根據臺積電北美技術研討會的報告，代工臺積電不需要使用高數值孔徑極紫外光刻工具在其 A14 （1.4nm） 工藝上制造芯片。該公司在研討會上介紹了 A14 工藝，稱預計將于 2028 年投產。之前已經說過，A16 工藝將于 2026 年底出現，也不需要高 NA EUVL 工具。“從 2nm 到 A14，我們不必使用高 NA，但我們可以在加工步驟方面繼續保持類似的復雜性，”據報道，業務發展高級副總裁 Kevin Zhang 在發布會上說。這與英特爾形成鮮明對比，英特爾在積極采用高 NA 方面一直積極實施一項計
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臺積電 高NA EUV 光刻技術
6月16日消息，ASML去年底向Intel交付了全球第一臺High NA EUV極紫外光刻機，同時正在研究更強大的Hyper NA EUV光刻機，預計可將半導體工藝推進到0.2nm左右，也就是2埃米。ASML第一代Low NA EUV光刻機孔徑數值只有0.33，對應產品命名NXE系列，包括已有的3400B/C、3600D、3800E，以及未來的4000F、4200G、4X00。該系列預計到2025年可以量產2nm，再往后就得加入多重曝光，預計到2027年能實現1.4nm的量產。High NA光刻機升級到了
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ASML 光刻機 高NA EUV 0.2nm
6月6日消息，據外媒報道稱，ASML將在今年向臺積電交付旗下最先進的光刻機，單臺造價達3.8億美元。報道中提到，ASML首席財務官Roger Dassen在最近的一次電話會議上告訴分析師，公司兩大客戶臺積電和英特爾將在今年年底前獲得所謂的高數值孔徑（高NA）極紫外（EUV）光刻系統。英特爾此前已經訂購了最新的高NA EUV設備，第一臺設備已于12月底運往俄勒岡州的一家工廠。目前尚不清楚ASML最大的EUV客戶臺積電何時會收到設備。據悉，這些機器每臺造價3.5億歐元（3.8億美元），重量相當于兩架空中客車A
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ASML 光刻機 高NA EUV
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