原先DRAM在半導體產品中最是動蕩不定，令人難以捉摸?？赏ㄟ^近年的整合，世界DRAM市場企穩：所存DRAM廠商已為數不多，如今三星、SK Hynix和Micron已成三巨頭鼎立之勢，且對DRAM都已不再有幾十億美元的大規模建設投資;產品應用從PC獨大擴展到了智能手機、平板電腦、網絡設備、車用電子等方方面面，增加了需求，(特別是移動DRAM)提高了價格;DRAM平均單價呈上升態勢。據市調公司IC Insights最近報告，2013年的DRAM平均單價幾乎月月上揚，2014年2月的售價為3.19美元，創2
關鍵字：
DRAM 半導體 201408
每年第二、三季均為半導體行業旺季，先進半導體(03355)的情況亦不例外，總裁兼執行董事王慶宇表示，第二季集團銷售大升近四成，而第三季訂單亦表現強勁，但未有透露詳情。他又說，目前內地市場佔集團收入僅20%，深信未來發展潛力巨大，將致力加強技術及設計服務能力，加大對服務平臺的投資，吸引更多內地客戶使用集團產品。
王慶宇表示，全球半導體市場已經在今年上半年展現出正增長，并有望在未來幾個月內保持成長的勢頭，主要得益于全球宏觀經濟環境的改善。鑒于集團的業務極易受經濟狀況、國際市場和半導體行業高周期性變化
關鍵字：
先進 半導體
2014年半導體產業好年冬，各廠紛紛調升資本支出，半導體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調升資本支出，晶圓代工廠產能滿載，DRAM和NANDFlash產業未來一年內也是供需健康，芯片價格走揚。
晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰局越來越激烈，28納米產能吃緊，20納米制程加入戰場，1
關鍵字：
半導體 SDRAM
行動裝置熱銷，激勵今年1至5月半導體產值噴發達6,003億元，創歷年同期新高。展望未來，經濟部統計處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統旺季，應能延續暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時間表。
經濟部統計處昨(5)日公布今年1至5月半導體產業統計數據，集成電路與半導體封測為我國半導體產業兩大主軸，合計兩者產值占整體逾九成，兩者今年1至5月產值皆創歷史同期新高，推升半導體產值續創新高。
楊貴顯說，去年半導體產值增速已達二位數成長，今年1至5月成長動能延續，上升至14.2%，凸顯半導體榮景
關鍵字：
半導體 DRAM
2014年半導體產業好年冬，各廠紛紛調升資本支出，半導體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調升資本支出，晶圓代工廠產能滿載，DRAM和NANDFlash產業未來一年內也是供需健康，芯片價格走揚。
晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰局越來越激烈，28納米產能吃緊，20納米制程加入戰場
關鍵字：
半導體 SDRAM
行動裝置熱銷，激勵今年1至5月半導體產值噴發達6,003億元，創歷年同期新高。展望未來，經濟部統計處副處長楊貴顯表示，第3季為傳統旺季，應能延續暢旺，第4季則視品牌大廠新品推陳出新時間表。
經濟部統計處昨(5)日公布今年1至5月半導體產業統計數據，集成電路與半導體封測為我國半導體產業兩大主軸，合計兩者產值占整體逾九成，兩者今年1至5月產值皆創歷史同期新高，推升半導體產值續創新高。
楊貴顯說，去年半導體產值增速已達二位數成長，今年1至5月成長動能延續，上升至14.2%，凸顯半導體榮景
關鍵字：
半導體 封測
IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢，是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，中國市場的諸多因素將推進IGBT應用的發展，在電力領域、消費電子、汽車電子、新能源等傳統和新興領域，市場前景廣闊。
關鍵字：
半導體 IGBT
以智慧型手機為首的行動裝置全球熱賣，帶動今年前5月半導體產值創下史上新高，達6003億元、年增14.2%。其中，低迷多年的DRAM出頭天，價量齊揚，以產值615億元也創下歷史新高，一口氣較去年同期成長56.9%。
半導體是臺灣重要的外銷產業之一，今年上半年南韓及日本的出口衰退最多，對馬來西亞及菲律賓的出口成長最快速。
