去年，日本東芝公司和美國貝恩資本領軍的財團達成協議，以180億美元變賣寶貴的閃存芯片業務。據外媒最新消息，這一交易無法在預期的三月底(本財年結束)獲得通過，但這將是東芝的一個好消息，東芝有望獲得更高的賣價，或選擇上市。
據彭博社引述消息人士報道，目前中國政府相關部門正在審核東芝轉讓閃存業務的交易，目前仍然未批準，另外在三月底之前通過審批的可能性不大。
日本一位科技行業分析師表示，東芝在三月底之前完成這一交易的可能性非常微小，中國相關機構不太可能執行一個有利于東芝公司的時間表。
東芝是
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東芝 閃存
據外媒報道指蘋果正與中國閃存廠商長江存儲商談采用后者生產的NAND flash芯片，后者預計今年底開始投產NAND flash芯片，剛剛投產就能獲得蘋果這個大客戶的青睞將有助于后者迅速在該領域取得成功。
閃存領域需要新的競爭者
在過去十幾年，在NAND flash領域占據優勢的是三星、東芝等閃存廠商，幾大廠商合計占有全球NAND flash市場份額高達80%，在這些廠商當中，三星以近四成的市場份額占有該市場第一位的市場份額。
過去幾年由于PC從傳統機械硬盤轉換為閃
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閃存 蘋果
近日，根據一份來自IDC最新的有關企業級SSD閃存市場的報告顯示，SSD企業級市場未來前景依然強勁，2016年到2021年期間，出貨量、收入和總出貨容量預計都會呈現顯著增長。IDC預計全球SSD出貨量的5年復合年增長率將達到15.1%。SSD行業收入預計到2021年達到336億美元，復合年增長率為14.8%。
SSD市場前景改善的關鍵因素是產品可用性的提升，以及更好的定價動態，因為整個行業都在向3D NAND閃存過渡。IDC認為，目前NAND閃存供應的限制將在2018年開始減少，并進一步推動整個
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閃存
半導體指數在兩年的上漲中上漲了92%。
投資者應該有選擇性地選擇證券，并關注需求放緩。
分析人士認為，不要指望今年半導體類股的領先市場表現會在2018年重演。
盡管近期出現拋售，費城半導體指數自2016年初以來已經上漲了92%，并有望連續第二年超過所有11個標準普爾板塊，這是由于獲利增加和前所未有的整合期。
盡管這一趨勢并沒有令分析師們感到悲觀，但一些分析師建議投資者要謹慎選擇，并警惕需求放緩和庫存水平上升的跡象。
以下是分析師對2018年的看
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半導體 閃存
紫光集團董事長趙偉國近日在第四屆世界互聯網大會表示，近年來，紫光集團把企業發展的重點聚焦在了集成電路上。在移動領域，紫光現在每年向全球提供的手機芯片超過7億部套片;在存儲領域，紫光已經研發出了32層64G的完全自主知識產權的三維閃存芯片，明年將實現量產。
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紫光 閃存
三星宣布512GB閃存已進入量產，意謂著明年Galaxy S9與Galaxy Note 9等新旗艦機儲存容量有望從當前最大256GB翻倍成長。
512GB閃存主要因應4K超高分辨率影片的錄制需求增加，據三星表示，新內存芯片可容納130個10分鐘4K短片。 (日經新聞)
三星從2015年開發出128GB內存以來，已連續三年將內存逐年倍增，成功將3D 64層閃存商業化。 展望未來，三星將再推出96層3D堆棧閃存。
目前iPad Pro、微軟Surface平板均有提供512GB機種，不過三
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三星 閃存
自2016年一季度以來半導體行業所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權難以為繼，NAND閃存超級周期料將發生逆轉。
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內存 閃存
摩根士丹利(Morgan Stanley，大摩)26日以明年存儲器芯片獲利恐難顯著成長為由，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)投資評等自“加碼”降至“中性權重”，目標價下修3.4%至280萬韓元。大摩指出，隨著NAND型快閃存儲器報價在2017年第四季開始反轉，下行風險隨之升高;在此同時，2018年第一季以后的DRAM供需能見度也已降低。自2016年一季度以來半導體行業所享受的強勁市場需求和史無前例的定價權難以為繼，N
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內存 閃存
2017年9月5日，工信部首次發布《中國電子信息產業綜合發展指數研究報告》，其中電子信息制造業綜合指數專門針對我國產業進行規模、效益、研發、環境等全方位的評價，并包括全國、分地區和分行業三大細分指數。行業綜合發展指數主要通過我國與全球同行業比較的方式，明確我國產業的發展水平和特點，手機行業作為了行業綜合發展指數評價的首個領域。
2016年，手機行業綜合發展指數132分，相比2015年分數提升20%，呈現連續兩年增長的態勢。其中除產業效益指標得分相比2015年有所下降外，其他四個一級指標均呈現上漲
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OLED 閃存
Flash存儲器閃存工作原理及具體步驟-什么是閃存？閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和柵極。柵極與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，用來保護浮置柵極中的電荷不會泄漏。
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flash存儲器 閃存
內存顆粒漲價狂潮，來了解一下MLC NAND閃存下的技術細節-2006年初，美光科技公司與英特爾公司的合作企業IM Flash Technologies公司（IMFT）在市場上閃亮登場。通過整合Intel公司的NOR多層單元（MLC）閃存技術與美光的DRAM和NAND閃存的制造效率和創新性，并且在兩個母公司強大的IP庫支持下，IMFT在同一年推出的第一個產品就讓市場深受震動。
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NAND閃存 閃存
今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。
而需求方面，手機、服務器、數據中心依然表現強勢。
不過，來自集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩態局面。其中，供給側的產能將提升42.9%，而需求側，增長預計在37.7%。
目前在3D閃存方面，三星的轉產最為順利，已經在Q3開始量產64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。
據悉，在明年的所
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閃存 SSD
在過去幾年里，汽車應用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領域中的應用越來越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統 (ADAS)、數字儀表盤和信息娛樂等系統對NOR 閃存的市場需求迅猛增長。 高級駕駛輔助系統 針對提高駕駛安全性的高級駕駛輔助系統 (ADAS) 的市場發展快速增長。目前，大部分ADAS 應用主要是基于
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閃存 ADAS
9月6日，深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)，本文根據部分會議內容整理了國內外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
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閃存 NAND 3D Xpoint 201710
日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、海康存儲等企業重量級嘉賓，一起探討存儲產業未來發展和企業市場發展機會。峰會吸引全球近700家企業參會，其中包括東芝、西部數據、SK海力士、長江存儲、華為、聯想、中興、網易、騰訊、阿里巴巴等企業參會，涵蓋領域包括存儲企業、手機、電腦、汽車、工業、大數據應用等，參會觀眾超
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閃存 介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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