柵極電阻RG對IGBT開關特性的性能影響分析

　1 前言

　　用于控制、調節和開關目的的功率半導體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導體器件的開關動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓(VG(on))，IGBT導通，負輸出電壓為-5V～-15V時，IGBT關斷。IGBT的動態性能可通過柵極電阻值來調節。柵極電阻影響IGBT的開關時間、開關損耗及各種其他參數，從電磁干擾EMI到電壓和電流的變化率。因此，柵極電阻必須根據具體應用的參數非常仔細地選擇和優化。

　　2 柵極電阻RG對IGBT開關特性的影響

　　IGBT開關特性的設定可受外部電阻RG的影響。由于IGBT的輸入電容在開關期間是變化的，必須被充放電，柵極電阻通過限制導通和關斷期間柵極電流(IG)脈沖的幅值來決定充放電時間(見圖1)。由于柵極峰值電流的增加，導通和關斷的時間將會縮短且開關損耗也會減少。減小RG(on)和RG(off)的阻值會增大柵極峰值電流。當減小柵極電阻的阻值時，需要考慮的是當大電流被過快地切換時所產生的電流上升率di/dt。電路中存在雜散電感在IGBT上產生大的電壓尖峰，這一效果可在圖2所示的IGBT關斷時波形圖中觀察到。圖中的陰影部分顯示了關斷損耗的相對值。集電極-發射極電壓上的瞬間電壓尖峰可能會損壞IGBT，特別是在短路關斷操作的情況下，因為di/dt比較大。可通過增加柵極電阻的值來減小Vstray。因此，消除了由于過電壓而帶來的IGBT被損毀的風險。快速的導通和關斷會分別帶來較高的dv/dt和di/dt，因此會產生更多的電磁干擾(EMI)，從而可能導致電路故障。表1顯示不同的柵極電阻值對di/dt的影響。

　　圖1 導通、關斷/柵極電流

　　圖2 IGBT關斷

　　表1 變化率/特性

　　3 對續流二極管開關特性的影響

　　續流二極管的開關特性也受柵極電阻的影響，并限制柵極阻抗的最小值。這意味著IGBT的導通開關速度只能提高到一個與所用續流二極管反向恢復特性相兼容的水平。柵極電阻的減小不僅增大了IGBT的過電壓應力，而且由于IGBT模塊中diC/dt的增大，也增大了續流二極管的過壓極限。通過使用特殊設計和優化的帶軟恢復功能的CAL(可控軸向壽命)二極管，使得反向峰值電流減小，從而使橋路中IGBT的導通電流減小。

　　4 驅動器輸出級的設計

　　柵極驅動電路的驅動器輸出級是一種典型的設計，采用了兩個按圖騰柱形式配置的MOSFET，如圖3所示。兩個MOSFET的柵極由相同的信號驅動。當信號為高電平時，N通道MOSFET導通，當信號為低電平時，P通道MOSFET導通，從而產生了兩個器件推挽輸出的配置。MOSFET的輸出級可有一路或兩路輸出。據此可實現具有一個或兩個柵極電阻(導通，關斷)的用于對稱或不對稱柵極控制的解決方案。

　　圖3 RG(on)/RG(off)的連接