- 第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。
調研機構IC Insights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續維持第
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DDR4 DRAM
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
- IC Insights 對DRAM后市提出示警，預期下半年隨著供給增加，產品價格恐將下滑，DRAM 市場無可避免將展開周期性修正。
IC Insighta 指出，DRAM 價格自 2016 年中以來快速走高，據統計，DRAM 平均售價已自 2016 年 4 月的 2.41 美元，大幅攀高到今年 2 月的 3.7 美元，漲幅高達至 54%。
在產品價格大漲帶動下，IC Insights 預估，今年 DRAM 產值可望達 573 億美元規模，將較去年成長達 39%。
IC Insight
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DRAM
- 臺灣DRAM教父高啟全轉戰大陸紫光集團操盤存儲器大計劃超過1年，日前晉升長江存儲的執行董事、代行董事長，接受DIGITIMES獨家專訪公開未來規劃;他指出，已齊聚500名研發人員在武漢投入3D NAND開發，也考慮研發20/18納米DRAM，會在技術開發具競爭力后才開始投產，歡迎美光(Micron)加入合作，雙方合則兩利，且時間會對長江存儲有利!
長江存儲計劃存儲器的研發，制造基地在武漢、南京兩地，紫光2017年1月底資金到位，現階段長江存儲的股權結構是大基金占25%、湖北集成電路產業投資基金和
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長江存儲 DRAM
- 美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術遭到泄露，間接給大陸廠商和相關員工施壓，其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產業崛起的縮影之一
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晉華 DRAM
- 近日，有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區采取司法手段其防止技術遭遇泄露，目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發人員，目前已有上百人遭到約談。 市場更是傳出，美光這一行動已經波及聯電與大陸廠商晉華的合作事宜，導致后者出資在聯電臺灣南科廠設置的試產線停產。 不過，4月5日，聯電方面對外表示，確實有員工收到了訴訟通知，但只是個人行為，與公司無關。此外，聯電還表示，目前DRAM仍處制程技術開發階段，尚無試產線，并無外傳試產線暫停的情況，其DRAM技術的研發計劃也將持續不變。 根據集邦咨詢觀察，近年來，中國
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美光 DRAM
- DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停，促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長預估調升兩倍。
IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產值將成長 11%，兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。
IC Insights 現在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%，隨著報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。
IC Insights 指出
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存儲器 DRAM
- 2013年，中國從海外進口了2,330億美元的半導體，進口金額首度超越石油，也促成了中國「半導體產業發展綱要」的出現，并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年，半導體的進口金額維持2,307億美元的高檔，大約貢獻了全球29%的半導體需求量，但中國能自己供應的比重僅有4%。
中國政府希望到2020年為止，能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾，中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言，我們可以用「自建工廠」，發展3D Flash，也同步發展材料設備業等幾個字
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IC DRAM
- 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上，ISSI技術市場經理田步嚴介紹了車用存儲器市場，包括：信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
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汽車 SRAM DRAM SDRAM e.MMC 201704
- 自 2016 年中開始，DRAM 內存供貨不足，造成市場價格全面上漲的情況，如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內存的市場龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續召回部分序號的 18 奈米制程的內存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發生有瑕疵的狀況。 而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上，不僅是三星出現這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內存模塊都有類似的情形發生，如此也為 2017 年
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三星 DRAM
- 2017年3月22日，受工業和信息化部電子科學技術情報研究所委托，北京中企慧聯科技發展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。
北京中企慧聯評價機構嚴格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關規定和要求，秉承客觀、公正、獨立的原則，聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術總結報告，對評價資料進行了審查，經嚴格質詢和充分討論形成了評價意見。
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紫光國芯 DRAM
- 大陸存儲器正在迅猛發展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業間的專利大戰，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- 大陸存儲器正在迅猛發展，去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注，韓國業界對此評估稱，韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業間的專利大戰，SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組，以研究學習大陸商業法、專利法等相關法律。
據韓媒亞洲經濟引述SK海力士內部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
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SK海力士 DRAM
- Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產，并將以此建立Micron在臺之后段生產基地。Micron現已取得這新生產基地之所有權。
經由此收購案， Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據點，并專注于建立集中式的后段封測營運。
全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結合在同一地點，構建一個完整連貫的高效制造支援組織，
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Micron DRAM
- 什么是DRAM? DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據) 工作原理 動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。
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DRAM NAND
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