- 本文主要研究了IGBT的驅動和短路保護問題,就其工作原理進行分析,設計出具有過流保護功能的驅動電路,并進行了仿真研究。
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設計 電路 保護 驅動 IGBT
- 上周,中國首批具有自主知識產權的大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產品,在山西北車永濟新時速電機電器公司下線,成功打破了國外對該項技術的長期壟斷。
中國北車永濟新時速電機電器有限責任公司董事長徐印平說,首批投入封裝生產線并成功封裝、順利通過動靜態試驗的“6500V/600A”IGBT產品是目前世界上電壓等級最高的產品,各項技術參數與國際標準相同。
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自動控制 IGBT
- IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論,介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用關鍵詞:IGBT;驅動保護電路;電源
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電路 應用 原理 保護 驅動 高壓 大功率 IGBT
- 引言
IGBT常用的驅動模塊有TLP250,以及EXB841/840系列的驅動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發現,由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態中,而處在這種狀態下的IGBT瞬時驅動
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IGBT 原理 大功率 驅動 2SD315AI 設計 利用
- 英飛凌科技股份有限公司與中國風電設備研發和制造的領軍企業 - 新疆金風科技股份有限公司,今日簽署了一份核心模塊技術引進協議。金風科技獲權在國內生產兆瓦級風力發電機組變流器所需的英飛凌模塊。
此外,英飛凌將向金風科技供應自產所需的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)部件。這些半導體能夠高效地將發電機的變頻輸出轉換為適合相應地區電網的固定頻率。
金風科技董事長武鋼先生在簽約儀式上表示:“該項技術引進及后續自產將有效確保變
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英飛凌 IGBT 變流器模塊
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出適用于DC-DC節能汽車應用的 AUIRS2191S 600V 驅動 IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 。
新器件具有非常快的開關速度和高功率密度,非常適合高頻 DC-DC 應用,包括用于電動汽車和混合動力電動汽車的高功率 DC-DC 開關電源 (SMPS) 轉換器。
AUIRS2191S
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IR IGBT
- 在全球的綠色能源發展趨勢下,越來越多的家用電器、照明設備、電動工具、不間斷電源系統(UPS)以及其它工業設備開始采用太陽能供電,將太陽能量轉換為所需的交流(AC)或直流(DC)電壓。 為高效率地產生這些設備所需
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太陽能 逆變器 設計 500W 開關 IGBT 作為 功率 采用
- 1 前言 用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
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IGBT 柵極電阻 開關特性 分析
- 據悉,在高壓變頻器中,約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器,這類產品的價格與質量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業的關注從來沒有放松過。2010年,他們發現國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。
2010年3月19日,國家發改委辦公廳發布《關于組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》,明確指出將組織實施新型電力電子器件產業化專項,以大力推進新型電力電子器件產業發展,努力掌握自主知識產權的芯片和器件的設計
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高壓變頻器 IGBT
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優化多種應用設計,包括馬達驅動、不間斷電源系統 (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關頻率和短路保護要求等應用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT,不但可以提供預估損耗,還可以建議一些能夠在給定限制條件內運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價,使設計人員能夠考慮有關器件的選擇對系統
- 關鍵字:
IR IGBT
- 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優化多種應用設計,包括馬達驅動、不間斷電源系統 (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
IR全新的IGBT在線選擇工具能評估總線電壓、開關頻率和短路保護要求等應用條件。新在線工具位于mypower.irf.com/IGBT,不但可以提供預估損耗,還可以建議一些能夠在給定限制條件內運行的器件。該工具還為每個零件提供了定價,使設計人員能夠考慮有關器件的選擇對系統
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IR IGBT
- 士蘭微擬同意在子公司士蘭集成內組建多芯片高壓功率模塊制造生產線,計劃從2010年起在未來的2--3年內安排投資13,500萬元,其中2010年投資2,500萬元。
士蘭微7月29日發布公告稱,公司第四屆董事會第九次會議審議通過《關于控股子公司組建功率模塊生產線項目的議案》。
多芯片高壓功率模塊組件因其具有較高的功率密度和可靠性、較高的集成度、安裝使用便捷等優點,而越來越受到市場的關注,應用的領域也越來越廣。目前采用芯片設計與制造一體化運行的士蘭微電子,通過芯片設計、器件結構開發、工藝開發等
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士蘭微 IGBT 芯片設計
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
您好,目前還沒有人創建詞條絕緣柵雙極型晶體管(igbt)!
歡迎您創建該詞條,闡述對絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的理解,并與今后在此搜索絕緣柵雙極型晶體管(igbt)的朋友們分享。
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