650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現(xiàn)最大功率密度

　　英飛凌科技股份公司進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度日益增長的需求，適于使用自動化表面貼裝生產線。要求最大功率密度和能效的典型應用包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電池充電和蓄電等。

　　英飛凌的超薄TRENCHSTOP 5技術可以縮小芯片尺寸、提高功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產品，這個新的產品家族的額定參數(shù)高于市場上的所有其他產品，其他組合封裝解決方案的功率僅為其75%。

　　新器件的高功率密度允許設計人員升級現(xiàn)有設計，開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺，或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量，從而實現(xiàn)更緊湊的設計。獨一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247，用于表面貼裝。這可支持輕松焊接，實現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產線。

　　供貨情況

　　全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 650V IGBT已投入量產。產品家族包括15 A、20 A、30 A單管IGBT，以及15 A、20 A、30 A和40 A IGBT與相同電流參數(shù)飛輪二極管組合封裝解決方案。