閃存文章最新資訊

Intel鎂光新加坡閃存合資廠舉辦正式開業(yè)儀式

　　Intel與鎂光的閃存合資企業(yè)IMFT在新加坡的新閃存工廠近日舉辦了正式開業(yè)儀式。這間工廠耗資近30億美元，員工人數(shù)有望達到1200人。這間工廠從去年中期開始已經(jīng)在生產(chǎn)25nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前正在提升該產(chǎn)品的產(chǎn)量，預計今年晚些時候該廠將能開足馬力進行生產(chǎn)。　
關鍵字： Intel 閃存

英特爾稱其20納米閃存技術領先三星

　　英特爾與美光稱上周宣布了20納米Nand閃存制造技術，英特爾稱利用這一技術將有望制造出業(yè)界體積最小、密度最高的閃存裝置。　　英特爾的非揮發(fā)性內存解決方案部門的總經(jīng)理Tom Rampone表示，“英特爾與美光的合作是制造業(yè)的楷模，因為我們將會在制程技術上持續(xù)領導業(yè)界轉換至越來越微小的技術。”
關鍵字：英特爾 20納米閃存

NAND閃存市場或將“崩盤”

　　在2011年的國際固態(tài)電路會議(ISSCC)上，海力士、三星和東芝公布了各自關于尖端NAND部件的更多細節(jié)。　　在一段時間內，由于手機、平板電腦和固態(tài)存儲等產(chǎn)品市場的強勁需求，NAND閃存廠商一直有著驚人的增長速度。　　
關鍵字： NAND 閃存

全新Spansion閃存產(chǎn)品為嵌入式應用提供突破性能

　　Spansion公司(NYSE: CODE)今天宣布已經(jīng)擴大業(yè)內最快速的NOR閃存產(chǎn)品系列，從而為新一代汽車、消費電子和游戲等應用注入強勁創(chuàng)新力。Spansion GL-S系列針對快速數(shù)據(jù)訪問、提升互動性和啟動性能而開發(fā)，使得電子設備在按鍵后幾乎能夠立即啟動，提供最快的交互用戶體驗。這次擴大的GL-S系列密度范圍包括128Mb至2Gb，相比同類競爭NOR產(chǎn)品性能優(yōu)勢提升最高達45%。　　Spansion GL-S系列產(chǎn)品是基于獲得高度成功的、針對交互游戲應用的2Gb GL-S產(chǎn)品，該產(chǎn)品已于2
關鍵字： Spansion 閃存嵌入式應用

CSR采用TSMC先進技術推出新一代無線產(chǎn)品

　　無線連接、定位與音頻平臺領導廠商CSR與TSMC昨日共同發(fā)布擴大雙方合作關系，CSR已采用TSMC先進的90納米嵌入式閃存制程技術、硅知識產(chǎn)權與射頻CMOS制程推出新一代的無線產(chǎn)品。　　
關鍵字： CSR 閃存 CSR8600

閃存要成為硬盤的終結者

　　根據(jù)摩爾定律，性價比更高的閃存將取代硬盤，飛快占領存儲市場。　　有些嘎吱作響的東西很容易讓人聯(lián)想到文物，比如硬盤。　　
關鍵字：閃迪公司閃存

采用閃存的微控制器在代碼發(fā)布中的代碼保護

包裝信息可能包含：指定目標設備、代碼版本、大小、日期和其它對用戶有用的信息。這個信息可警告操作員正在使用一個較低版本的固件，從而會使設備的部分性能降低，或者正在裝載一個不支持的指定設備。在如今競爭激烈
關鍵字：閃存代碼發(fā)布代碼保護

