- 繼三星，力晶等內存芯片大廠對內存芯片產能提升事宜公開發表意見之后，鎂光公司近日也表態稱他們今年沒有提升內存芯片產能的計劃，鎂光表示他們將專注與縮 減內存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產品競爭力。不久前，三星公司芯片部門的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開表態稱內存芯片業者不應盲目表態將增加內存芯片的產量，而是應當把注意力放在提升產品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內存業者提升芯片產能時要非常謹慎，以避免犯下和過去一樣的錯誤。
2005年，全球多家內存芯片廠為了擴增
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鎂光 內存芯片
- 鎂光公司NAND閃存市場開發部門的經理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批量生產25nm制程NAND閃存芯片，并將于明年轉向更高級別的制程。他并表示鎂光也計劃開發自己的電荷捕獲型(charge trap flash (CTF))閃存技術，以取代現有的浮柵型( floating-gate)NAND閃存技術。
Killbuck還向Digitimes網站表示，鎂光的新款NAND閃存芯片將遵循新的EZ-NAND規范。目
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鎂光 NAND 25nm
- 鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別的同類產品已經在鎂光設在Boise的研發中心開始研制。
兩家廠商預計將于今年第二季度開始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產，并將于今年下半年開始量產這種產品。
兩家廠商宣稱其42nm制程DDR3內存芯片產品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。
這款42nm 2Gb
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鎂光 內存芯片 DDR3
- 鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產品線，一個原生6Gbps的SATA設備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發布。
這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設計，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預計將面向北美、英國和歐洲大陸發布，128GB版售價大約450美元。
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- 在本月22日召開的一次電話會議上，鎂光公司聲稱他們很快便會試制出2x nm制程NAND閃存芯片產品，并對其進行取樣測試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規格數字，但外界認為他們很可能會于明年初公布有關的細節信 息。這樣，鎂光及其NAND技術的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術，甩開對手三星和東芝，重新回到領先全球NAND制作技術的寶 座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創立有一家專門負責NAND業務的IM閃存技術公司。
除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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鎂光 NAND 閃存
- 鎂光34nm制程企業級MLC/SLC NAND閃存芯片已經進入試樣階段，MLC部分的存儲密度可達32Gb，寫入壽命達3萬次，是普通MLC產品的6倍;SLC部分存儲密度為16Gb，寫入壽命同樣為3萬次，是普通SLC產品的3倍.
鎂光這次開發成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規范(Open NAND Flash Interface)，數據傳輸率最高可達200MB/S，而且可以采用閃存封裝內部集成多片閃存芯片的封裝方案。
鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產。
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- 近日業界有猜測稱鎂光科技正在請求美國政府幫助游說臺灣內存公司（TMC），以便與TMC達成合作關系。TMC將于本月底對外正式公布自己的技術合作伙伴。
鎂光駁斥了這一猜測，他們宣稱自己通向TMC項目的大門并沒有被關閉，不過他們需要先與自己的臺灣合作商南亞洽談，以爭得對方的同意。
TMC負責人宣明智將在三月底對外公布TMC公司的技術合作伙伴。業界猜測他們可能會與日系爾必達與美系鎂光兩家廠商達成技術合作關系。
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