2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
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存儲 三星 鎂光 海力士 NAND
IT之家 12 月 7 日消息，美光科技公司今天宣布，正在向全球 PC OEM 客戶運送美光 2550 NVMe 固態硬盤，用于主流筆記本電腦和臺式機。美光 2550 SSD 采用 232 層 NAND 技術，是全球首款使用超過 200 層 NAND 的消費級固態硬盤（client SSD）。美光公司客戶存儲部副總裁兼總經理 Praveen Vaidyanathan 說：“我們專注于通過這款固態硬盤為 PC 用戶提供卓越的用戶體驗。新的 2550 固態硬盤建立在我們已經建立并廣泛采用的 PCIe
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鎂光 SSD
中關村在線消息，近日有國外分析機構表示，美光在2021年的37億美元的汽車內存市場總份額為55.0%，比2020年的53.9%略有上升。在整個汽車半導體市場516億美元的份額為3.9%，比2020年的3.4%略有上升。而在整個消費半導體市場方面，2021年美光在全球消費半導體市場468億美元的份額為2.5%，比2020年的2.8%略有下降。同時，美光在全球智能手機半導體市場881億美元的份額在2021年為8.2%，低于2020年的10.3%。隨著汽車智能化、網聯化的發展，車輛需要處理和存儲更多的視頻、語音
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今天，美光宣布正向客戶提供世界上容量最大的microSD卡i400樣品，其容量達到1.5TB，而且搭載176層3D NAND，專為工業級視頻安全而設計。官方稱，i400具有包括五年高質量連續24x7錄制，能夠同時處理4K視頻錄制和每秒最多8個AI事件，平均故障時間為200萬小時這些功能和性能。值得一提的是，在今年年初，美光已批量出貨全球首款176層QLC (四層單元) NAND SSD，而且已通過美光 2400 SSD問世。
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過去十二個月里，有關存儲技術最新進展的宣傳報道一直甚囂塵上，其中包括新型非易失性存儲器(如：三星[Samsung]的Z-NAND以及英特爾[Intel]和鎂光科技[Micron]的3D Xpoint)。非易失性存儲器標準(NVMe)等新型接口和更現代化的軟件也正日益普及，力圖減少因過去30年內CPU發展所導致的數據中心IT基礎架構不平衡。這些接口可以實現應用程序的低延遲和高性能數據存取，尤其是對于SQL/ NoSQL數據、高性能計算工作負載和大數據應用。 這些創新有望彌合數據中心
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今天，鎂光正式公布了DDR5內存的詳細規格。作為DDR4內存的繼任者，DDR5內存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來看，DDR5內存將從8GB容量起步，最高可達單條32GB，I/O帶寬能達到3.2-6.4Gbps，同時電壓1.1V，內存帶寬將為DDR4內存的兩倍。
此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內存將從3200Mhz起步，主流內存頻率可達6400Mhz。
同時，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內存樣品，并將在2019年實現正式量產。
據業內人士估計
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近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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鎂光 3D閃存
近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據 PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協議。
鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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鎂光 NAND
瑞士信貸所近日發布研究報告稱，Intel將暫定對中國大連記憶體生產線的擴建計劃，轉而尋求直接收購鎂光科技，以迅速擴大在該領域的實力。
半導體市場的并購風潮仍在持續演進中，日前有消息稱，鎂光也正在考慮引進戰略投資者，甚至不排除選擇被直接并購。
目前以清華紫光集團為代表的中國企業也在對鎂光虎視眈眈，在去年時，紫光就曾計劃出資200多億美元收購鎂光科技，不過，由于半導體高科技領域的敏感性，該交易最終被美國政府監管機構所拒絕。不過，中國公司仍然在試圖以入股方式與鎂光達成合作。
瑞士信貸所在報
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Intel 鎂光
英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術。
這一全新3D NAND技術由英特爾與鎂光聯合開發而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度。基于該技術，可打造出存儲容量比同類NAND技術高達三倍的存儲設備。該技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費類移動設備和要求最嚴苛的企業部署的需求。
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當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實際擴展極限
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英特爾 鎂光 3D NAND
閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。
TLC閃存每單元存儲3bit數據，它更高的密度的代價是相對較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態硬盤使用這種技術。
不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會用于可移動存儲市場，例如SD和USB閃存驅動
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盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉移，但按閃存業者的看法，只有將這些高級制程投入量產使用才較有實際意義。NAND閃存產品向更高級制程節點轉移時，所需的產品驗證時間越來越長，便是這一看法的明證之一。
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據美臺商會(US-Taiwan Business Council)的一份報告稱，鎂光公司可能會收購其參與合資的臺灣內存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報告稱：“美國內存芯片廠商 鎂光與南亞和華亞兩家內存芯片公司的關系一直非常密切。而且鎂光有可能會采取措施加強其與臺灣內存廠商的聯盟關系，因為近期有傳言稱臺灣第二大內存芯片廠 商南亞很可能會將其所持有的華亞公司股份出售給鎂光公司。”
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鎂光剛剛宣布基于50納米制程的2Gb DDR2芯片，主要面向平板電腦市場。
該芯片采用低電壓DDR2標準制造，可與英特爾開發代號Oak Trail的Atom系統協同工作，容量方面，該芯片從512Mb到2Gb不等，可構成從1GB到4GB的UDIMMS和SODIMMS內存條，實現8億MT/s傳輸能力。
得益于較小的制程，這款芯片可以工作在1.55V的低壓下，以降低系統的電源需求。
鎂光預計這種DD2存儲芯片將在2010年9月開始出樣，年末之前量產出貨。
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鎂光 50納米 DDR2
日本爾必達公司和臺灣南亞內存公司最近發表聲明稱公司愿意接受歐委會有關涉嫌惡意操縱內存芯片價格的處罰決定，不過同遭此指控的其它幾家內存廠商則尚未就 此事發表類似的聲明。
本月18日，歐委會宣布完成了內存芯片價格壟斷案的審理，據歐委會表示，此案涉及10家生產個人電腦/服務器產品用內存芯片品牌，開出的反壟斷罰金總額高達4.09億美元。除了爾必達和南亞之外，此案還涉及三星，Hynix以及鎂光等。不過由于鎂光在歐盟開始調查此案時主動采取坦白從寬的態度，承認自己涉嫌操縱內存芯片價格，因此歐委會決定網開一面赦
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