發展電力電子產業的首要意義在于節約電能，因此，高效率是我們對電力電子器件的基本要求。新型電力電子器件IGBT(絕緣柵雙極型功率管)已在工業控制、消費電子、汽車電子等多個領域充當了節能的“急先鋒”，而在新能源領域，電力電子器件也是不可或缺的元素。
電力電子器件在其發展的初期(上世紀60年代-80年代)主要應用于工業和電力系統。而近20年來，隨著4C產業(通信、計算機、消費電子、汽車)的蓬勃發展，電力電子器件的應用范圍有了大幅度的擴展，其技術已成為航空、航天、火車、汽車、通信
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電力電子 IGBT 新能源 節能
Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列，用于開關電源和電機驅動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動器IC更快，有助于加快開關時間，提高電路效率。
該系列包含4款高速非反向柵極驅動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關射極跟隨器配置，實現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
PSHI 3系列IGBT驅動器是基于具有自主知識產權的ASIC而設計的智能型1700V雙路IGBT驅動器，包括邏輯信號處理的ASIC PSD001，門極驅動的ASIC PSD002。集成了電平選擇、邏輯信號處理、故障鎖存及處理、短路保護、欠壓保護、互鎖、電氣隔離、DC/DC隔離電源等，工作溫度范圍為－45℃~＋85℃，其中:
PSHI 302適用于200A以下的IGBT驅動；
PSHI 332適用于150A-800A的IGBT驅動；
PSHI 362適用于400A-1200A的IGBT。
驅動
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普爾盛 IGBT 驅動器
除了功率模塊以外，每個電力電子系統都還有另外一個關鍵部件就是IGBT驅動電路，它們是功率晶體管和控制器之間非常重要的接口電路。因此，選擇適當的驅動電路就和逆變器整體方案的可靠性緊密相關。與此同時，驅動電路還應該具備最廣泛的系統適應性和用戶接口友好性。
例如，在一個電力電子逆變器中，微控制器提供系統正確運行所需要的數字信號。IGBT驅動電路的功能就是將來自于微控制器的信號轉換成具有足夠功率的驅動信號，來保證IGBT安全地關斷與開通。另一方面，IGBT驅動電路為微控制器和功率晶體管之間的電壓提供電氣
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IGBT SKYPER
分析了三電平逆變器系統中IGBT驅動電路的主要干擾源及耦合途徑，在此基礎上對lGBT驅動電路EMC設計的一些問題進行了研究，重點討論了光纖傳輸信號、輔助電源設計、瞬態噪聲抑制以及PCB的抗干擾設計等問題，并給出了設計方案。
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電磁兼容 研究 電路 驅動 逆變器 IGBT 電平
三菱電機將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領域的客戶提供與其相應的應用解決方案。
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三菱電機采用最新開發的載流子存儲式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實現了第五代IGBT模塊的產品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環和壽命長等優點。分別針對不同應用開發了A、 NF、 NFM、NFH和NX系
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三菱 IGBT 電子展 200802
上世紀60年代，開關電源的問世，使其逐步取代了線性穩壓電源和SCR相控電源。40多年來，開關電源技術有了飛迅發展和變化，經歷了功率半導體器件、高頻化和軟開關技術、開關電源系統的集成技術三個發展階段。
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開關電源，IGBT 碳化硅 AC/DC
l 前言
絕緣柵場效應晶體管(IGBT)作為一種復合型器件，集成了MOSFET的電壓驅動和高開關頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領域中有著廣泛的應用。本文對應用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅動器的設計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅動電路。
有源電力濾波器設計中應用4個IGBT作為開關，并用4個EXB84l組成驅動電路，其原理如圖l所示。在實驗中，根據補償電流與指令電流的關系，用數字信號處理器(DSP
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IGBT MOSFET 場效應晶體管 電源
將IGBT用于變換器時，應采取保護措施以防損壞器件，常用的保護措施有：
（1） 通過檢出的過電流信號切斷門極控制信號，實現過電流保護；
（2） 利用緩沖電路抑制過電壓并限制du/dt；
（3） 利用溫度傳感器檢測IGBT的殼溫，當超過允許溫度時主電路跳閘，實現過熱保護。
下面著重討論因短路而產生的過電流及其保護措施。
前已述及，IGBT由于寄生晶閘管的影響，當流過IGBT的電流過大時，會產生不可控的擎住效應。實際應用中應使IGBT的漏極電流不超過額定電流，以避免出現擎住現
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IGBT 半導體材料
一、IGBT的工作原理
電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導電、P溝道MOSFET中僅空穴導電）、電壓控制型開關器件；因此其通、斷驅動控制功率很小，開關速度快；但通態降壓大，難于制成高壓大電流開關器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數載流子都參與導電）、電流控制型開關器件；因此其通-斷控制驅動功率大，開關速度不夠快；但通態壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關器件。為了兼有這兩種器件的優點，棄其缺點，20世紀80年代中期出現了將它們的通、斷機制相結合的新一代半導
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IGBT 半導體材料
引言
IGBT常用的驅動模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發現，由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態中，而處在這種狀態下的IGBT瞬時驅動電流大，要求可靠性要高，使得傳統的驅動電路已經不能滿足其使用要求，經過研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產的用于驅動和保護IGBT或功率MOSFET的專用集成驅動模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅動器件，該驅動器集成了智能驅動、自檢、
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模擬技術 電源技術 IGBT 2SD315A 模擬IC 電源
引言
隨著電力電子技術朝著大功率、高頻化、模塊化發展，絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應用于開關電源、變頻器、電機控制以及要求快速、低損耗的領域中。IGBT是復合全控型電壓驅動式電力電子器件，兼有MOSFET和GTR的優點：輸入阻抗高，驅動功率小，通態壓降小，工作頻率高和動態響應快。目前，市場上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高壓、功率大的特性，已成為大功率開關電源等電力電子裝置的首選功率器件。
1 驅動保護電路的原則
由于是電壓控制型器件，因此只要控制IC
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嵌入式系統 單片機 IGBT 集成驅動 嵌入式
全球對于節能和綠色能源的需求使得馬達變頻驅動在工業應用領域不斷增長，甚至還擴展到民用產品和汽車領域。因此在過去幾年，市場對變頻器的需求量和相應的產量一直在持續增長。隨著產量的不斷擴大和技術趨向成熟，變頻器市場競爭也日益激烈，對產品性價比的要求不斷提高。 標準的三相交流驅動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現主電路中的6個開關，現在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經過檢驗
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選型 元器件 變頻器 IGBT 元件 制造
飛兆半導體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測用點火IGBT器件FGB3040CS，可以在應用中省去用于檢測大電流的檢測電阻，從而將功耗降低30%并減少由此帶來的熱量。FGB3040CS具有電流檢測功能，能以小型的低電流檢測電阻替代高功率的檢測電阻，成功簡化系統元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術設計，提供了高能量密度的點火IGBT。這項技術可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會影響性能。 &n
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模擬技術 電源技術 飛兆 電流檢測 IGBT FGB3040CS 基礎儀器
絕緣柵雙極型晶體管(igbt)介紹
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