閃存文章最新資訊

市場報告：蘋果將在2015年購買全球25%閃存

　　根據(jù)臺灣市場研究公司Trendforce的最新報告，蘋果將在2015年購買全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。蘋果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋果通常會配備1GB運行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運行速度更快，不過增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤替代。在移
關鍵字：蘋果閃存

中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

　　雖然規(guī)模和技術遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準備進軍新的市場領域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術。　　中芯國際進軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
關鍵字：中芯國際閃存

SanDisk宣布11億美元收購Fusion-io

　　北京時間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購閃存設備制造商Fusion-io Inc(FIO)。　　根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價溢價21%。　　SanDisk預計此項交易將于其第三財季完成，并將幫助提高其下半財年調(diào)整后每股盈利。　　Fusion-io位于美國鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
關鍵字： SanDisk 閃存

東芝開始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標準的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速MIPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
關鍵字：東芝嵌入式閃存

TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會社(社長：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關注，而在工業(yè)用途方面，預計M.2的采用也會得到推進。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。　　因此，考
關鍵字： TDK 閃存 SNG4A

Spansion 對旺宏電子發(fā)起另外兩項專利訴訟

　　行業(yè)領先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴大的存儲產(chǎn)品中，在過往以及當前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。　　涉案的四項專利主要與閃存的制造、結(jié)構以及使用相關。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
關鍵字： Spansion 旺宏 ITC 閃存

美光在上海加大研發(fā)，實現(xiàn)“中國設計”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因為中國“十二五”計劃當中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合。　　目前美光在上海有兩個設計中心，主要是做硬件和集成電路設計，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實驗室，旨在與客戶實現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
關鍵字： NOR 智慧城市節(jié)能環(huán)保閃存

LSI Nytro新品支持橫向擴展

　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應用快速增長。　　LSI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進一步擴展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設計用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴展服務器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍。　　LSI?&nb
關鍵字： Nytro LSI 閃存

英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求

　　在今天開幕的英特爾信息技術峰會(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當今固態(tài)盤(SSD)的市場狀況、發(fā)展趨勢以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務的策略進行了全面剖析。　　日益增長的固態(tài)盤市場需求　　從1987年至今，非易失性存儲器也早已從NOR時代切換到了NAND時代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時代進入了TB時代。“首先，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場需求方面，將保持高速成長的勢頭，”?
關鍵字：英特爾 SSD TB 閃存

Spansion 與 ISSI 簽署授權協(xié)議

　　全球行業(yè)領先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商?Spansion?公司與先進存儲與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專利組合，以開發(fā)與生產(chǎn)特殊閃存產(chǎn)品。　　ISSI?閃存業(yè)務開發(fā)部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對于能夠與Spansion&n
關鍵字： Spansion ISSI 閃存

一種采用分離柵極閃存單元實現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測試結(jié)構

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP應用的理想選擇，其架構和許多增強功能可改善芯片集成度、IP使用率和測試時間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測方案。
關鍵字：可編程閃存 SRAM SST SCE

RL78代碼閃存自編程期間響應外圍中斷的方法

　　RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶代碼及數(shù)據(jù)的存儲。對于無內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲數(shù)據(jù)，通常是成本導向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
關鍵字：閃存編程 RL78

瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝

　　全球領先的半導體及解決方案供應商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項應用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產(chǎn)權(IP)。　　現(xiàn)代發(fā)動機油耗不斷降低，要求新型控制機制能夠?qū)率饺紵椒ǖ囊胍约靶⌒突鶐淼倪M一步系統(tǒng)升級。高速實時處理，例如根據(jù)對多個傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進行動態(tài)切換將成為必備功能，車用MCU中將需要具備當前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車臨時停車時關掉發(fā)
關鍵字：瑞薩 MCU 28nm 閃存

Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

全球行業(yè)領先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
關鍵字： Spansion 嵌入式閃存

LSI加盟OCP并貢獻多款設計

LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開放計算項目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻兩款存儲基礎架構參考設計。
關鍵字： LSI OCP 閃存

共577條 15/39 |‹ « 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 » ›|

閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]