- 美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)等機構共同宣布，世界上首個22納米節點靜態存儲單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環境下，制造出有效存儲單元。
22納米節點靜態存儲單元SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在紐
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IBM SRAM 22納米 32納米
- 瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網絡內高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產品系列。這些SRAM產品不僅符合QDR聯盟*2行業標準要求，還實現了72Mb四倍數據速率II+(QDRTM II+)和雙數據速率II+(DDRII+)的業內最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續進行銷售。
新產品特性如下：
(1) 業內最高的工作速度：533 MHz(Q
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瑞薩 SRAM DDRII
- 臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領先專業積體電路制造服務領域，成功開發28納米低耗電技術，同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導體可以持續往先進工藝技術推進。此一工藝技術的優勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統類比/射頻/電子熔線(analog
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臺積電 SRAM 28納米 低耗電 氮氧化硅 多晶硅
- 賽普拉斯-SRAM 領域的業界領先公司，日前宣布，該公司在業界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發的工藝技術。新型 SRAM 實現了目前市場上最快的 550 MHz時鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實現高達 80
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賽普拉斯 納米 SRAM
- 2009年4月8日，北京訊，日前，賽普拉斯半導體公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和兩款快速異步 SRAM，進一步豐富了其業界領先的產品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市場上密度最大的低功耗 SRAM，旨在延長高端銷售點終端、游戲應用、VoIP 電話、手持消費和醫療設備等應用的電池工作時間。新推出的 3 兆比特和6兆比特快速異步 SRAM 與 24 位寬的處理器相連接，能充分滿足音頻處理、無線和網絡等應用
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Cypress SRAM
- 本文提出在FPGA芯片內插入多條移位寄存器鏈的方法，可使測試開關盒連線資源的時問比傳統的測試方法和已有的一種方法時間上減少了99％以上，大大降低了測試的時間，降低了測試成本，并且消耗的硬件面積比大約在5％左右，在可接受的范圍內。
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SRAM FPGA 資源 可測性設計
- 微控制器環境要求在盡可能小的封裝里實現最多的通用I／O。存微控制器尺寸和成本的限制下，M4K內核內部不支持指令高速緩存(I-cache)或數據高速緩存(D-cache)的標準功能。但MIPS32 M4K內核所具有的一些特點使其非常適用于微控制器應用領域。這就涉及到本文重點討論的一個內容--SRAM接口，這是MIPS32 M4K內核的一個標準功能。
微控制器應用需要僅用最少的接口邏輯就可以在處理器內核和存儲系統之間實現緊密耦合。MIPS32M4K內核SRAM接口就是一個比較完美的解決方案。
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微控制器 I／O MIPS32 SRAM 接口
- 1 引言
在一些需要特殊運算的應用電路中，只讀存儲器ROM是關鍵元件，設計人員通常利用ROM創建各種查找表，從而簡化電路設計，提高電路的處理速度和穩定性。FPGA是基于SRAM的可編程器件。掉電后FPGA上的配置信息將全部丟失，所以由FPGA構造的數字系統在每次上電后要依賴于外部存儲器來主動配置或在線被動配置。真正意義上的ROM應具有掉電后信息不丟失的特性，因此利用FPGA實現的ROM只能認為器件處于用戶狀態時具備ROM功能。使用時不必要刻意劃分，而ROM單元的初始化則是設計人員必須面對的問題。