SanDisk聯(lián)手東芝進軍10nm級別閃存工藝

　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資。” 　　
關鍵字： SanDisk 10nm 閃存

2011年NAND閃存銷售額將進一步增長

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費電子產(chǎn)品的事實性存儲媒介，NAND閃存2011年將再度實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。　　2010年NAND閃存銷售額創(chuàng)下最高紀錄，增長38%。預計今年銷售額將達到220億美元，比2010年的187億美元增長18%。而NAND閃存比特出貨量增長幅度更大，預計2011年增長72%，達到193億GB。　　盡管增長勢頭強勁，但2011年底市場形勢可能發(fā)生變化。考慮到目前市場中樂觀氣氛彌漫，而且供應商可能過度投資擴大生產(chǎn)，風險可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時供應可能超過需求。預計201
關鍵字： NAND 閃存

美ITC裁定三星及其客戶未侵犯飛索閃存專利

　　據(jù)國外媒體報道，美國國際貿易委員會(以下簡稱“ITC”)當?shù)貢r間周四裁定，三星及其客戶沒有侵犯飛索半導體(以下簡稱“飛索”)的兩項芯片專利。　　如果三星及其客戶侵犯了飛索的專利，蘋果、RIM等公司的多項產(chǎn)品將被禁止進入美國市場。飛索曾經(jīng)是NOR閃存領域的領頭羊。　　
關鍵字：三星閃存

產(chǎn)業(yè)聯(lián)手支持JEDEC統(tǒng)一閃存標準

　　JEDEC 固態(tài)技術協(xié)會, 微電子產(chǎn)業(yè)全球領導標準制定機構日前宣布，將于近期發(fā)布下一代閃存存儲器標準 - 。在近期所舉辦的JEDEC委員會上，該標準制定取得的重大進展。該標準旨在成為智能手機與平板電腦等移動電子設備所使用的基于閃存的最先進的存儲規(guī)范。UFS標準的開發(fā)宗旨是為了滿足不斷提高的設備性能需求。其最初所支持的數(shù)據(jù)吞吐速率是每秒300兆字節(jié)，并支持指令排隊功能，以便提高隨機讀寫速度。該標準預計將在未來3個月內完成。　　
關鍵字：閃存 JEDEC

基于SPIFI外設的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案

基于SPIFI外設的Cortex-M MCU嵌入式閃存選型解決方案,新型恩智浦ARM Cortex-M3微控制器首次采用的SPI閃存接口技術(SPIFI，已申請專利)可以幫助32位嵌入式系統(tǒng)設計人員以小尺寸、低成本的串行閃存替代大尺寸、高成本的并行閃存。利用SPIFI (讀音與spiffy諧音，意為ldquo
關鍵字：閃存選型解決方案嵌入式 MCU SPIFI 外設 Cortex-M

美光發(fā)布25nm閃存芯片

　　正當涉足NAND閃存業(yè)務整整一年之際，美光于12月2日新推出一種功能強大且封裝緊密的25nm MLC處理器，這可使美光在當前的閃存市場處于更加有利的地位。　　這款命名為ClearNAND的芯片分為標準型和增強型兩個版本，標準版的存儲容量為8GB和32GB， ClearNAND增強版的存儲容量為16GB和64GB。　　
關鍵字：美光閃存 ClearNAND

海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

　　海力士半導體(Hynix)M8產(chǎn)線未來將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報導，近期海力士以部分IC設計公司為對象，提出運用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導體、發(fā)光二極管(LED)驅動芯片、顯示器用驅動芯片(DDI)、傳感器專門IC設計等企業(yè)皆為協(xié)商對象。　　
關鍵字：海力士閃存

應用于閃存微控制器的“新閃存”架構技術

應用于閃存微控制器的“新閃存”架構技術,　　簡介　　嵌入式微控制器越來越多樣化，可以滿足嵌入式系統(tǒng)市場的應用需求，而主流已經(jīng)從傳統(tǒng)的掩模ROM微控制器轉向了內置閃存(可擦寫的非易失性只讀存儲器)的閃存微控制器。　　閃存微控制器目前有兩種主要應用：
關鍵字：閃存技術架構控制器應用

共577條 23/39 |‹ « 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]