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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 脈寬調制(pwm)

        脈寬調制(pwm) 文章 最新資訊

        A Novel ZCS PWM Half- bridge Converter

        • 闡述了零電流開關(ZCS)技術在半橋變換器電路中的應用。從電路原理、各工作模態進行了分析,并給出了實驗結果。
        • 關鍵字: bridge  Converter  Half-  PWM  ZCS  Novel  

        新型有源箝位軟開關PWM控制器UCC289X的原理及應用

        • 介紹了電流控制型芯片UCC289X的基本原理,設計出了基于該芯片的同步整流有源箝位正激變換器的實用電路。實驗結果證明,該芯片具有較好的控制特性和穩定性。
        • 關鍵字: UCC289X  原理  應用  控制器  PWM  有源  開關  新型  

        PWM 應用中的低電壓反饋

        • PWM 應用中的低電壓反饋 作者:德州儀器 (TI) 電源控制產品部 Steve Mappus   就低電壓高電流電源應用而言,開關式電源門極驅動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯以滿足特定設計的高電流規范要求,因此單一集成電路控制器與驅動器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯可降低漏極到源極的導通電阻,并減少傳導損耗。但是,隨著并聯器件的增多,門極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內部阻抗大大低于驅動級,因此與驅動并聯組合相關的大多數功率損耗其形式都表現為
        • 關鍵字: PWM  其他IC  制程  

        PWM 應用中的低電壓反饋

        • 就低電壓高電流電源應用而言,開關式電源門極驅動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯以滿足特定設計的高電流規范要求,因此單一集成電路控制器與驅動器解決方案的方便性就不再是可行的選擇。MOSFET 并聯可降低漏極到源極的導通電阻,并減少傳導損耗。但是,隨著并聯器件的增多,門極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內部阻抗大大低于驅動級,因此與驅動并聯組合相關的大多數功率損耗其形式都表現為控制器集成電路的散熱。因此,許多單片解決方案的驅動級由于并聯組合的關系都無法有效地驅動更高的門極充電。
        • 關鍵字: PWM  

        三相高頻PWM整流器的預測電流控制

        • 研究了三相高頻PWM整流器的數學模型,分析了預測電流控制方法的基本原理,給出了電壓控制環路計算的方法。最后給出了實驗結果。
        • 關鍵字: 電流  控制  預測  整流器  高頻  PWM  三相  

        一種新穎的ZVZCS PWM全橋變換器

        • 提出了一種新穎的零電流零電壓開關(ZCZVS)PWM全橋變換器,通過增加一個輔助電路的方法實現了變換器的軟開關。
        • 關鍵字: 變換器  全橋  PWM  ZVZCS  新穎  

        用PWM放大器實現400Hz電源

        • 介紹了美國Apex Microtechnolgy公司生產的大功率PWM脈寬調制型放大器的基本工作原理及如何用它來設計400Hz/115V電源的具體方法。
        • 關鍵字: 電源  400Hz  實現  放大器  PWM  

        新一代單片PFC+PWM控制器

        SA8282三相PWM發生器的原理與應用

        集成PWM控制器在不間斷電源系統中的應用

        • 本文介紹SoC中常用的三種片上總線AMBA、Wishbone和Avalon,分析和比較其特性,并針對其不同的特點闡述其使用范圍。
        • 關鍵字: 系統  應用  電源  間斷  PWM  控制器  集成  

        一種基于CPLD的PWM控制電路設計

        多模高頻PWM控制器UCC39421/2及其應用

        TMS320F240片內PWM實現D/A擴展功能

        • 根據TMS320F240芯片的結構特點,提出一種新穎的基于TMS320F240的PWM輸出,實現D/A轉換擴展功能的設計方法。
        • 關鍵字: 擴展  功能  D/A  實現  片內  PWM  TMS320F240  

        PWM應用中的低電壓反饋

        • 2004年6月A版   就低電壓高電流電源應用而言,開關式電源柵極驅動要求特別重要。由于幾個 MOSFET 器件通常并聯以滿足特定設計的高電流規范要求,因此單一集成電路控制器與驅動器解決方案就變的不再可行。MOSFET 并聯可降低漏極到源極的導通電阻,并減少傳導損耗。但是,隨著并聯器件的增多,柵極充電的要求也迅速提高。由于 MOSFET 的內部阻抗大大低于驅動級,因此與驅動并聯組合相關的大多數功率損耗,其形式都表現為控制器集成電路的散熱。因此,許多單片解決方案的驅動級由于并聯組合的關系都無法有效地滿足
        • 關鍵字: PWM  模擬IC  電源  
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