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FPGA ROM mit文件 SRAM
- IBM周一宣布，已生產出首個22納米工藝SRAM（靜態存儲器）單元。
據國外媒體報道，SRAM芯片是半導體產業試驗新工藝的設備，速度更快、體積更小且技術更復雜，主要負責在數據被處理之前暫時存儲數據。
IBM認為SRAM芯片的生產是縮小整個微處理器體積的重要一步。SRAM芯片將使22納米處理器性能大幅提高，并減少耗電。
IBM希望，到2011年能夠制造出22納米制程處理器。IBM研究機構副總裁陳博士表示：“隨著處理器內核數量增多，人們對微處理器中存儲器的需求也在日漸增加。為
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IBM SRAM 靜態存儲器 22納米
- 8月18日，美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院（CNSE）等機構共同宣布，世界上首個22納米節點有效靜態隨機存儲器（SRAM）研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環境下，制造出有效存儲單元。
SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
新的研究工作是在
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AMD SRAM IBM 存儲單元
- 1 引言
ARM(Advanced RISC Machines)既可以認為是一個公司。也可以認為是對一類微處理器的統稱，還可以認為是一項技術。基于ARM技術的微處理器應用約占據了32位RISC微處理器75％以上的市場份額，ARM技術正在逐步滲入到人們生活的各個方面[1]。到目前為止，ARM微處理器及技術已經廣泛應用到各個領域，包括工業控制領域、網絡應用、消費類電子產品、成像和安全產品等。
FPGA(Field Programmable Gate Array)是一種高密度現場可編程邏輯器件，
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ARM 嵌入式 FPGA SRAM
- FPGA（現場可編程邏輯器件）產品的應用領域已經從原來的通信擴展到消費電子、汽車電子、工業控制、測試測量等廣泛的領域。而應用的變化也使FPGA產品近幾年的演進趨勢越來越明顯：一方面，FPGA供應商致力于采用當前最先進的工藝來提升產品的性能，降低產品的成本；另一方面，越來越多的通用IP（知識產權）或客戶定制IP被引入FPGA中，以滿足客戶產品快速上市的要求。此外，FPGA企業都在大力降低產品的功耗，滿足業界越來越苛刻的低功耗需求。
第一時間采用新工藝提升性能降低成本
半導體產品的集成度和成本
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FPGA ASIC SRAM 低功耗
- 音頻延時器可用于廣播電臺直播節目。它將音頻信號延時一段時間后播出,以避免主持人的口誤或聽眾熱線中聽眾的一些不健康言論通過廣播媒體傳播,從而實現直播節目的安全播出。作為廣播級設備,音頻延時器對動態范圍、失真、信噪比和頻率響應等性能指標要求很高,因此一般采用數字技術。采用計算機內置全雙工聲卡硬盤,可以以軟件方式實現音頻信號眨時,但使用操作不方便,可靠性較差,性能價格比較低。本文提出的基于高精度∑-ΔADC和DSP芯片的廣播級數字音頻延時器,具有性能指標高、操作簡便、功能齊全等特點,該設
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DSP 音頻延時器 ADC SRAM
- 假設8個月前你駕車駛上了一個帶急轉彎的高速公路坡道。由于轉彎時速度太快，汽車自動采取了主動安全和懸掛措施來避免駛離道路。
主動安全措施包括汽車制動、電子穩定控制和安全帶的預拉。智能汽車可以記憶曾采取的主動安全措施以及當時的速度、GPS位置和軸承的情況。
現在假設你的配偶正在前述坡道上駕車行駛，但這次是在下雨天。通過調用8個月前記憶的坡道位置和車輛軸承情況，以及了解當前路況的濕滑程度，智能汽車能提前采取正確措施來防止汽車滑出坡道并撞上迎面而來的卡車。
上述事例展示了全面調用(total
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存儲器 智能汽車 SRAM 導航 電子穩定控制
- 美國飛思卡爾半導體（FreescaleSemiconductor）上市了配備Power架構CPU內核“e200z0”的車用32bit微控制器的三個系列“MPC560xP”、“MPC560xS”及“MPC560xB”（英文發布資料）。這些產品均為與意法合資的意法半導體（STMicroelectronics）聯合開發。采用了90nm工藝技術制造。
MPC560xP系列適用于汽車的底盤及安全控制。主要用
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飛思卡爾 意法半導體 MPC560xS SRAM CPU
靜態隨機存儲器（sram）介紹
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