經濟部今天公布上述臺灣半導體產值的統計結果。更進一步看，其中以積體電路業產值3916億元占65%為最大宗，半導體封裝及測試業產值1647億元占27%居次，2者合占逾9
關鍵字：
半導體 DRAM
日經新聞報導指出，鑒于全球半導體產業掀起碳化硅晶片潮流，日本電子業亦積極發展碳化硅晶片科技，并已運用于多項領域。預估日本國內電力半導體市場年產值可達約3000億日圓(28.8億美元)至4000億日圓間，碳化硅晶片市場料將上看100億日圓。除日本外，美國、歐洲國家也將碳化硅晶片視為重要趨勢，并推行相關國家計劃。另外南韓、臺灣晶圓大廠亦積極擴展至相關領域。
關鍵字：
半導體 碳化硅芯片
2014年上半SK海力士(SKHynix)業績告捷，在次世代存儲器技術競爭中也占據優勢，未來可望帶動版圖變化。
SK海力士的次世代存儲器獲全球系統芯片業者搭載在2016年以后上市產品，并進行性能測試，未來將有機會超越三星電子(SamsungElectronics)和美國美光(Micron)等競爭對手，在市場競爭中也將居優勢。
據韓國每日經濟報導，SK海力士的次世代超高速存儲器(HBM)將優先供應給AMD、NVIDIA等全球性系統芯片業者，搭載于次世代產品中進行測試。
SK
關鍵字：
SK海力士 半導體
2014年半導體產業好年冬，各廠紛紛調升資本支出，半導體三巨頭臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)資本支出維持高檔，GlobalFoundries、SK海力士(SKHynix)、中芯國際、東芝(Toshiba)、華亞科、華邦等也都調升資本支出，晶圓代工廠產能滿載，DRAM和NANDFlash產業未來一年內也是供需健康，芯片價格走揚。
晶圓代工廠2013年資本支出即明顯攀升，2014年眼見先進制程的戰局越來越激烈，28納米產能吃緊，20納米制程加入戰場
關鍵字：
半導體 芯片
近日綜合媒體報道：我國著名半導體器件物理學家、中國半導體科學奠基人之一、中科院院士王守武先生因病醫治無效，7月30日在美國逝世，享年95歲。
據了解，王守武先生曾組織領導并親自參加了我國第一臺單晶爐的設計、第一根鍺單晶的拉制、第一只鍺晶體管的研制和第一根硅單晶的拉制。1980年當選為中科院院士。
關鍵字：
半導體 晶體管
8月1日晚間，有研新材公告，公司擬將硅板塊全部資產和負債剝離給控股股東有研總院，后者以現金支付對價，交易價初步確定為約8.8億元。同時公司股票將于8月4日起復牌。
有研新材剝離的硅板塊資產包括三部分：一是有研新材直接持有的硅板塊全部資產;二是有研新材持有的國泰公司69.57%股權;三是全資子公司國晶公司持有的國泰公司30.43%股權。重組后，公司將集中精力發展具有更強競爭力的稀土材料、高純/超高純金屬材料和光電材料等先進功能材料業務。同時，交易所得現金也為公司未來在新材料領域進一步發展提供了
關鍵字：
半導體 硅材料
IGBT
是功率器件技術演變的最新產品，是未來功率器件的主流發展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復合器件。既有功率MOSFET易于驅動、控制簡單、開關頻率高的優點。又有功率晶體管的導通電壓低、通態電流大、損耗小的優點?；诩夹g和功能上的優勢，IGBT產品可以實現對以往功率器件產品的逐步替代。IGBT產品集合了高頻、高壓、大電流三大技術優勢。IGBT能夠實現節能減排，具有很好的環境保護效益。IGBT被公認為是電力電子技術第三次革命最具代表性的產品，是未來應
關鍵字：
半導體 IGBT
根據科技市調機構ICInsights統計，今(2014)年第1季(1-3月)英特爾(Intel)、三星電子(Samsung)與臺積電(2330)仍是全球半導體營收前三大半導體業者。另外，臺灣廠商的競爭力大增，聯發科(2454)與晨星的排名由去年同期的16名躍升至12名、聯電(2303)排名也從第21名晉級到第20名。
EEHerald3日報導，ICInsights研究報告顯示，今年Q1全球前20大半導體業者的銷售額年增9%至596.3億美元。有趣的是，前四大業者英特爾、三星、臺積電與高通都分
關鍵字：
半導體 元件制造
艾邁斯(ams)半導體介紹
您好，目前還沒有人創建詞條艾邁斯(ams)半導體!
歡迎您創建該詞條，闡述對艾邁斯(ams)半導體的理解，并與今后在此搜索艾邁斯(ams)半導體的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473