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        迎接納米級IC設計挑戰 DFM應成為普及化概念

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        作者: 時間:2007-08-16 來源:EEPW 收藏
        有鑒于半導體產業正試圖解決可制造性設計()問題,參與月前在美國舉行之SemiconWest展會上的一場小組座談的EDA產業專家表示,可以從可測試性設計(design-for-test,DFT)的技術發展歷程中取經。 

            該場小組座談會的主持人、市場研究公司GarySmithEDA總裁GarySmith表示:「真正的是個大問號,如果它跟隨DFT的腳步,得花上幾年時間才能在設計社群中扎根。」他指出,半導體公司基本上是把DFT強迫推銷給設計工程師,而且工程師們花了幾年時間才接受它;現在半導體制造商也需要強迫設計和制程工程師采用各種工具和方法。 

            由Si2組織所組成的一個新聯盟目前正式定義DFM為「design-for-manufacturability」,而非「design-for-manufacturing」。IBM的著名工程師LarsLiebman是Si2標準努力的積極分子,他表示,該定義更為精確地反映了「設計需要讓正確的“訣竅(hook)”被無瑕疵地制造出來」的理念。 

            Smith認為,為了最大化組件的良率,有必要掌握整個供應鏈的環境:「如果你不了解整個半導體產業基礎架構,不是無法推出適合市場口味的的產品,就是不能解決各種問題。」 

            CakeTechnology總裁兼執行長RichardTobias則表示,對無晶圓廠設計公司來說:「在過去,要從各個晶圓代工廠取得DFM資料可是很麻煩的事情。」他指出,產業界在130奈米節點面臨不少訊號完整性的問題,不過在90與65奈米節點,透過一些工具流程的協助,該議題就非常容易厘清,他建議應繼續將DFM的概念帶到45nm及更精細的制程。 

            ClearShapeTechnologies的行銷與業務發展副總裁NitinDeo表示,設計業者必須因應許多變量,例如當設計概念與實際硅芯片生產結果不符,或是遇到投片失敗、良率等問題。因此他認為晶圓代工廠必須告訴設計業者如何達成可制造性設計,尤其在45奈米節點,晶圓廠應該提供以模型為基礎的分析,以取代設計規則檢查。 
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