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        EEPW首頁 >> 主題列表 >> 絕緣柵雙極型晶體管(igbt)

        絕緣柵雙極型晶體管(igbt) 文章 最新資訊

        IGBT的一種驅動和過流保護電路的設計

        • 本文主要研究了IGBT的驅動和短路保護問題,就其工作原理進行分析,設計出具有過流保護功能的驅動電路,并進行了仿真研究。
        • 關鍵字: 設計  電路  保護  驅動  IGBT  

        中國自主研發的IGBT產品下線

        •   上周,中國首批具有自主知識產權的大功率絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)產品,在山西北車永濟新時速電機電器公司下線,成功打破了國外對該項技術的長期壟斷。   中國北車永濟新時速電機電器有限責任公司董事長徐印平說,首批投入封裝生產線并成功封裝、順利通過動靜態試驗的“6500V/600A”IGBT產品是目前世界上電壓等級最高的產品,各項技術參數與國際標準相同。   
        • 關鍵字: 自動控制  IGBT  

        IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理

        • IGBT高壓大功率驅動和保護電路的應用及原理通過對功率器件IGBT的工作特性分析、驅動要求和保護方法等討論,介紹了的一種可驅動高壓大功率IGBT的集成驅動模塊HCPL-3I6J的應用關鍵詞:IGBT;驅動保護電路;電源

        • 關鍵字: 電路  應用  原理  保護  驅動  高壓  大功率  IGBT  

        利用2SD315AI設計的驅動大功率IGBT原理

        • 引言

          IGBT常用的驅動模塊有TLP250,以及EXB841/840系列的驅動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發現,由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態中,而處在這種狀態下的IGBT瞬時驅動
        • 關鍵字: IGBT  原理  大功率  驅動  2SD315AI  設計  利用  

        金風科技與英飛凌簽署變流器模塊技術引進協議

        •   英飛凌科技股份有限公司與中國風電設備研發和制造的領軍企業 - 新疆金風科技股份有限公司,今日簽署了一份核心模塊技術引進協議。金風科技獲權在國內生產兆瓦級風力發電機組變流器所需的英飛凌模塊。   此外,英飛凌將向金風科技供應自產所需的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)部件。這些半導體能夠高效地將發電機的變頻輸出轉換為適合相應地區電網的固定頻率。   金風科技董事長武鋼先生在簽約儀式上表示:“該項技術引進及后續自產將有效確保變
        • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  變流器模塊  

        基于HybridPACK 2 IGBT模塊的HybridKIT三相逆變器系統解決方案

        •   逆變器系統的開發步驟  用于HybridPACK2的HybridKIT的完整結構圖如圖1所示。HybridPACK2是一種典型的支持三相逆變器的6管IGBT產品。設計中需考慮的主要事項和挑戰如下:  逆變器系統采用的直流母線支撐電容,
        • 關鍵字: 逆變器  系統  解決方案  三相  HybridKIT  HybridPACK  IGBT  

        IR推出高功率、高速度、高密度的分立解決方案

        •   全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出適用于DC-DC節能汽車應用的 AUIRS2191S 600V 驅動 IC 和 AUIRGP50B60PD1 600V 非穿通型 (NPT) 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 。   新器件具有非常快的開關速度和高功率密度,非常適合高頻 DC-DC 應用,包括用于電動汽車和混合動力電動汽車的高功率 DC-DC 開關電源 (SMPS) 轉換器。   AUIRS2191S
        • 關鍵字: IR  IGBT  

        采用IGBT作為功率開關的500W太陽能逆變器設計

        •  在全球的綠色能源發展趨勢下,越來越多的家用電器、照明設備、電動工具、不間斷電源系統(UPS)以及其它工業設備開始采用太陽能供電,將太陽能量轉換為所需的交流(AC)或直流(DC)電壓。  為高效率地產生這些設備所需
        • 關鍵字: 太陽能  逆變器  設計  500W  開關  IGBT  作為  功率  采用  

        柵極電阻RG對IGBT開關特性的性能影響分析

        •  1 前言  用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(
        • 關鍵字: IGBT  柵極電阻  開關特性  分析    

        扶持政策出臺 高壓變頻上游利好

        •   據悉,在高壓變頻器中,約有一半的成本來自絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等電力電子元器件。相比中低壓變頻器,這類產品的價格與質量對高壓變頻器而言要重要得多。因此高壓變頻器廠商對電力電子元器件行業的關注從來沒有放松過。2010年,他們發現國家對于電力電子元器件的重視程度也越來越高。   2010年3月19日,國家發改委辦公廳發布《關于組織實施2010年新型電力電子器件產業化專項的通知》,明確指出將組織實施新型電力電子器件產業化專項,以大力推進新型電力電子器件產業發展,努力掌握自主知識產權的芯片和器件的設計
        • 關鍵字: 高壓變頻器  IGBT  
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        絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹

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