業(yè)者指出,16納米將是DRAM微縮制程的最后極限,包括FRAM在內(nèi)的多種次世代存儲(其它包括MRAM)備受期待。
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        DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization

        • DRAM 原理 2 :DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中,介紹了單個 Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中,將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  Memory  Cells  

        手把手教你FPGA存儲器項使用DRAM

        •   某些FPGA終端,包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊(DRAM),這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問,速率非常高。  DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù),而且速度可以非常快。針對一些特殊應用,比如:瞬時帶寬非常高,而且有要保存原始數(shù)據(jù)的時候,就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖。  DRAM的大小每塊板卡可能不同,一般在官網(wǎng)中對應板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如,PXIe-7966R就有512M的DRAM空間。  http://sine.ni.com/n
        • 關(guān)鍵字: FPGA  DRAM  

        內(nèi)存條掀起的漲價潮:國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家

        •   “2017年DRAM價格漲幅將達到39%”,ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下,以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。   DRAM作為半導體存儲器的產(chǎn)品類型之一,常見產(chǎn)品形態(tài)是內(nèi)存條,主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據(jù)京東商城官網(wǎng)顯示,金士頓DDR424008G臺式機內(nèi)存在半年內(nèi)價格從400元左右漲至800元左右,同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱,國產(chǎn)手機下半年仍會漲價,部分原因是內(nèi)存成本上升。   集邦咨詢半導體
        • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存條  DRAM  

        內(nèi)存條掀起的漲價潮:國產(chǎn)手機漲價 三星成最大贏家

        • 存儲器作為一種根據(jù)庫存、需求、產(chǎn)能因素變化而具有明顯周期性的行業(yè),這一輪漲價大幅增加了國產(chǎn)智能手機和PC廠商的成本,目前部分智能手機已經(jīng)漲價,幅度在100~500元不等。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  三星  

        威剛:DRAM缺貨延續(xù)至明年第2季

        •   臺灣內(nèi)存模塊廠威剛指出,由于服務器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續(xù)回溫, DDR4 在需求面三箭齊發(fā)下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續(xù)走揚,PC 大廠及渠道客戶也積極備貨,NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下,價格仍呈多頭格局。   威剛進一步指出,在國際數(shù)據(jù)中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下,全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產(chǎn)線的投入,上游 DRAM 廠多以移轉(zhuǎn) PC DRAM 產(chǎn)能因應,導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產(chǎn)能排擠效應,
        • 關(guān)鍵字: 威剛  DRAM  

        分析師:顯卡價格將水漲船高 短期不可能回落

        •   AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產(chǎn)品相匹敵,因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是,分析師卻并不這么認為。   日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為,NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲,銷量可能也會超過預期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家,而是加密貨幣礦工。   由于需求增長幅度如此之高,供應鏈也遭遇了非常大的壓力,因為制造顯卡所需的DRAM已經(jīng)開始出現(xiàn)短缺。根據(jù)行業(yè)研究公司ICInsight的預計,DRAM的每比特價格將提高40%,
        • 關(guān)鍵字: 顯卡  DRAM  

        晉華明年第四季完成DRAM第一階段開發(fā)

        •   聯(lián)電和兩名員工遭到內(nèi)存大廠美光指控妨礙營業(yè)秘密,并遭到臺中地檢署起訴,共同總經(jīng)理簡山杰認為是遭到「商業(yè)間諜」構(gòu)陷入罪,但強調(diào)DRAM計劃不變,將于明年第4季完成第一階段技術(shù)開發(fā)。   聯(lián)電DRAM項目主要與福建晉華合作。   簡山杰表示,對于司法中的案件原本不應多言,但聯(lián)電極有可能碰到所謂的「商業(yè)間諜」,高度懷疑「帶槍投靠」是假的,可能「構(gòu)陷入罪」才是真。 簡山杰質(zhì)疑,主要涉案員工夫婦本來都在美光上班,其中先生去年4月主動跳槽聯(lián)電;據(jù)說,遭檢方搜索以后,妻子就被美光停職;涉案人全數(shù)認罪后,妻子就復
        • 關(guān)鍵字: 晉華  DRAM  

        將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

        • 員工有無竊取機密資料可以查證,企業(yè)有無教唆員工偷竊,也可以透過證據(jù)來佐證,但如何定義一家企業(yè)“積極”與“未積極”防范∕規(guī)范員工的行為,這十分兩難。
        • 關(guān)鍵字: DRAM  存儲器  

        看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM

        •   你如果問當前內(nèi)存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內(nèi)存市場,當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過,在內(nèi)存天下三分的大背景下,新一代存儲技術(shù)3D X-point、MRAM、RRAM等開始發(fā)出聲音, RRAM非易失性閃存技術(shù)是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發(fā)展進程已經(jīng)超越了英特爾的3D X-point技術(shù), Crossbar公司市場和業(yè)務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術(shù)研討會上接受與非網(wǎng)的采訪時說:&ldquo
        • 關(guān)鍵字: RRAM  DRAM  

        將DRAM技術(shù)根留臺灣的聯(lián)電 為何硬被扣上竊密罪

        •   聯(lián)電日前與大陸福建晉華合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子中,因有美光(Micron)的離職員工將技術(shù)帶到聯(lián)電任職,不只是員工個人被起訴,聯(lián)電也被臺中地檢署根據(jù)違反營業(yè)秘密法而被起訴,理由是“未積極防止侵害他人營業(yè)秘密”,因此視為共犯。   我們可以從三大層面來探討聯(lián)電和大陸合作開發(fā)DRAM技術(shù)的案子。第一,臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在這個合作案當中,損失了什么?;第二,聯(lián)電在建立DRAM自主技術(shù)的過程中,有無竊取美光技術(shù)?;第三,如果企業(yè)沒有教唆員工竊密,只因為“未積極防范&rdqu
        • 關(guān)鍵字: DRAM  聯(lián)電  
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